Читать онлайн «OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей». Страница 99

Полевой транзистор JFET, как показано на рис. D.3, смоделирован как встроенный полевой транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком. Другое омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком.

Рис. D.3. Модель полевого транзистора JFET

K — связанные катушки индуктивности (трансформатор на магнитопроводе)

K<имя> L<имя катушки индуктивности> <L<имя катушки индуктивности>> * <значение коэффициента связи>

K<имя> L<имя катушки индуктивности> * <значение коэффициента связи> <имя модели> [размеры]

Имя параметра (только для нелинейных компонентов) Параметр Значения по умолчанию Единицы AREA Среднее сечение магнитопровода 0,1 см² PATH Средняя длина магнитной линии 1 см GAP Эффективная длина воздушного зазора 0 см PACK Коэффициент заполнения магнитопровода 1   MS Напряженность насыщения 1Е+6 А/м ALPHA Коэффициент усреднения поля 0,001   A Параметр формы кривой намагничивания 1000 А/м С Постоянная упругого смещения доменов 0,2   К Постоянная подвижности доменов 500  

K<имя> называет компонент, состоящий из двух или более магнитно-связанных катушек индуктивности. Точкой обозначают первые (положительный) узел каждой катушки индуктивности. Если задано <имя модели>, то компонент представляется моделью, в которой:

а) катушка индуктивности представляет собой нелинейное устройство с магнитопроводом;

б) характеристики ВН основаны на модели Jiles-Atherton*;

в) значения L указывают число витков соответствующей обмотки;

г) необходима директива ввода модели, чтобы определить ее параметры.

L — катушка индуктивности

L<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы L Коэффициент, на который умножается емкость 1   IL1 Линейный коэффициент тока 0 А-1 IL2 Квадратичный коэффициент тока 0 А-2 TCI Линейный коэффициент температуры 0 °C-1 ТС2 Квадратичный коэффициент температуры 0 °C-2

Если [имя модели] отсутствует, то <значение> представляет собой индуктивность в генри. Если [имя модели] задано, то индуктивность вычисляется по формуле

<Значение> L (I + IL1·I + IL2·I²)(I + TC1(T – Tnom) + ТС2(Тм – Tnom)²),

где Tnom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.

М — МОП-транзистор

М[имя] <узел стока> <узел управляющего электрода> <узел истока> <узел корпуса/подложки> <имя модели> [L = значение] [W = значение] [AD = значение] [AS = значение] [PD = значение] [NRD = значение] [NRS = значение] [NRG = значение] [NRB = значение]

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы LEVEL Тип модели (1, 2 или 3) 1   L Длина канала DEFL м W Ширина канала DEFW м LD Длина области боковой диффузии 0 В WD Ширина области боковой диффузии 0 В VTO Барьерный потенциал 0 В KP Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением 2Е-5 А/В² GAMMA Коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение 0 В0.5 PHI Поверхностный потенциал 0,6 В LAMBDA Константа, учитывающая модуляцию длины канала (для моделей 1 и 2) 0 В-1 RG Омическое сопротивление затвора 0 Ом RD Омическое сопротивление стока 0 Ом RS Омическое сопротивление истока 0 Ом RB Омическое сопротивление подложки 0 Ом RDS Сопротивление утечки сток-исток Бесконечно большое А RSH Удельное сопротивление диффузионных областей стока и истока 0 Ом/кв IS Ток насыщения pn-перехода сток(исток)-подложка 1Е-14 А PB Потенциал приповерхностного слоя подложки 0,8 В JS Плотность тока насыщения pn-перехода сток(исток)-подложка 0 А/м² CBD Емкость перехода сток-подложка при нулевом смещении 0 Ф CBS Емкость перехода исток-подложка при нулевом смещении 0 Ф CJ Удельная емкость перехода сток(исток)-подложка при нулевом смещении (на единицу площади перехода) 0 Ф/м² CJSW Удельная емкость боковой поверхности перехода сток(исток) — подложка при нулевом смещении (на единицу длины периметра перехода) 0 Ф/м MJ Градиентный коэффициент нижнего pn-перехода 0,5 Ф MJSW Градиентный коэффициент боковой части pn-перехода 0,33 Ф FC Коэффициент емкости перехода подложки при прямом смещении 0,5   CGSO Удельная емкость перекрытия затвор-сток (на единицу ширины) 0 Ф/м CGDO Удельная емкость перекрытия затвор-исток (на единицу ширины) 0 Ф/м CGBO Удельная емкость перекрытия затвор-подложка (на единицу ширины) 0 Ф/м NSUB Плотность легирования подложки 0 см-3 NSS Плотность медленных поверхностных состояний 0 см-2 NFS Плотность быстрых поверхностных состояний 0 см-2 TOX Толщина оксидного слоя бесконечно большая м TPG Тип материала затвора: +1 противоположен типу подложки, -1 такой, как в подложке, 0 алюминий     XJ Глубина металлургического перехода 0 м UO Поверхностная подвижность 600 см²/В×с UCRIT Напряженность критического снижения подвижности (для LEVEL = 2)     UEXP Показатель степени критического снижения напряженности (для LEVEL = 2)     UTRA (Не используется) напряженность критического снижения поперечное подвижности     VMAX Максимальная скорость дрейфа 0 м/с NEFF Коэффициент заряда канала (для LEVEL = 2) 1     XQC Часть заряда канала, определяемая стоком 1   DELTA Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение 0   THETA Коэффициент модуляции подвижности (для LEVEL = 3) 0 В-1 ETA Коэффициент статической обратной связи (для LEVEL = 3) 0   KAPPA Коэффициент насыщения поля (для LEVEL = 3) 0,2   KF Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума 0   AF Показатель спектральной плотности фликкер-шума 1  

МОП-транзистор, который показан на рис. D.4, смоделирован как встроенный МОП-транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, омическим сопротивление RS, включенным последовательно с истоком, омическим сопротивлением RG последовательно с затвором и омическим сопротивлением RB последовательно с подложкой. Сопротивление утечки RDS подключено параллельно каналу (сток-исток).