Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 31

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Ρ‹Π» Π±Ρ‹ способСн Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ слСдуСт, называСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. Для рассмотрСнных Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторных источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ опрСдСляСтся ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π°ΠΊ, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достигнут Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния, Ρ‚. Π΅. Π΄ΠΎ +12 Π’.

Вторая схСма, с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм Π½Π° эмиттСрС, сохраняСт свойства источника лишь Π΄ΠΎ значСния напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ +5,2 Π’.

Π’ΠΎ всСх случаях напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ значСния напряТСния насыщСния Π΄ΠΎ значСния напряТСния питания. НапримСр, послСдняя схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ значСниями 0 ΠΈ +8,6 Π’. Если Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ собствСнныС источники питания, Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС источника питания. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы рСкомСндуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзистора (напряТСниС UКЭ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ UКЭ ΠΏΡ€ΠΎΠ± - напряТСниС пробоя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр) ΠΈ Π½Π΅ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ излишняя ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (опрСдСляСмая Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ произвСдСния IKUКЭ). Π’ Ρ€Π°Π·Π΄. 6.07 Π²Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ опрСдСляСтся ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.8. Π’ схСмС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° стабилизированных источника напряТСния: +5 ΠΈ 15 Π’. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ схСму источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° основС транзистора n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, которая Π±Ρ‹ обСспСчивала Ρ‚ΠΎΠΊ +5 ΠΌΠ. Π’ качСствС источника напряТСния для Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ источник +5 Π’. Π§Π΅ΠΌΡƒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС?


Π’ источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ фиксированным. Если ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния напряТСния UΠ‘, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Если Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠ»Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала uΠ²Ρ…  (Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ строчными Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ измСнСния) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСбольшим, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС Π½Π° эмиттСрС Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π»ΠΎΡΡŒ Π΄ΠΎ нуля. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ измСнСниям Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

НСдостатки источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Как сильно отличаСтся транзисторный источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ идСального? Π˜Π½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, измСняСтся Π»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ, скаТСм напряТСния, Ρ‚. Π΅. ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π»ΠΈ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эквивалСнтноС сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ (Rэкв < )? И Ссли Π΄Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ? ΠΠ°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ эффСкты Π΄Π²ΡƒΡ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ²:

1. ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ напряТСниС UΠ‘Π­, ΠΈ коэффициСнт h21Π­ (эффСкт Π­Ρ€Π»ΠΈ) нСсколько ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. ИзмСнСниС напряТСния UΠ‘Π­, связанноС с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС Π½Π° эмиттСрС (Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ) измСняСтся, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ фиксировано. ИзмСнСниС значСния коэффициСнта h21э ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ нСбольшим измСнСниям Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ) Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ IΠΊIΠ­ β€” IΠ‘; ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ измСняСтся напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π² связи с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСния источника смСщСния, обусловлСнного измСнСниями коэффициСнта h21Π­ (Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹). Π­Ρ‚ΠΈ измСнСния Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹. НапримСр, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для схСмы, прСдставлСнной Π½Π° рис. 2.22, Π°, составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 0,5 % для транзистора Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 2N3565. Π’ частности, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 8 Π’ эффСкт Π­Ρ€Π»ΠΈ обусловливаСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° 0,5 %, Π° Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² транзистора β€” Π½Π° 0,2 %. ИзмСнСниС коэффициСнта вносит Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” 0,05 % (для ТСсткого дСлитСля напряТСния). ВсС эти измСнСния приводят ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ…ΡƒΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ: Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС Π½Π΅ бСсконСчно. Π’ дальнСйшСм Π²Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ этот нСдостаток.

2. ΠΠ°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ UΠ‘Π­ ΠΈ коэффициСнт h21Π­ зависят ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π’ связи с этим ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° измСняСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ (Π² связи с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ мощности, рассСиваСмой транзистором) ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ источник Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ. ИзмСнСниС напряТСния UΠ‘Π­ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ схСмы, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 2.23.



Рис. 2.23. Один ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсации источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.


Π’ этой схСмС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром транзистора Π’2 компСнсируСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π’1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики. РСзистор R3 ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ для Π’1, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ для задания Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π’2.

Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ характСристик источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ говоря, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UΠ‘Π­, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ влияниСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ β€” 2 ΠΌΠ’/Β°Π‘), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ напряТСния UΠ‘Π­ (эффСкт Π­Ρ€Π»ΠΈ оцСниваСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Ξ”UΠ‘Π­ ~= β€”0,001Ξ”Uкэ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ свСсти ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΡƒ, Ссли ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° эмиттСрС достаточно большим (ΠΏΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ 1 Π’), Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UΠ‘Π­ Π½Π° дСсятыС Π΄ΠΎΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ измСнСнию напряТСния Π½Π° эмиттСрном рСзисторС (Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСма ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ постоянноС напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅).

НапримСр, Ссли UΠ­ = 0,1 Π’ (Ρ‚. Π΅. ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ напряТСниС 0,7 Π’), Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Uбэ Π½Π° 10 ΠΌΠ’ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° 10 %, Ссли ΠΆΠ΅ Uэ = 1,0 Π’, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Uбэ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° 1 %. Однако, Π½Π΅ стоит Π·Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ слишком Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ.

Напомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ниТняя Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° опрСдСляСтся напряТСниСм Π½Π° эмиттСрС. Если Π² источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ источника питания +10 Π’, напряТСниС Π½Π° эмиттСрС ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ +5 Π’, Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5 Π’ (напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Uэ + 0,2 Π’ Π΄ΠΎ UKK, Ρ‚. Π΅. ΠΎΡ‚ 5,2 Π΄ΠΎ 10 Π’).

На рис. 2.24 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма, которая сущСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ характСристики источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.



Рис. 2.24. ΠšΠ°ΡΠΊΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊ измСнСниям напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅.


Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’1 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ фиксируСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ эмиттСра Π’2. Π’ΠΎΠΊ, Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ (для Π’2) ΠΈ эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой (ΠΈΠ·-Π·Π° большого значСния h21Π­). Π’ этой схСмС напряТСниС UКЭ (для Π’1) Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Π° это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устранСны измСнСния напряТСния UΠ‘Π­, обусловлСнныС эффСктом Π­Ρ€Π»ΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ. Для транзисторов Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 2Ν3565 эта схСма Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° 0,1 % ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 8 Π’; для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ схСма обСспСчивала ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы с допуском 1 %. (ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, эту схСму ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π² высокочастотных усилитСлях, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½Π° извСстна ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ «каскод»). Π’ дальнСйшСм Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ со схСмами источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ усилитСли ΠΈ обратная связь, ΠΈ Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° устранСния влияния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Uбэ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.

ВлияниС коэффициСнта h21Π­ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΠ»Π°Π±ΠΈΡ‚ΡŒ, Ссли Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с большим Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ h21Π­, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π² Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра.

На рис. 2.25 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния питания. Π’ этой схСмС напряТСниС UΠ‘Π­ транзистора Π’1, падая Π½Π° рСзисторС R2, опрСдСляСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ нСзависимо ΠΎΡ‚ напряТСния UKK