Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ питания для IBM PCΒ». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 44

Автор АлСксандр ΠšΡƒΠ»ΠΈΡ‡ΠΊΠΎΠ²

АналогичноС воздСйствиС Π½Π° транзисторныС каскады схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ уровня любого ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ напряТСний, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ схСмС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D3 ΠΈ рСзистор R7. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΡƒΠ·Π»Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠšΠ— ΠΏΠΎ слаботочным ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ основан Π½Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы, основным элСмСнтом ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ являСтся Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D2. Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСний ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора Q1. ΠšΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² D2 ΠΈ D5 соСдинСны ΠΏΠΎ схСмС Β«ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π›Π˜Β». ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π½Π° Q1 ΠΈ Q2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ, Ссли Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² появится ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», достаточный для открывания транзистора Q1. ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ основных ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ², ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния укладываСтся Π² допуск, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D2. Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π½Π° Π°Π½ΠΎΠ΄Π΅ D2 опрСдСляСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСний рСзисторов R6 ΠΈ R5. Π’ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния рСзистора R7 ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D3 напряТСниС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ -5,8 Π’. РСзистор R5 ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ источнику ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния микросхСмы TL494 с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ +5 Π’, Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ – ΠΊ Π°Π½ΠΎΠ΄Ρƒ D2. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D2 Π½Π΅ поступало ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π°Π½ΠΎΠ΄Π΅ D2 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Для большСй Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» выбираСтся ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ. Для поддСрТания Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ уровня Π½Π° Π°Π½ΠΎΠ΄Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D2, Ρƒ рСзистора R6 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сопротивлСниС Π½Π° 15 % большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ R5. Π’ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° всС напряТСния ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, элСмСнты, соСдинСнныС с D2, Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° состояниС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзисторной схСмы. Если Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² -5 ΠΈΠ»ΠΈ -12 Π’ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ситуация, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ происходит Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ этих напряТСний, происходит пСрСраспрСдСлСниС напряТСний Π² Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ ΠΈΠ· R5 ΠΈ R6. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника, Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ соСдинСния этих рСзисторов ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. На Π°Π½ΠΎΠ΄ D2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R5, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€ΠΎΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D2, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π° транзисторных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° Q1 ΠΈ Q2. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ появлСнию напряТСния +3,9 Π’ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 4 микросхСмы TL494 ΠΈ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ШИМ прСобразоватСля ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ источника питания.

Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ описания схСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 3.16, слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ D1, D2 ΠΈ D5 Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ элСмСнтов развязки ΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ влияниС Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ напряТСний, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ… источника питания.

Один ΠΈΠ· Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΡƒΠ·Π»Π° ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ источника питания ΠΏΠΎ основным ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… напряТСний прСдставлСн Π½Π° рис. 3.17.

Рис. 3.17. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΡƒΠ·Π»Π° комплСксной Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ 3)

Главная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ· Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ элСмСнты, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² каскадах Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ слаботочных ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями напряТСний. Π£Π·Π΅Π» состоит ΠΈΠ· Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСний ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ +5 Π’ ΠΈ +12 Π’. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° функционирования ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ². Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ схСмотСхничСскоС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использовано Π² источникС питания, Π³Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ стабилизация Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… напряТСний. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ стабилизаторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ схСмы ограничСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² случаС возникновСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ корпуса стабилизатора.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ сигнала ΠΎΠ± ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля ΠΎΡ‚ номинального Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° схСма Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сигнал ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ уровня, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ подаСтся Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 4 микросхСмы TL494. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ элСмСнты ШИМ прСобразоватСля для Π΅Π³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сигнала ΠΎ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° производится двухкаскадным усилитСлСм Π½Π° транзисторах Q1 ΠΈ Q2. Π’ исходном состоянии ΠΎΠ±Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 4 схСмы TL494 задаСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСний рСзистивного дСлитСля ΠΈΠ· R10 ΠΈ R11. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора R10 Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ R11, поэтому Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π² отсутствиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, напряТСниС Π½Π° TL494/4 Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

Π’ качСствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ трансформатор T1 ΠΈ элСмСнты R3, VD4 ΠΈ C4. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° трансформатора T1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π² диагональ полумостового усилитСля мощности ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ силового ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора Π’2. К Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ трансформатора T1 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ выпрямитСлСм Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ D4 ΠΈ Смкостным Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠΌ – кондСнсатором C4. На кондСнсаторС C4 выдСляСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния. К рСзистору R11 ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ сопротивлСния R10 присоСдинСна Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, состоящая ΠΈΠ· рСзисторов R4, R6 ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D6. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ рСзисторов R4 ΠΈ R6 ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ колСбания напряТСния Π½Π° кондСнсаторС C4 Π½Π΅ влияли Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π½Π° рСзисторС R11. Анод Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D6 соСдинСн с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистора Q4 ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R9 с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора Q3, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ формирования сигнала Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ микросхСмы TL494. ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π°Π½ΠΎΠ΄Π΅ D6 нарастСт Π΄ΠΎ уровня Π΅Π³ΠΎ отпирания, ΠΎΠ½ΠΎ постСпСнно ΠΎΡ‚ΠΊΡ€ΠΎΠ΅Ρ‚ транзистор Q3. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора Q4 соСдинСн Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R9 с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Q3, поэтому ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сразу ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ. ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² этой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ слСдствиСм увСличСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния. ΠŸΠΎΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора Q3 сопровоТдаСтся ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π±Π°Π·Ρ‹ Q4. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния происходит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ транзистор Q4 Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Q3. Один транзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±Π°Π·Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ, процСсс открывания ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов развиваСтся Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ, ΠΈ Π² ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΡŽ Π΄Π²ΡƒΡ… транзисторов. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· насыщСнный транзистор Q4, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D4 ΠΈ рСзистор R11 ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ устанавливаСтся послС открывания Q4 Π½Π° рСзисторС R11, составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ +3,9 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Β«ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹Β» DA1, входящСго Π² состав микросхСмы TL494. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° этом ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ остановка Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… микросхСмы ШИМ прСобразоватСля. Вакая ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ дСйствий осущСствляСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ источника питания, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° систСма управлСния стрСмится ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСний, увСличивая ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния силовых транзисторов.

Π¦Π΅ΠΏΠΈ Π½Π° элСмСнтах D1 – D3, R1 ΠΈ R2 Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² увСличСния напряТСний основных Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ установлСнного ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² с напряТСниями +5 ΠΈ +12 Π’ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы Π½Π° стабилитронах D1 ΠΈ D3 соотвСтствСнно. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ свойство стабилитронов ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π½Π° Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ стабилизации. Пока напряТСния Π½Π° стабилитронах Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π½ΠΈΠΆΠ΅ уровня стабилизации, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ кондСнсатора C5 ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» останСтся Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π”ΠΈΠΎΠ΄ D5 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ воздСйствия Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Q3 Π½Π΅ оказываСтся. ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° ΠΏΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ +5 Π’ составляСт +6,3 Π’. Ѐиксация возрастания напряТСния Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ номинального значСния ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ +12 Π’ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ +15 Π’. НапряТСниС стабилизации D1 составляСт +5,1 Π’, Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D3 – + 14 Π’. Если ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… напряТСний Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² достигаСт своСго ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ уровня, Ρ‚ΠΎ происходит Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉΒ» ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ стабилитрона ΠΈ напряТСниС Π½Π° кондСнсаторС C5 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ, открывая Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D5. ΠžΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈ появлСниС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Q3 происходит, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° кондСнсаторС C5 напряТСниС достигаСт ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ уровня, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ 0,7–0,8 Π’. Если напряТСниС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚ΠΎ растСт ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Q3. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ условия для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ транзисторной схСмы Π½Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ… Q3 ΠΈ Q4. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· транзисторов открываСтся, ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 4 микросхСмы TL494 подаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС +3,9 Π’, появлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля.

Для устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора Q3 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ кСрамичСский кондСнсатор C6. Он обСспСчиваСт Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ транзисторной схСмы. Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ схСму управлСния ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ питания, благодаря Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡŽ кондСнсатора Π‘5 происходит Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторного каскада. Π”ΠΈΠΎΠ΄ D5 примСняСтся для развязки каскадов, Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… сигналы воздСйствия Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Q3 ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… проявлСниях отклонСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… напряТСний ΠΎΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ.