Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 28

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

rΠ²Ρ… = (h21э + 1)R.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ξ²(h21э) ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100, поэтому ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ с нСбольшим импСдансом ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ импСданс со стороны Π±Π°Π·Ρ‹ становится ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большим; с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ схСмС Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

Π’ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Π³Π». 1, ΠΌΡ‹ использовали для обозначСния Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ строчныС Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ h21э, Ρ‚Π΅ΠΌ самым ΠΌΡ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π΅Π»ΠΎ с приращСниями (ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ сигналами). Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго нас интСрСсуСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния (ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) Π² схСмС, Π° Π½Π΅ постоянныС значСния (ΠΈΠ»ΠΈ значСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ) этих Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½. ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто эти измСнСния ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π² усилитСлС Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ устойчивоС «смСщСниС» ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (см. Ρ€Π°Π·Π΄. 2.05). Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (h21э) ΠΈ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала h21Π­ Π½Π΅ всСгда ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, ΠΈ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈ для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ случая ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ понятиС коэффициСнта усилСния Ξ².

Если ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ h21Π­ ~= h21э (Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоких частот) ΠΈ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв интСрСс прСдставляСт Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅, Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого коэффициСнта, Ρ‚ΠΎ использованиС коэффициСнта Ξ² Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ допустимо. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° комплСксныС импСдансы, Ссли ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ξ”UΠ±,Ξ”Iэ ΠΈ Π΄Ρ€. Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… комплСксными прСдставлСниями. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ прСобразования импСдансов для эмиттСрного повторитСля:

ZΠ²Ρ… = (h21э + 1)ZΠ½Π°Π³Ρ€.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΄Π΅Π»Π°Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ прСобразования, Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс эмиттСрного повторитСля ZΠ²Ρ‹Ρ… (импСданс со стороны эмиттСра) ΠΏΡ€ΠΈ использовании источника сигнала с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ импСдансом Zист:

ZΠ²Ρ‹Ρ… = Zист/(h21э + 1).

Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠ³ΠΎ говоря, Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс схСмы Π½Π°Π΄ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ сопротивлСниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R, Π½ΠΎ ZΠ²Ρ‹Ρ… (импСданс со стороны эмиттСра) ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.1. ΠŸΠΎΠΊΠ°ΠΆΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ справСдливо. Подсказка: Π½Π°ΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном напряТСнии источника ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π£Ρ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС источника подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС.


Благодаря Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ свойствам эмиттСрныС ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ находят ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ практичСскоС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈ создании Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ схСм (ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° ΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅) источников сигналов с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… эталонных напряТСний Π½Π° основС эталонных источников с высоким импСдансом (сформированных, скаТСм, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ напряТСния) ΠΈ для изоляции источников сигналов ΠΎΡ‚ влияния ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… каскадов.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.2. На основС эмиттСрного повторитСля, ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, создайтС схСму источника напряТСния +5 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ стабилизированный источник напряТСния питания +15 Π’. Π’ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ) Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 25 ΠΌΠ. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзисторов слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ измСнялось Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 5 %.


НСкоторыС замСчания ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСрных ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. 1. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ (Ρ€Π°Π·Π΄. 2.01, ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ 4), Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² эмиттСрном ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. НапримСр, для схСмы, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 2.8, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полуплоскости измСняСтся Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… напряТСния насыщСния транзистора UΠΊΠΊ (Ρ‡Ρ‚ΠΎ составляСт +9,9 Π’), Π² ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полуплоскости ΠΎΠ½ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ β€”5 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистор Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ просто Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ составляСт ΠΏΡ€ΠΈ этом β€”4,4 Π’, Π° Π½Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ β€”5 Π’.



Рис. 2.8. Из эмиттСрного повторитСля n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ большой Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор, Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ лишь Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный рСзистор.


Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ лишь ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, Π½ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ это Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ проявляСтся. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 10 Π’ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 2.9.



Рис. 2.9. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊΠ°ΠΊ схСма формирования асиммСтричного Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.


МоТно Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного повторитСля, исходя ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ нСбольшим Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ импСдансом для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала (динамичСский импСданс). Π•Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс для большого сигнала ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большС (Ρ€Π°Π²Π΅Π½ RΠ­). ИзмСнСниС импСданса ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ значСния ΠΊΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ происходит Π² Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ· Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° (Π² нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ β€”5 Π’). Π˜Π½Π°Ρ‡Π΅ говоря, нСбольшой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π½Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Π΅Ρ‰Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ большой сигнал Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Если схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСбольшой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ· этого Π½Π΅ слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ большой Ρ‚ΠΎΠΊ.

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, присущСС схСмС эмиттСрного повторитСля, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор с мСньшим сопротивлСниСм (Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° рСзисторС ΠΈ транзисторС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ большая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ), ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ схСму, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π΄Π²Π° транзистора (n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° (Ρ€Π°Π·Π΄. 2.15).

ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° эмиттСрного повторитСля ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ собствСнный источник напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы слуТит стабилизированный источник питания (Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ стоит ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ), Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° схСму, ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‰ΡƒΡŽ собствСнный источник питания.

2. ΠΠ΅ Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС пробоя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ ΠΈ часто составляСт всСго 6 Π’. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сигналы, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ вывСсти транзистор ΠΈΠ· состояния проводимости, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ значСния коэффициСнта h21э)Β· Для прСдохранСния ΠΎΡ‚ пробоя ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (рис. 2.10).



Рис. 2.10. Π”ΠΈΠΎΠ΄ прСдохраняСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΎΡ‚ пробоя.


3. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ для эмиттСрного повторитСля ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшС 1,0, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр фактичСски Π½Π΅ являСтся постоянным, Π° Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π² этой Π³Π»Π°Π²Π΅ ΠΌΡ‹ вСрнСмся ΠΊ этому вопросу, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ЭбСрса-Молла.


2.04. ИспользованиС эмиттСрных ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² качСствС стабилизаторов напряТСния

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ стабилизатором напряТСния слуТит ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ зСнСровский Π΄ΠΈΠΎΠ΄-стабилитрон (рис. 2.11).



Рис. 2.11. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ стабилизатор напряТСния Π½Π° основС зСнСровского Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.


Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, поэтому Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ условия:

(UΠ²Ρ… β€” UΠ²Ρ‹Ρ…)/R = IΠ²Ρ‹Ρ… (макс)

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС UΠ²Ρ… Π½Π΅ стабилизировано, Ρ‚ΠΎ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ наимСньшСС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ UΠ²Ρ…. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдуСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму для ТСстких условий Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ допуски Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния напряТСния Π² сСти ΠΈ Ρ‚. ΠΏ., ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΡΡΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ сочСтаниС всСх Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

На стабилитронС рассСиваСтся ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:

Pстаб = [(UΠ²Ρ… β€” UΠ²Ρ‹Ρ…)/R β€” IΠ²Ρ‹Ρ…]UΠ²Ρ‹Ρ…

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² ТСстких условиях, ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС Рстаб Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ значСния UΠ²Ρ… (макс), R (ΠΌΠΈΠ½.) ΠΈ IΠ²Ρ‹Ρ… (ΠΌΠΈΠ½.).

 Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.3. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ стабилизированный источник напряТСния +10 Π’ для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 100 ΠΌΠ; Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС измСняСтся Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 25 Ξ’. Π’ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… условиях (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΈ Π² самых ТСстких) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· стабилитрон Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ 10 ΠΌΠ. На ΠΊΠ°ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитан стабилитрон?