Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«DABRA ΠΈ Π½Π°ΡƒΠΊΠ° Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΉΡ…Π°. ΠžΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ исслСдования БША ΠΈ Π“Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΈΒ». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 23

Автор Π . Π Π΅ΡƒΠ»ΠΎΠ²

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ NCT (Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ 1990–1995 Π³Π³.) Π±Ρ‹Π»ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… основных Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

1. ΠΠ°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСская стратСгия обСспСчСния Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ бСзопасности (National Security Science and Technology Strategy, National Science and Technology Council, 1995), подготовлСнная ΠΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ совСтом ΠΏΠΎ Π½Π°ΡƒΠΊΠ΅ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ (NSTP), ΠΏΡ€ΠΈ участии Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚Π° ΠΏΠΎ Π½Π°ΡƒΠΊΠ΅ ΠΈ тСхнологиям ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚Π΅ БША (PCAST) ΠΈ УправлСния ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° ΠΈ контроля ΠšΠΎΠ½Π³Ρ€Π΅ΡΡΠ° БША (GAO).

2. ΠŸΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ направлСния государствСнных НИОКР (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ эти Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π΅ΠΆΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΎΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠ»ΡΠ»ΠΈΡΡŒ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΌΠΎΡ€Π°Π½Π΄ΡƒΠΌΠ°), ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… осущСствляло Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСской ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΈ администрации ΠΏΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚Π° БША (OSTP);

3. ΠΠ°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСская оборонная стратСгия (Defense Science and Technology Strategy, Department of Defense, Deputy Under Secretary of Defense (Science & Technology), May 1996), подготовлСнная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ замСститСля министра ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎ исслСдованиям ΠΈ тСхнологиям;

4. ΠŸΠ»Π°Π½ развития ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ (Defense Technology Area Plan, Department of Defense, Deputy Under Secretary of Defense (Science & Technology), February 1994).

Π’ условиях Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ (Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ) роста объСма коммСрчСских НИОКР Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ объСмС финансирования НИОКР Π² БША (рис. 1.34) Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ 1990–1995 Π³Π³. руководством страны Π±Ρ‹Π»ΠΎ принято Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π΅ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ министСрства ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΅ΠΉ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ направлСнности. Π’ 1995 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π° Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Β«ΠšΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈΒ» β€“ Militarily Critical Technologies Program (МБВР). Основной Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ этой долгосрочной ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ систСматичСскоС ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ всСго спСктра Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ создании вооруТСния ΠΈ Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ (Π’Π’Π’), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ способных Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ интСрСс Ρƒ Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ вСдомства.

Рис. 1.34. Π”ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ° структурных ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ расходов Π½Π° НИОКР Π² БША

НСпосрСдствСнноС исполнСниС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ МБВР Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ Π½Π° замСститСля министра ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎ приобрСтСниям ΠΈ тСхнологиям – USD (А&Π’). Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ассигнований Π½Π° Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ осущСствляСтся Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° Π 110 (Β«ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° критичСских Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉΒ» β€“ USD (А&Π’) Critical Technology Support) ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π° НИОКР β„– 0605110D8Z (НИОКР ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ВА 5 Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° министра ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ (OSD)). Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· исполнитСлСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ МБВР выступаСт Ρ„Π΅Π΄Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ (FFRDC) β€“ Π˜Π½ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚ изучСния ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ (Institute for Defense Analyses Studies and Analyses β€” IDA).

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ характСристика ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ…ΠΎΠ΄ выполнСния этой ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹, прСдставлСна Π½Π° рис. 1.35.

Π’ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ 1995–2000 Π³Π³. Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ МБВР ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΠΈ пСриодичСскому (Π½Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π° Π²

4 Π³ΠΎΠ΄Π°) обновлСнию пСрСчня критичСских Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ (Militarily Critical Technologies Lisi β€” MCTL), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ прСдставлялся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ систСм вооруТСния (MCTL Part 1. Weapons Systems Technologies);

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 2. ΠžΡ€ΡƒΠΆΠΈΠ΅ массового уничтоТСния (MCTL Part 2. Weapons of Mass Destruction);

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 3. Π Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ (Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅) критичСскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (MCTL Part 3. Critical Developing Technologies).

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° пСрСчня MCTL, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠ°Ρ Π΄ΠΎ 2000 Π³ΠΎΠ΄Π°, прСдставлСна Π½Π° рис. 1.36.

Рис. 1.35. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Π° выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ МБВР

Начиная с 2001 Π³ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΏΠΎ настоящСС врСмя Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ МБВР ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈ систСматичСскоС ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… состояниС критичСских Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ исслСдований ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ направлСнности (Developing Science and Technologies List β€” DSTL).

Надо ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² MCTL ΠΈ DSTL ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π³Ρ€ΠΈΡ„ сСкрСтности, Π° распространСниС ΠΈΡ… нСсСкрСтных вСрсий ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Π² 2007 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 2010 Π³ΠΎΠ΄Π° Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚-рСсурс, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π² элСктронном Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Π»ΠΈΡΡŒ ΡƒΡΡ‚Π°Ρ€Π΅Π²ΡˆΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ· сСрии MCTL ΠΈ DSTL [12].

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° MCTL прСдставляСт собой Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° соврСмСнного состояния ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ 20 тСхнологичСским Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°ΠΌ (тСхнологичСским ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°ΠΌ). КаТдая тСхнологичСская Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° MCTL ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 2 Π΄ΠΎ 13 тСматичСских Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΏΠΎΠ΄Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ).

Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎ: тСхнологичСская ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° (TU) ΠΈΠ»ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° – Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ЕврокомиссиСй для обозначСния тСматичСских Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ развития Π•Π²Ρ€ΠΎΡΠΎΡŽΠ·Π°. Π’ Π Π€ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ «ВСхнологичСских ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΒ» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… инструмСнтов Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ΠΎΠ² Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхнологичСского развития ΠΈ развития Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-производствСнных связСй. Π’ 2012 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ комиссиСй ΠΏΠΎ высоким тСхнологиям ΠΈ инновациям Π±Ρ‹Π» ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ, состоящий ΠΈΠ· 27 тСхнологичСских ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ.

Рис. 1.36. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° пСрСчня MCTL, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠ°Ρ Π΄ΠΎ 2000 Π³ΠΎΠ΄Π°

ПослСдняя рСдакция Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° MCTL, опубликованная Π² 2010 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ, Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π° ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ тСхнологичСским Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°ΠΌ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈΠΌ тСматичСским направлСниям (рис. 1.37):

Рис. 1.37. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° пСрСчня критичСских Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ пСрспСктивных Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ исслСдований ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ (Π² Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ 2010 Π³ΠΎΠ΄Π°)

1. ΠΠ²ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (Aeronautics Technology):

1.1. Аэродинамика;

1.2. АвиационныС силовыС установки;

1.3. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π°Π²ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, Π±ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ систСмы ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ;

1.4. БистСмы ΠΈ ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ‹ управлСния Π»Π΅Ρ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ;

1.5. БСспилотныС Π°Π²ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ комплСксы;

2. БоСприпасы, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ вооруТСния ΠΈ энСргСтичСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ (Armament and Energetic Materials):

2.1. Π˜Π½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠΎΡ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ срСднСго ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²;

2.2. Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ установки ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ для тактичСского вооруТСния;

2.3. БистСмы ΠΈ устройства прСдохранСния, взвСдСния, инициирования ΠΈ обСспСчСния мСста Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Π° (Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ);

2.4. АртиллСрийскиС орудия ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ‹;

2.5. БистСмы навСдСния, цСлСуказания ΠΈ управлСния;

2.6. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π±ΠΎΠ΅Π²Ρ‹Ρ… частСй, Π±ΠΎΠ΅Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΊ ΠΈ зарядных устройств;

2.7. ΠŸΠΎΡ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния;

2.8. ЭнСргСтичСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹;

2.9. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ минирования ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΌΠΈΠ½Π½Ρ‹Ρ… дСйствий;

2.10. Π Π°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы ΠΈ комплСксы;

2.11. Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… срСдств пораТСния;

2.12. ΠžΡ€ΡƒΠΆΠΈΠ΅ Π½Π΅Π»Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ дСйствия;

2.13. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΡƒΡ‚ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ обСзврСТивания;

3. БиологичСскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (Biological Technology):

3.1. БиологичСскиС Π°Π³Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ (БА) ΠΈ ΠΈΡ… производство;

3.2. Бтабилизация состояний БА, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ распространСниС;

3.3. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ обнаруТСния ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ БА, систСмы прСдупрСТдСния ΠΈ оповСщСния;

3.4. БиологичСская Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΈ ликвидация послСдствий;

4. БиомСдицинскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (Biomedical Technology):

4.1. ГСнСтичСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΈ вирус-ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ частицы;

4.2. Π“Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌ ΠΏΠ°Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½ΠΎΠ²;

5. Π₯имичСскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ (Chemical Technology):

5.1. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ химичСских ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²;

5.2. БрСдства обнаруТСния Π₯Π’, ΠΈΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ систСмы прСдупрСТдСния ΠΎΠ± опасности;

5.3. БистСмы ΠΈ срСдства химичСской Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹;

6. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ систСм Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ энСргии (Directed Energy Systems Technology):

6.1. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ€ΡƒΠΆΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ Π‘Π’Π§-боСприпасы;

6.2. Π›Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ€ΡƒΠΆΠΈΠ΅;

7. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ энСргСтичСских систСм (Energy Systems Technology):

7.1. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ энСргии;

7.2. ГСнСрация ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ энСргии;

7.3. Π₯Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии;

7.4. Π Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ систСмы, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргоснабТСниСм ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ охлаТдСния;

8. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ элСктроники (Electronics Technology):

8.1. ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π½Π°Ρ элСмСнтная Π±Π°Π·Π°;

8.2. ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ для элСктроники;

8.3. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅;

8.4. ЭлСктронная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° основного назначСния;

8.5. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ усилитСли;

9. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½Π°Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΉ самоходной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ (Ground Systems Technology):

9.1. Π‘Π°ΠΌΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ (ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅) Π½Π°Π·Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ комплСксы Π½Π° ΠΈΡ… основС;

9.2. ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈ бронСтанковая Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°;

9.3. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ТивучСсти;

10. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСм (Information Systems Technology):

10.1. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ получСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…;

10.2. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…;

10.3. Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ процСссы ΠΈ ΠΈΡ… интСграция;

10.4. Π§Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΠΎ-ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹Π΅ интСрфСйсы ΠΈ срСдства Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ;

10.5. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ срСдства Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ;

10.6. Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (дСйствия);

11. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, оптичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства (Lasers, Optics and Sensors Technology):

11.1. Π›Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹;

11.2. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ элСмСнты ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹;