Читать онлайн «OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей». Страница 100

МОП-транзистор, который показан на рис. D.4, смоделирован как встроенный МОП-транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, омическим сопротивление RS, включенным последовательно с истоком, омическим сопротивлением RG последовательно с затвором и омическим сопротивлением RB последовательно с подложкой. Сопротивление утечки RDS подключено параллельно каналу (сток-исток).

Рис. D.4. Модель МОП-транзистора

Q — биполярный транзистор

Q<имя> <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера> <[узел подложки]> <имя модели> [площадь]

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы IS Ток насыщения pn-перехода 1Е-16 А BF Максимальный прямой коэффициент усиления для идеального транзистора 100   NF Коэффициент эмиссии тока при прямом смещении 1   VAF(VA) Напряжение Эрли при прямом смещении Бесконечно большое В ISE (C2) Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер 0 А IKF (IK) Ток, соответствующий перегибу в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора Бесконечно большое А NE Коэффициент неидеальности перехода база-эмиттер 1,5   BR Максимальный коэффициент усиления для идеального транзистора в инверсном режиме 1   NR Коэффициент неидеальности в инверсном режиме 1   VAR (VB) Напряжение Эрли в инверсном режиме Бесконечно большое В IKR Ток, соответствующий точке перегиба в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора Бесконечно большое А ISC (C4) Ток насыщения утечки перехода база-коллектор 0 А NC Коэффициент неидеальности коллекторного перехода 2,0   RB Объемное сопротивление базы при нулевом смещении (максимальное) 0 Ом RBM Минимальное сопротивление базы RB Ом RE Омическое сопротивление эмиттера 0 Ом RC Омическое сопротивление коллектора 0 Ом CJE Емкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении 0 Ф VJE(PE) Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер 0,75 В MJE(ME) Градиентный коэффициент перехода база-эмиттер 0,33   CJC Емкость перехода база-коллектор при нулевом смещении 0 Ф VJC Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор 0,75 В MJC (МС) Градиентный коэффициент перехода база-коллектор 0,33   XCJC Доля Cbc, связанная с Rb 1   CJS Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении 0 Ф VJS(PS) Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка 0,75   MJS (MS) Градиентный коэффициент перехода коллектор-подложка 0   FC Коэффициент конденсатора истощения прямого смещения 0,5   TF Прямое время пролета для идеального транзистора 0 с XTF Коэффициент для времени пролета 0   VTF Напряжение, характеризующее зависимость времени пролета от Vbc Бесконечно большое В ITF Ток, характеризующий зависимость времени пролета от Vbc 0 А PTF Дополнительный сдвиг фазы при частоте I/(2πTF) Гц 0 ° TR Время обратного пролета для идеального транзистора 0 с EG Напряжение ширины запрещенной зоны (высота барьера) 1,11 эВ XTB Температурный коэффициент для BF и BR 0   XTI Температурный коэффициент для IS 3   KF Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума 0   AF Показатель спектральной плотности фликкер-шума 1  

BJT, что видно из рис. D.5, смоделирован как встроенный транзистор с омическим сопротивлением RC, включенным последовательно с коллектором, с переменным сопротивлением последовательно с базой и омическим сопротивлением RE последовательно с эмиттером. Узел подложки не обязателен, по умолчанию он заземляется, если не оговаривается другое соединение.

Рис. D.5. Модель полевого транзистора BJT

R — резистор

R<name> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение>

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы R Множитель для определения сопротивления 1   TCI Линейный температурный коэффициент 0 °С ТС2 Квадратичный температурный коэффициент 0 °C ТСЕ Экспоненциальный температурный коэффициент 0 %°C

Если [имя модели] включено в директиву, а ТСЕ не определен, то сопротивление вычисляется по формуле

<значение> R(1 + TC1(Т – Tnom) + ТС2(Т – Tnom)²), где Tnom — номинальная температура.

Если же [имя модели] включено в директиву и определен параметр ТСЕ, то сопротивление вычисляется по другой формуле

<значение> R·1,01TCE(T – Tnom)

S — Ключ, управляемый напряжением

S[имя] <+узел ключа> < -узел ключа> <+узел управления> <-узел управления> <имя модели>

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы RON Сопротивление во включенном состоянии 1 Ом ROFF Сопротивление в выключенном состоянии 1Е6 Ом VON Управляющее напряжение при включении 1 В VOFF Управляющее напряжение при выключении 0 В

Обратите внимание на то, что сопротивление при переключениях плавно изменяется от значения RON до значения ROFF или обратно.

Т - линия передачи

Т[имя] <+узел порта А> <-узел порта А> <+узел порта В> <-узел порта В> <ZO = значение> [ТО = значение] [F= значение] [NL = значение]

ZO — характеристическое сопротивление, F частота и NL — относительная длина волны со значением по умолчанию 0,25 (следовательно F в 4 раза больше f).

Линия передачи, как показано на рис. D.6, моделируется как двунаправленная линия задержки с двумя портами: портом А с узлами 1 и 2, находящимся слева, и портом В с узлами 3 и 4, находящимся справа.

Рис. D.6. Модели линии передачи

V — независимый источник напряжения

V[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <значение>] [АС<значение> [фаза] [спецификация формы напряжения]

Если имеется [спецификация формы напряжения] она должна быть одной из следующих: EXP(), PULSE(), PWL(), SFFM() или SIN().

W — переключатель, управляемый током

W<имя> <+узел ключа> <-узел ключа> <имя управляющего источника V> <имя модели>

Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы RON Сопротивление во включенном состоянии 1 Ом ROFF Сопротивление в выключенном состоянии 1Е6 Ом VON Управляющий ток при включении 0,001 А VOFF Управляющий ток при выключении 0 А

Обратите внимание на то, что сопротивление при переключениях плавно изменяется от значения RON до значения ROFF или обратно.

X — вызов подсхемы

X<имя> [<узел>] * <имя подсхемы> [PARAMS:<параметру = <значение> *>]