Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Читать онлайн «Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия». Страница 101

Автор Михаил Гук

¹ BA = Block Address — адрес блока, РВА = Page Buffer Address — адрес внутри буфера, RA = Extended Register Address — адрес дополнительного регистра (BSRx или GSR), WA = Write Address — адрес во флэш-массиве. А0 указывает на порядок следования байт в режиме x8 (при низком уровне BYTE#): 0 = сначала младший, затем старший; 1 = наоборот.

² AD = Array Data — данные из массива, PBD = Page Buffer Data — данные буфера, WD (L,H) = Write Data (Low, High) — данные для записи в массив, BSRD = BSR Data — информация регистра состояния блока, GSRD = GSR Data — информация глобального регистра состояния.

³ WC (L,H) = Word Count (Low, High) — счетчик слов. WCL=0 соответствует записи одного слова. Для буфера 256 байт WCH=0. BC (L,H) = Byte Count (Low, High) — счетчик байт. WCL=0 соответствует записи одного байта. Для буфера 256 байт WCH=0.

Микросхема 28F032SA представляет собой два параллельно соединенных кристалла 28F016SA в одном корпусе. Входы СЕ# одного из них соединены с выводами СЕ0# и СЕ1#, второго — с СЕ0# и СЕ2#.

Третье поколение — современные микросхемы, выполненные по технологии SmartVoltage, допускают стирание и программирование при напряжении VPP как 12 В, так и 5 В. В последнем случае эти операции занимают больше времени. Кроме того, операции чтения возможны при пониженном (3,3 и даже 2,7 В) напряжении питания VCC, при этом снижается потребление, но увеличивается время доступа.

Для управления защитой данных введен логический сигнал WP# (Write Protect). При его высоком уровне программирование и стирание защищенных блоков выполняются так же, как и остальных. При низком уровне WP# модификация защищенных блоков возможна только при наличии высокого (12 В) напряжения на входе RP#.

Для полной защиты от стирания и программирования на вход VPP должен подаваться низкий логический уровень (или 0 В), а не 5 В, как у микросхем с программированием напряжением 12 В.

Настройка (оптимизация потребления и быстродействия) происходит по уровню напряжения на выводе VCC по включении питания, переход на другое значение должен производиться через выключение питания.

Флэш-память фирмы AMD

Фирмой AMD выпускается несколько семейств микросхем флэш-памяти. Первые из них были близки по характеристикам к флэш-памяти Intel первого поколения(Bulk Erase, стирание и программирование 12 В): это Am28F256/512/010/020. В отличие от аналогичных микросхем Intel, Am28F256/512 не имели стоп-таймера, что требовало точной выдержки при программировании и стирании. Следующим этапом были микросхемы Am28F256A/512A/010A/020A со встроенным алгоритмом программирования, отличающимся от алгоритма микросхем Intel второго поколения как последовательностью команд, так и способом определения момента окончания операций. Для защиты от случайного выполнения команды состоят из 3–6 шинных циклов, причем для них существенен и адрес (табл. 7.28). Состояние выполнения операций стирания или программирования определяется по результату данных, полученных в шинном цикле чтения по адресу ячейки, участвующей в операции (а не регистра состояния, как у Intel). Для определения окончания операций может использоваться метод Data# Polling или Toggle Bit. Метод Data# Polling основан на анализе бита D7 считанных данных. В начале выполнения внутреннего цикла он устанавливается инверсным по отношению к тому, что должно быть записано в ячейку. По успешном окончании операции он принимает желаемое значение (при стирании — 1). Метод Toggle Bit основан на анализе бита D6, который при каждом шинном цикле считывания во время выполнения операции меняет свое значение на противоположное. По окончании операции он остановится в каком-либо состоянии, при этом об успешности можно судить по биту 7. Единичное значение бита D5 — Exceeded Timing Limits — указывает на превышение допустимого времени выполнения операции.

Таблица 7.28. Команды флэш-памяти Am29F010

Команда Reset/Read Autoselect Byte Program Chip Erase Sector Erase Количество циклов 3 3 4 6 6 1-й цикл Addr 5555h 5555h 5555h 5555h 5555h Data AAh AAh AAh AAh AAh 2-й цикл Addr 2AAAh 2AAAh 2AAAh 2AAAh 2AAAh Data 55h 55h 55h 55h 55h 3-й цикл Addr 5555h 5555h 5555h 5555h 5555h Data F0h 90h A0h 80h 80h 4-й цикл Addr - XX00h/XX01h PA¹ 5555h 5555h Data - 01h/20h PD² AAh AAh 5-й цикл Addr - - - 2AAAh 2AAAh Data - - - 55h 55h 6-й цикл Addr - - - 5555h SA³ Data - - - 10h 30h

¹ PA = адрес программируемой ячейки.

² PD = данные для записи в программируемую ячейку.

³ SA = адрес стираемого сектора (значимы биты A16, A15 и А14).

Микросхемы семейства Am29Fxxx выполняют все операции при одном питающем напряжении 5 В и имеют секторированную структуру (Sector Erase), симметричную (аналогично Flash File) или несимметричную (Boot Block), с верхним (T) и нижним (В) положением Boot-блока. С помощью программатора каждый сектор может быть защищен от модификации в целевой системе (в отличие от Intel способ установки и снятия защиты фирмой AMD широко не раскрывается). По расположению выводов и интерфейсу микросхемы соответствуют стандарту JEDEC для флэш-памяти с одним питающим напряжением. Микросхемы позволяют выполнять одновременное стирание группы секторов. Все эти микросхемы, кроме Am29F010, имеют возможность приостановки стирания сектора (Erase Suspend) для выполнения чтения других секторов, a Am29F080/016 позволяют еще и программировать байты во время приостановки стирания.

В командах значение бит A15, A16 существенно только при задании адреса ячейки. Ниже описано назначение команд.

♦ Reset/Read — сброс и перевод в режим считывания массива. Производится автоматически по включении питания и при получении некорректной команды (или адреса) в цепочке.

♦ Autоsеlесt — чтение кодов идентификации производителя (А=0), устройства (А=1) или состояния защиты сектора (биты A16-А14 задают адрес сектора, A2=1, остальные биты адреса — нулевые). Результат считывания состояния защищенного сектора — 01h, незащищенного — 00h. Идентификаторы и состояние защиты могут быть считаны и путем подачи высокого напряжения на вход А9 в шинном цикле считывания.

♦ Byte Program — программирование байта. После четвертого цикла шины начинается внутреннее выполнение программирования, при этом чтение по адресу программируемой ячейки выводит биты состояния.

♦ Chip Erase — стирание всех незащищенных секторов. На время выполнения стирания чтение по любому адресу (кроме адресов, принадлежащих защищенным секторам) выводит биты состояния.