Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 30

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

Π¨Π°Π³ 5. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ кондСнсатора Π‘2. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 ΠΈ нСизвСстный импСданс Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ высоких частот. ΠœΡ‹ Π½Π΅ ошибСмся, Ссли ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ импСданс Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ мСньшС R3. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ β€” 3 Π΄Π‘ соотвСтствовало Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ частоты, мСньшСС Ρ‡Π΅ΠΌ 20 Π“Ρ†, Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора Π‘2 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Π° ΠΏΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ 1,0 ΠΌΠΊΠ€. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ двухкаскадный Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ высоких частот, Ρ‚ΠΎ для прСдотвращСния сниТСния Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ сигнала Π½Π° самой Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… нас частот Смкости слСдуСт Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ побольшС. Π’ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ значСния: C1 = 0,5 ΠΈ Π‘2 = 3,3 ΠΌΠΊΠ€.

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ с расщСплСнными источниками. Π’ связи с Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ сигналы часто находятся Β«Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈΒ», ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ симмСтричноС ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ β€” с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС Π»Π΅Π³Ρ‡Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ смСщСниС, ΠΈ для Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ кондСнсаторы (рис. 2.17).



Рис. 2.17. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ со связью ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с расщСплСнным источником питания.


Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π² схСмС ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдусмотрСна Ρ†Π΅ΠΏΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли этот Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ просто Β«Π½Π° зСмлю». Π’ схСмС Π½Π° рис. 2.17 эту Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ источник сигнала, соСдинСнный с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Если ΠΆΠ΅ это Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, имССтся Смкостная связь с источником), Ρ‚ΠΎ слСдуСт ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ связь Π±Π°Π·Ρ‹ с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор (рис. 2.18). Как ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, сопротивлСниС RΠ‘ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 0,1 ΠΎΡ‚ произвСдСния h21эRΠ­.



Рис. 2.18.


Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.5. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с источником напряТСния Β± 15 Π’ для Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот (20 Π“Ρ†-20 ΠΊΠ“Ρ†). Π’ΠΎΠΊ покоя Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 5 ΠΌΠ, Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ имССтся Смкостная связь.


ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. К соТалСнию, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π½Π΅ΡƒΠ΄Π°Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ схСмы, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис. 2.19.



Рис. 2.19. НС слСдуйтС этому ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ!


ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ рСзистора RΠ‘ для этой схСмы ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт h21э ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ (100), ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° RΠ‘ составит 7 Π’. РасчСт схСмы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎ; коэффициСнт h21э Π½Π΅ слСдуСт Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π° основу расчСта, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сущСствСнно ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ. Если напряТСниС смСщСния Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ дСлитСля напряТСния, ΠΊΠ°ΠΊ Π² рассмотрСнном Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° покоя Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ измСнСниям коэффициСнта Ξ². НапримСр, Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ схСмС напряТСниС Π½Π° эмиттСрС увСличится всСго Π½Π° 0,35 Π’ (5 %), Ссли вмСсто номинальной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ h21э = 100 Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ h21э = 200. На ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ эмиттСрного повторитСля ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ Π² Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΡƒ ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΊΡƒΠ΄Π° Π½Π΅ Π³ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ схСму. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ошибки Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈ Π² схСмах с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ транзисторов (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, дальшС Π² этой Π³Π»Π°Π²Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ прСдставлСна схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром).


2.06. Вранзисторный источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π₯отя источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ извСстны, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ ΠΈ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹, Ρ‡Π΅ΠΌ источники напряТСния. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой прСкрасноС срСдство для обСспСчСния смСщСния транзисторов, ΠΈ ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ Π² качСствС Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ для ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов с большим коэффициСнтом усилСния ΠΈ Π² качСствС источников питания эмиттСров для Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлСй. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… устройств, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π’ схСмах усилитСлСй ΠΈ стабилизаторов ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСний. И Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, источники постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… областях, Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… прямого ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊ элСктроникС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π² элСктрохимии, элСктрофорСзС.

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора ΠΊ источнику напряТСния. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 2.20.



Рис. 2.20.


ΠŸΡ€ΠΈ условии Ρ‡Ρ‚ΠΎ RΠ½ >> R (ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, UΠ½ >> U), Ρ‚ΠΎΠΊ сохраняСт ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ постоянноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ I = U/R. Если Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ являСтся кондСнсатор, Ρ‚ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ условии Ρ‡Ρ‚ΠΎ UΠΊΠΎΠ½Π΄ >> U, ΠΎΠ½ заряТаСтся с ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ постоянной ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, опрСдСляСмой Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ участком экспонСнты, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ RΠ‘-Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌΡƒ рСзистивному источнику Ρ‚ΠΎΠΊΠ° присущи сущСствСнныС нСдостатки. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ источнику Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большиС напряТСния, Π° ΠΏΡ€ΠΈ этом Π½Π° рСзисторС рассСиваСтся большая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ этого источника Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ напряТСния, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΄Π΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ ΡƒΠ·Π»Π΅ схСмы.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.6. Допустим, Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹ обСспСчивал Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1 % Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ измСнСния напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ +10 Π’. Какой источник напряТСния Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ рСзистору? 

 Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.7. Допустим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠΈ трСбуСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ источника Ρ‚ΠΎΠΊ 10 ΠΌΠ. Какая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° рСзисторС? Какая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пСрСдаСтся Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅?


Вранзисторный источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° основС транзистора (рис. 2.21).



Рис. 2.21. Вранзисторный источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: основная идСя.


Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ½ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ UΠ‘ > 0,6 Π’ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии: UΠ­ = UΠ‘ β€” 0,6 Π’. Π’ связи с этим IΠ­ = UΠ­/RΠ­ = (UΠ‘ β€” 0,6 Π’)/RΠ­. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ коэффициСнта h21эIΠ­ ~= IК, Ρ‚ΠΎ IК ~= (UΠ‘ β€” 0,6 B)/RΠ­ нСзависимо ΠΎΡ‚ напряТСния UK Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° транзистор Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния (UKUΠ­ + 0,2 Π’).

Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколькими способами. Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π΄Π°Π΅Ρ‚ использованиС дСлитСля напряТСния, Ссли ΠΎΠ½ обСспСчиваСт достаточно ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС. Как ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… случаях, сопротивлСниС дСлитСля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС сопротивлСния схСмы со стороны Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ h21эRэ. МоТно Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ зСнСровским Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для смСщСния источник питания UΠΊΠΊ, Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ нСсколько Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², смСщСнных Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ соСдинСнных ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ источником питания эмиттСра. На рис. 2.22 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ схСм смСщСния. Π’ послСднСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ (рис. 2.22, Π±) транзистор Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ (ΠΎΠ½ β€” источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ (Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π΅Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ «поглотитСлями» Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½ΠΎ принято Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ всС схСмы Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° источниками Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. [НазваниС Β«ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΒ» ΠΈ «источник» связано с Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°; Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ поступаСт Π² ΠΊΠ°ΠΊΡƒΡŽ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ схСмы, Ρ‚ΠΎ это источник, ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚].



Рис. 2.22. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ транзисторных источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с трСмя способами ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ; Π² транзисторы n-p-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, Π° ΠΈΠ· транзисторов Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚. На схСмС (Π²) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ источник с Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.


Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмС сопротивлСниС дСлитСля напряТСния составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 1,3 кОм ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с сопротивлСниСм со стороны Π±Π°Π·Ρ‹, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ~= 100 кОм (для h21э = 100). Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта Ξ², связанноС с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, Π½Π΅ повлияСт сущСствСнным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ совсСм ΠΌΠ°Π»ΠΎ. Π’ Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… схСмах рСзисторы Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ составлял нСсколько ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€, β€” этого достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹.

Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Ρ‹Π» Π±Ρ‹ способСн Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ слСдуСт, называСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. Для рассмотрСнных Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторных источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ опрСдСляСтся ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π°ΠΊ, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достигнут Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния, Ρ‚. Π΅. Π΄ΠΎ +12 Π’.