Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ питания для IBM PCΒ». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 46

Автор АлСксандр ΠšΡƒΠ»ΠΈΡ‡ΠΊΠΎΠ²

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ усилитСля DA4 Π² схСмС Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ выполняСтся слСТСниС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π·Π° Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡƒΠ·Π»Ρ‹ контроля состояния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° микросхСму TL494 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ DA1, соСдинСнный с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 4 этой микросхСмы.

К Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ TL494/4 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ схСмы Β«ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎΒ» запуска, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ каскад, ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ схСму Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² источника питания. Β«ΠœΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉΒ» запуск обСспСчиваСтся Π·Π° счСт примСнСния Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½Π° кондСнсаторС C2 ΠΈ рСзисторС R14. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом систСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ являСтся транзистор Q2. К Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎ схСмС Β«ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π›Π˜Β» ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Q1. К Π±Π°Π·Π΅ этого транзистора подсоСдинСн рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ R7 ΠΈ R8. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС рСзистор R7 дСлитСля Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор C1 соСдинСн с шиной питания микросхСмы TL494. Когда Π½Π° этой шинС появляСтся ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС, Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Q1 Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠΌ транзистор Q1 открываСтся, ΠΈ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ пСрСзарядки кондСнсатора C1 Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ поддСрТиваСтся напряТСниС, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ напряТСния Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ всСх напряТСний питания каскадов Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ микросхСмы ШИМ управлСния – TL494. Благодаря Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора Q1, Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ появлСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ TL494/4. Волько послС появлСния Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π² цСпях Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² транзистор Q1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ остаСтся Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° источника питания. Π—Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ транзистор Π½Π΅ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада систСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π½Π° Q2.

Π Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ состояниС источника питания сохраняСтся Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Q2 Π½Π΅ появится ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D4 пСрСдаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ TL494/4. Π‘ появлСниСм этого напряТСния прСкращаСтся Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС достаточного уровня для Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ микросхСмы TL494 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Q2, Ссли ΠΎΠ½ окаТСтся Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии. Π‘Π°Π·Π° транзистора Q2 постоянно ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ, поэтому для поддСрТания Π΅Π³ΠΎ Π² проводящСм состоянии Π½Π° эмиттСрС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ установлСн ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ -0,7… -0,8 Π’. Для формирования Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ схСма, состоящая ΠΈΠ· элСмСнтов D9, R21, R22, R13 ΠΈ D6. На Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ D9 ΠΈ рСзисторС R22 собран Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ фиксации ΠšΠ—, Π° Π½Π° стабилитронС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ уровня напряТСния ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ +12 Π’. Если ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСний ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D9 ΠΈ рСзистора R22 напряТСниС составляСт -5,8 Π’. Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния, состоящим ΠΈΠ· рСзисторов R13 ΠΈ R21, Π½Π° эмиттСрС транзистора Q2 устанавливаСтся напряТСниС -0,7. -0,8 Π’. Пока ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ +12 Π’ находится Π² допустимых ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…, Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ стабилитрона D6 Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзисторного каскада Π½Π° Q2 влияния Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Q2 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² случаС Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ падСния уровня любого ΠΈΠ· Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ напряТСний. ΠŸΡ€ΠΈ этом напряТСниС Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D9 приблизится ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ отразится Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ напряТСния Π½Π° эмиттСрС Q2. Вранзистор закроСтся, ΠΈ напряТСниС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника ΠΎΡ‚ TL494/14 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D4 поступит Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ TL494/4. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ условиС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ окаТСтся достаточным для увСличСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° эмиттСрС Q2, β€“ рост напряТСния ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ +12 Π’ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ уровня стабилизации стабилитрона D6, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ составляСт 15 Π’. Если это условиС выполняСтся, Ρ‚ΠΎ, нСсмотря Π½Π° Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ состояниС напряТСний ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° эмиттСрС Q2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Вранзистор закроСтся, ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ заблокируСтся микросхСма TL494.

Наряду с рассмотрСнными каскадами ΠΊ эмиттСру Q2 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания ΠΏΠΎ основным Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… DA1 ΠΈ DA2 ΠΈΠ· состава микросхСмы LM339. На Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² установлСн ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, сформированный ΠΎΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ TL494/14. На ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Ρ‹ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ уровням Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ +5 ΠΈ +12 Π’. Π’ исходном состоянии ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… DA1/7 ΠΈ DA2/5 Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ эмиттСру Q2 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ развязки. ПадСниС напряТСния Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… основных ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ… Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ развязки D2 ΠΈΠ»ΠΈ D3 ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D5 ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС поступит Π½Π° эмиттСр Q2, вызывая Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅. Π‘ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° запирания транзистора Q2 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… элСмСнтов микросхСмы TL494, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ приводят ΠΊ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΡ‚ΠΎΡ‡ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.

Π›ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° микропроцСссорной систСмы ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΅Π΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования трСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания, Π½ΠΎ ΠΈ слуТСбных сигналов. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сигнал высокого логичСского уровня для информирования Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ систСмы ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСния питания приняли номинальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ свою Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ. Π’ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 3.2, ΡƒΠ·Π»ΠΎΠΌ Π½Π° транзисторС Q7 вырабатываСтся сигнал Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» (POWERGOOD). Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора Q7. Π’ исходном состоянии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚, каскад Π½Π° Q7 обСсточСн. ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора Q7 осущСствляСтся ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ срабатывания каскада Π½Π° этом транзисторС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΡƒΠ·Π»Π° Π½Π° транзисторС Q2. Базовая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора Q7 соСдинСна с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· элСктролитичСский кондСнсатор C22. ПоявлСниС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ этого ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сопровоТдаСтся Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ C22. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R36 поступаСт Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Q7. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ транзистора Q7 соСдинСн с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, поэтому Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ транзистор. Когда ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ увСличиваСтся Π΄ΠΎ уровня 0,7. 0,8 Π’, транзистор Q7 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² насыщСниС ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ логичСского уровня. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ заряда кондСнсатора C22 напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Q7 сниТаСтся ΠΈ ΠΎΠ½ закрываСтся. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора возрастаСт Π΄ΠΎ уровня питания, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ +5 Π’. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ источника питания. Если Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ появляСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ источника питания, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ кондСнсатор C22. Π’ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ускорСнного разряда кондСнсатора Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D23, ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сопротивлСния рСзистивного дСлитСля Π½Π° R36 ΠΈ R37. Разряд этого кондСнсатора послС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктропитания осущСствляСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D23, минуя рСзистивныС элСмСнты.

БущСствуСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ схСм формирования сигнала POWERGOOD. Они ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ схСмотСхники ΠΈ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ нСсколько ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Для формирования сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто примСняСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ микросхСма Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LM339, структурная схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ прСдставлСна Π½Π° рис. 3.20. Π Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° для исполнСния Π² пластиковом корпусС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° DIP.

Рис. 3.20. Бтруктурная схСма микросхСмы LM339

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° содСрТит Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСний. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады Π² Π½ΠΈΡ… содСрТат транзисторныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ источнику ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания Π½Π° всС элСмСнты микросхСмы подаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 3. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ схСмы, соСдинСнный с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 12, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΡƒ источника питания.

Высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» устанавливаСтся ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½. Π’ схСмотСхникС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ нСсколько способов формирования сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β». Оно ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ прямым ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ устройством Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ +5 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ каскада, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ нарастания основного напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ схСмы ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ PG. Π’ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 3.21, гСнСрация сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» происходит Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ косвСнной ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ уровня напряТСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’.

Рис. 3.21. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° формирования сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» (Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ 1)

Π’ элСктронном каскадС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ· состава микросхСмы LM339 ΠΈ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π½Π° Q1. Благодаря ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° шинС PG, сигнал ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ступСнчатый Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ с ΠΊΡ€ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΈΠΌ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ нСустойчивая Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, возмоТная ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠΌ нарастании ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ².

Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы напряТСниС питания появляСтся Π½Π° микросхСмС ШИМ прСобразоватСля – TL494. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΉ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ TL494/14 Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ стабилизированноС напряТСниС +5 Π’, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° R3, R4 подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля DA3 микросхСмы TL494. Пока Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ напряТСниС Π½Π΅ достигнСт номинального значСния, напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля DA3 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ TL494/3 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π±Π°Π·Π° эмиттСрного повторитСля напряТСния. Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ с этого Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° микросхСмы пСрСдаСтся Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° микросхСмы LM339. На Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ выставлСн ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния, снимаСмый с рСзистивного дСлитСля напряТСния Π½Π° рСзисторах R9 ΠΈ R10. РСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ TL494/14 ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ LM339/6 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, установлСнный Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 7. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅. Π’ процСссС Β«ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎΒ» запуска источника питания происходит постСпСнноС ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ пСрСдаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ TL494/1 Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля ошибки DA3. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ усилитСля DA3 Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ происходит ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Оно ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ достигаСт уровня, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ открываСтся Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ каскады микросхСмы TL494, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Q1. ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния повторяСтся Π½Π° эмиттСрС Q1 ΠΈ пСрСдаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ 7 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° микросхСмы LM339. Когда напряТСниС Π½Π° этом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ сравняСтся с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ, установлСнным Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 6, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 1 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° появляСтся с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° установки Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ… источника питания. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° обСспСчиваСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊ эмиттСру транзистора Q1 элСктролитичСского кондСнсатора C2. Заряд Π½Π° кондСнсаторС нарастаСт ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ, Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ появлСния высокого уровня сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Смкости кондСнсатора C2, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ рСзистора R7, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ происходит процСсс заряда. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, данная схСма Π½Π΅ содСрТит элСмСнтов слСТСния Π·Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ напряТСния нСпосрСдствСнно Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ (Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ усилитСля DA3 микросхСмы TL494). РСшСниС ΠΎ достиТСнии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ принимаСтся ΠΏΠΎ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ сигнала Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ TL494/3 Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΈΡ… Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ микросхСмой TL494.