Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ БовСтская ЭнциклопСдия (Π­Π›)Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 71

Автор Π‘Π‘Π­ Π‘Π‘Π­

  Если ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ частицы обусловлСн Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ спином элСктрона S = 1 /2 , Ρ‚ΠΎ m = gs bMs , Π³Π΄Π΅ gs = 2,0023 β€” Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ спСктроскопичСского расщСплСния для свободного элСктрона, b β€” ΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚ΠΎΠ½ Π‘ΠΎΡ€Π°, a Ms β€” ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ число , ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ значСния Β± 1 /2 . Π’ΠΎ внСшнСм статичСском ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ Н эти элСктроны ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° 2 Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ с энСргиями β€” gs bH/ 2 ΠΈ + gs bH/ 2. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ H 1 ^H . УсловиС рСзонанса записываСтся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅:

. (2)

  Π­Ρ‚ΠΎ условиС эквивалСнтно ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ рСзонанса (1), Ρ‚. ΠΊ. g = 2pgs b/h. РаспрСдСлСниС элСктронов ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя уровнями энСргии описываСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°:

                (3)

  Π³Π΄Π΅ N 1 ΠΈ N 2 β€” числа элСктронов, находящихся Π½Π° Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ уровнях, Π’β€” Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°, k β€” Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π° постоянная . Под дСйствиСм элСктромагнитного поля h 1 происходит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ элСктронов с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ, ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ направлСния спина.

  ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ с Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ уровня Π½Π° Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ элСктромагнитная энСргия поглощаСтся, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ излучаСтся. Π’Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этих процСссов ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Π°, Π½ΠΎ Ρ‚. ΠΊ. Π² условиях равновСсия Π½Π°ΡΠ΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ уровня большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ, происходит ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии (рис. 2 ). Если ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ искусствСнным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€ΡΠΈΡŽ насСлённостСй , Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм элСктромагнитного поля систСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π² основу Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… усилитСлСй .

  ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠ·ΠΌ частиц обусловлСн суммарным Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΌ ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ спинового ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… элСктронов; ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π² кристаллах Π½Π° эти элСктроны Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС поля ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² (Π»ΠΈΠ³Π°Π½Π΄ΠΎΠ²). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ описаниС строСния спСктров ЭПР Π² этом случаС β€” слоТная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π°. Для расчёта спСктров ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ полуэмпиричСский ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ А. Абрахамом (Ѐранция) ΠΈ Π₯. М. Π›. ΠŸΡ€Π°ΠΉΡΠΎΠΌ (БША) Π² 1951, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ спинового Π³Π°ΠΌΠΈΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠ°Π½Π°. ΠŸΡ€ΠΈ ЭПР происходят ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΆΠ°Ρ‰ΠΈΠΌΠΈ уровнями. Расчёт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ энСргии Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ упрощаСтся, Ссли ввСсти эффСктивный спин S , Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСляСтся числом n Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΆΠ°Ρ‰ΠΈΡ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ: n =2S + 1. Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΡΡŽΡ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ частицы обусловлСн Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ S . Π’ΠΎΠ³Π΄Π° энСргия уровня E =g bMsH, Π³Π΄Π΅ Ms ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ (2S + 1) Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ: S, (S β€” 1),...... β€” (S β€” 1), β€” S . Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° g -Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сущСствСнно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ g -Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° свободного элСктрона gs . ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ уровнями, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ ΠΏΠΎ Ms Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ DMs = Β± 1, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΄ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΈ условия рСзонанса ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ (2) с gs = g. Если S > 1 /2 , Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ энСргии с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ |Ms | ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡ‰Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Н = 0, ΠΈ Π² спСктрС ЭПР появляСтся нСсколько Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ поглощСния (тонкая структура спСктра ЭПР, рис. 3 , Π°).

  ВзаимодСйствиС элСктронов с ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ ядра ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ появлСнию Π² спСктрС ЭПР свСрхтонкой структуры. Если спин ядра I , Ρ‚ΠΎ количСство свСрхтонких ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 2I + 1, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° DMI = 0, Π³Π΄Π΅ MI β€” ядСрноС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ число (рис. 3 , Π±). ВзаимодСйствиС элСктронов ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ частицы с ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ядСр ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ расщСпляСт линию ЭПР (супСрсвСрхтонкая структура, рис. 4 ) Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свСрхтонкого ΠΈ супСрсвСрхтонкого взаимодСйствия Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ мСста нахоТдСния нСспарСнных элСктронов.

  ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Π°Ρ рСлаксация. Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ. РСлаксационныС процСссы, Π²ΠΎΡΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ равновСсиС Π² систСмС элСктронных спинов, Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ поглощСния элСктромагнитной энСргии, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π°ΠΌΠΈ рСлаксации T 1 ΠΈ T 2 . Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ поглощСния Dv связана с Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π°ΠΌΠΈ рСлаксации ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

Dn = (1/ T 1 ) + (1/ T 2 ). (4)

  Π’ классичСском рассмотрСнии Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π° T 1 ΠΈ T 2 Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π°ΠΌΠΈ рСлаксации, Ρ‚. ΠΊ. ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ врСмя восстановлСния равновСсного полоТСния ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° намагничСнности . Π’. ΠΊ. восстановлСниС равновСсной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ намагничСнности происходит благодаря Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц (спин-спиновоС взаимодСйствиС ), Ρ‚ΠΎ T 1 называСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ спин-спиновой рСлаксации. ВосстановлСниС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ обусловлСно взаимодСйствиСм ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц с колСбаниями кристалличСской Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠΈ (спин-Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ взаимодСйствиС). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ врСмя T 1 называСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ спин-Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ рСлаксации. Оно Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ восстановлСния равновСсия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ спиновой систСмой ΠΈ колСбаниями Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ.

  Π‘ΠΏΠΈΠ½-спиновоС взаимодСйствиС состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…: диполь-дипольного ΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствий . Π›ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅, Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ частицу, складываСтся ΠΈΠ· внСшнСго поля Н ΠΈ поля Н Π” , создаваСмого диполями (ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ) сосСдних ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц. ПолС Н Π” измСняСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅, Ρ‚. ΠΊ. измСняСтся Π½Π°Π±ΠΎΡ€ сосСдних ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ЭПР. ОбмСнноС взаимодСйствиС, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, стрСмится ΡƒΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ направлСния спинов ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Β«Ρ…Π°ΠΎΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΒ» ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… частиц. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Β«ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽΒ» Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ЭПР.

  ДвиТСния ядСр ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ„Π»ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ†ΠΈΠΈ элСктричСского поля, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ появлСнию Ρ„Π»ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ†ΠΈΠΉ локального ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΠΊ ΡƒΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ ЭПР. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° спин-Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Ρ‚. ΠΊ. ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠΈ ядСр. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° спин-спинового взаимодСйствия ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ практичСски Π½Π΅ зависит. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² с большим Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΌ ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° линию ЭПР удаётся Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ…. Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ ЭПР Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ достаточно ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктромагнитного поля (10-2 β€”10-3 Π²Ρ‚ ), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π΅ΡΡ состояниС ΠΌΠ°Π»ΠΎ отличаСтся ΠΎΡ‚ равновСсного. Если ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ° ΠΈ рСлаксационныС процСссы Π½Π΅ Π² состоянии Π²ΠΎΡΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ равновСсноС распрСдСлСниС, Ρ‚ΠΎ насСлённости ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ наступаСт насыщСниС, ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ поглощСния (см. ΠšΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ элСктроника ). Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ насыщСния ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для измСрСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ‘Π½ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ рСлаксации.

  Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹. ЭПР Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π‘Π’Π§. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ поглощСния энСргии увСличиваСтся с ростом частоты, Ρ‚. ΠΊ. Π² соотвСтствии с (3) ΠΏΡ€ΠΈ этом увСличиваСтся Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² насСлённости ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ. Достаточно высокая Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° достигаСтся Π½Π° частотС v = 9000 ΠœΠ³Ρ†. Π­Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Н = 3200 э (Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля, Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ получаСмая Π² Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… условиях). ИспользованиС ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… элСктромагнитов ΠΈ свСрхпроводящих солСноидов позволяСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° частотах Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ n= 150000 ΠœΠ³Ρ† (Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ l = 2 ΠΌΠΌ ).

  Для измСрСния поглощСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ радиоспСктромСтры (спСктромСтры ЭПР), Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ постоянной частотС ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ внСшнСго ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля рСгистрируСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π΅ мощности. Π’ спСктромСтрах ЭПР прямого усилСния высокочастотныС колСбания ΠΎΡ‚ клистрона ΠΏΠΎ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ~ l), ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ полюсами элСктромагнита. ΠŸΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ элСктромагнитныС Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° кристалличСский Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ИзмСнСниС ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π΅ мощности рСгистрируСтся ΠΏΠΎ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ спСктромСтра внСшнСС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с частотой 30 Π³Ρ† β€” 1 ΠœΠ³Ρ†. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π΅ поглощСния ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π‘Π’Π§-Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ сигнал усиливаСтся, дСтСктируСтся ΠΈ подаётся Π½Π° Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство (осциллограф ΠΈΠ»ΠΈ самописСц). ΠŸΡ€ΠΈ этом записываСмый сигнал ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ поглощСния (рис. 4 ). Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ спСктромСтра ЭПР опрСдСляСтся ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² усилитСля. Π’ супСргСтСродинных спСктромСтрах Π½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ подаётся ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ клистрона. Частота ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… этим клистроном, отличаСтся ΠΎΡ‚ частоты сигнального клистрона. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» с Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° усиливаСтся Π½Π° разностной частотС 30β€”100 ΠœΠ³Ρ†.