Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Читать онлайн «Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия». Страница 82

Автор Михаил Гук

Метод параллельной идентификации начал применяться с модулями SIPP и SIMM-30 фирмы IBM. В интерфейс этих модулей были введены два дополнительных вывода, и по заземленным (на модуле) сигналам системная плата могла распознать наличие и объем установленной памяти. В SIMM-72 для идентификации предназначались 4 вывода (для ECC-модулей — 5), которые должны были нести информацию об объеме, быстродействии и типе применяемой памяти. Этот метод не выдержал натиска новых типов памяти, поскольку описать их важнейшие параметры четырьмя битами невозможно. В SO DIMM-72 используют 7 бит, в DIMM-168 первого поколения — 10, что тоже не решает проблем.

Новые модули памяти — DIMM-168 второго поколения, SO DIMM-144, DIMM-184 используют последовательную идентификацию (Serial Presence Detection). На модуль устанавливается микросхема специальной энергонезависимой памяти с последовательным доступом по двухпроводному интерфейсу I²С, хранящая исчерпывающую конфигурационную информацию. Формат конфигурационных данных стандартизован JEDEC, из доступных 256 байт под параметры пока определены только первые 32 и еще 32 зарезервированы, 64 байта отданы под информацию производителя (табл. 7.6). Основные параметры описываются в явном виде, например, временны́е — в наносекундах, количество бит адреса задается числами. Интерфейс I²С позволяет легко объединять его сигналы со всех модулей, что существенно проще, чем коммутация 4-10 линий параллельной идентификации. На разъем модулей DIMM-168 выведены 3 бита адреса SA[0:2], что позволяет разводкой этих выводов адресовать до восьми модулей с объединенными линиями синхронизации и данных. При необходимости расширения следующие восемь модулей потребуют от контроллера (чипсета) еще только одной двунаправленной или выходной линии. Адрес в SO DIMM-144 фиксирован, так что двухпроводный интерфейс позволяет опрашивать только один модуль, а каждый следующий модуль потребует по одной дополнительной линии.

Таблица 7.6. Назначение байт последовательной идентификации

Байт Назначение Стандартизованная информация о микросхеме 0 Число записанных байт конфигурационной памяти 1 Разрядность адреса микросхемы Serial PD (определяет объем конфигурационной памяти: 1–2 байта, 2–4 байта, 0Dh — 8 Кбайт) 2 Тип памяти: 00 — резерв, 01 — Std FPM, 02 — EDO, 03 — Pipelined Nibble (BEDO), 04 —SDRAM 3 Количество бит адреса строк в банке 1 (биты 0–3) и банке 2 (биты 4–7) по модулю 16 (0 — не определено, 1–1 или 16,2–2 или 17 и т. д.) Если банки одинаковые, то биты 4–7 нулевые 4 Количество бит адреса столбцов (аналогично предыдущему) 5 Количество банков (рядов микросхем) 6-7 Разрядность данных с учетом контрольных бит (если менее 255, байт 7–0) 8 Уровень напряжения интерфейса: 0 — 7TL/5B, 01 —LVTTL (не допускает 5 В), 02 — HSTL 1.5, 03 — SSTL 3.3,04 — SSTL 2.5 9 Для DRAM — RAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — минимальное время цикла (Tclk) для максимального значения CL (десятые доли не в BCD-коде) 10 Для DRAM — CAS Access time (в наносекундах). Для SDRAM — время доступа относительно тактового импульса (Тас) аналогично предыдущему 11 Схема контроля: 00 — Non-Parity, 01 — Parity, 02 — ЕСС 12 Частота (тип) регенерации: 00 — Normal (распределенный цикл 156 мкс), 01 — Reduced 0.25х (39 мкс), 02 — Reduced 0.5х (78 мкс), 03 — Extended 2x (313 мкс), 04 — Extended 4x (625 мкс), 05 — Extended 8x (125 мкс). Бит 7 является признаком саморегенерации (биты 6:0 кодируют те же периоды) 13 Разрядность микросхем основной памяти, бит. Бит 7 равен 1, если имеется второй банк с удвоенной разрядностью микросхем. Если банк один или оба банка одинаковы, бит 7 равен 0 14 Разрядность микросхем контрольных разрядов, бит (аналогично) 15-30 Детальное описание временных и организационных параметров SDRAM 31 Объемы банков (рядов микросхем): бит 0–4 Мбайт, бит 1–8 Мбайт, бит 7 — 512 Мбайт, единичное значение устанавливается в одном или нескольких (двух) битах 32-35 Время предварительной установки и удержания входных сигналов 36-61 Резерв 62 Ревизия SPD (две BCD-цифры) 63 Контрольная сумма байт 0-62 по модулю 256 Информация изготовителя 64-71 Идентификатор производителя по JEDEC 72 Код страны производителя 73-90 Код изделия (ASCII) 91-92 Код модификации 93-94 Дата изготовления (wwyy — неделя, год) 95-98 Серийный номер 99-127 Специальные данные изготовителя 126 Спецификация частоты (для Intel) DIMM SDRAM. Частота 66 МГц задается кодом 66h, более высокие значения — числом МГц (100 = 64h) 127 Детализация для SDRAM 100 МГц (для Intel)

Байты 128–255 конфигурационной памяти свободны. Эту область в принципе можно занимать для пометки компьютера (точнее, модуля памяти) с целью привязки программного обеспечения к конкретному экземпляру PC. Однако при неосторожном использовании модулей с микросхемами без защиты от модификации случайная запись в ячейки 0-127 может привести к недоступности модуля памяти. «Оживить» его можно будет только записью корректных данных.

Модули SIMM-30, SIPP, SIMM-72

Модули SIMM (Single In-Line Memory Module) и SIPP (Single In-Line Pin Package) представляют собой небольшие печатные платы с односторонним краевым разъемом. Контактами модулей SIMM являются позолоченные (или покрытые специальным сплавом) площадки, расположенные на обеих поверхностях вдоль одной из сторон. Слово Single (одиночный) в названии подразумевает, что пары площадок на обеих сторонах эквивалентны (электрически соединяются между собой). У малораспространенных модулей SIPP контакты штырьковые (pin — иголка); эти контакты при необходимости можно припаять к площадкам модулей SIMM (такие контакты когда-то даже продавались в комплекте с модулями SIMM). Модули SIPP оказались непрактичными — их контакты не выдерживают транспортировки и многократной установки.

На модулях смонтированы микросхемы памяти в корпусах SOJ или TSOP, их адресные входы объединены. Количество и тип микросхем определяются требуемой разрядностью и объемом хранимых данных. Архитектура модулей обеспечивает возможность побайтного обращения, что существенно для записи (byte-write); выбор байт производится отдельным входом CAS# для каждого байта. Распространенные модули имеют напряжение питания 5 В, их параметры приведены в табл. 7.7.

Таблица 7.7. Организация модулей SIMM

Емкость, Мбайт С паритетом Без паритета 30-pin 72-pin 30-pin 72-pin 256 Кбайт 256 К×9 - 256 К×8 - 1 1 М×9 256 К×36 1 М×8 256 К×32 2 - 512 К×36 - 512 К×32 4 4 М×9 1 М×36 4 М×8 1 М×32 8 - 2 М×36 - 2 М×32 16 - 4 М×36 - 4 М×32 32 - 8 М×36 - 8 М×32 64 - 16 М×36 - 16 М×32

По логической организации различают односторонние и двусторонние модули. У «односторонних» модулей микросхемы смонтированы на одной (передней) поверхности, у «двусторонних» двойной комплект — два банка — микросхем смонтирован на обеих сторонах платы. Эти названия не совсем точны, но имеют прочные позиции и иностранное происхождение (single side и double side). Часто встречаются модули, у которых на второй стороне смонтировано несколько микросхем, дополняющих набор первой стороны до требуемой разрядности (чаще там размещаются контрольные биты). Такие модули являются логически односторонними. У «истинно двусторонних» на обеих сторонах обычно симметрично расположены одинаковые комплекты микросхем.