Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Читать онлайн «Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия». Страница 97

Автор Михаил Гук

Интерфейс микросхем флэш-памяти хорошо сочетается со стандартными сигналами, используемыми в микропроцессорных системах. Внутренние циклы стирания, записи и верификации выполняются автономно от шинных циклов внешнего интерфейса, что является существенным преимуществом перед микросхемами EPROM и EEPROM. В режиме чтения они полностью совместимы с EPROM, совпадая с ними и по расположению основных выводов.

Обозначение микросхем для изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.

Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:

♦ B5, ВС, BX, BR — Boot Block с питанием 5 В;

♦ C3 — Boot Block с питанием 3 В;

♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;

♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;

♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.

Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти

Обозначение Организация¹ 256 32 К×8 BE 512 64 К×8 BE 010 128 К×8 BE 020 256 К×8 BE 001 128 К×8 BB 002 256 К×8 BB 004 512 К×8 BB, SA 008 1 М×8 BB, SA 016 2 М×8 BB, SA 200 256 К×8/128 К×16 BB 400 512 К×8/256 К×16 BB 800 1024 К×8/512 К×16 BB 160 2 М×8/1 M×16 SA, BB 320 4 M×8/2 M×16 SA 640 8 M×8/4 M×16 SA

¹ BE — Bulk Erase (стираемые целиком), BB — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.

Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:

♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;

♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29SL — 1,8 В;

♦ Am29LV — 3 B;

♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;

♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;

♦ Am30LV — 3 В, UltraNAND;

♦ Am29F — 5 В.

Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:

♦ T — boot sector, верхний;

♦ В — boot sector, нижний;

♦ H — симметричная, защищен со старшим адресом;

♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;

♦ U (нет символа) — симметричная;

♦ J40 — число 100%-годных блоков (только для UltraNAND).

Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.

Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.

Организация и программирование флэш-памяти Intel

По организации и программированию можно выделить три поколения флэш-памяти Intel.

Микросхемы первого поколения (28F256, 28F512, 28F010, 28F020) представляют собой единый массив памяти, стираемый целиком (bulk erase). Для выполнения стирания и записи микросхемы имеют внутренний регистр команд и управляющий автомат WSM (Write State Machine). Стирание и программирование флэш-памяти возможны только при подаче на вход VPP напряжения 12 В по командам, записываемым во внутренний регистр в шинном цикле записи по сигналу WE#.

Выполнение команд инициируется записью кодов команд во внутренний регистр, для чего процессор должен выполнить команду записи в память по адресу, принадлежащему области программируемой микросхемы флэш-памяти. На микросхему при этом должны прийти сигналы СЕ# (выбор) и WE# (запись). Последующие обращения к этой области как по записи (W), так и по чтению (R) должны соответствовать исполняемой команде (табл. 7.25). В шинном цикле записи адрес (если он требуется для данной команды) фиксируется по спаду сигнала WE#, фиксация данных выполнения команды происходит по фронту WE#. Большинство команд подается безадресно (по любому адресу, принадлежащему данной микросхеме); команда верификации стирания и второй цикл команды программирования подаются по адресу требуемой ячейки. Результаты стирания и программирования считываются по адресу конкретной интересующей ячейки.

Таблица 7.25. Команды микросхем флэш-памяти Intel первого поколения

Команда Число циклов шины Первый цикл шины¹ Второй (третий) цикл шины¹ R/W Адрес Данные R/W Адрес Данные Read Memory 1 W X 00h - - - Read ID 3 W X 90h R 0(1) M_Id (D_Id) Set-up Erase/Erase 2 W X 20h W X 20h Erase Verify 2 W EA A0h R X EVD Set-up Program/Program 2 2 W X 40h W PA PD Program Verify 2 W X C0h R X PVD Reset 2 W X FFh W X FFh

¹ Здесь X обозначает несущественный адрес, M_Id и D_Id — идентификаторы производителя и устройства, EA — адрес ячейки, в которой контролируется стирание, EVD — данные, считанные при верификации стирания (должны быть FFh), PA и PD — адрес и данные программируемой ячейки, PVD — данные, считанные при верификации программирования.

Ниже описано назначение команд.

♦ Read Memory — команда чтения данных, переводящая микросхему в режим чтения, совместимый по интерфейсу с EPROM.

♦ Read ID — команда чтения идентификаторов. В последующих шинных циклах чтения по адресу 0 считывается M_Id (Manufacturer Identifier — идентификатор производителя, 89h), по адресу 1 — D_Id (Device Identifier — идентификатор устройства, для микросхем 8F256, 28F512, 28F010, 28F020 это B9h, B8h, B4h и BDh соответственно). Из этого режима микросхема выходит по записи любой другой действительной команды. Идентификаторы можно читать и путем подачи высокого напряжения на А9 (как и для EPROM).