Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ «ВстраиваСмыС систСмы. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°Ρ… сСмСйства 68HC12/HCS12 с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ языка Π‘Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 91

Автор Π‘Ρ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ Π‘Π°Ρ€Ρ€Π΅Ρ‚Ρ‚

// Ѐункция newline ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ запись Π²ΠΎ всС знакомСста ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ символа " "

// -------------------------------------------------------------------------

void newline() {

 int i;

 for(i=0; i<16; i++) LCD_char(' ');

}


// ------------------------------------------------------------------------

// Ѐункция LCD_output ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠ² ASCII строки символов

//Π² ΠΊΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Π°Π±Π». рис. 5.15 для отобраТСния Π½Π° дисплСС ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ эту строку Π²

//ΠžΠ—Π£ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π° экрана дисплСя

// ------------------------------------------------------------------------

void LCD_output(char s[]) {

 int n = 0;

 while (s[n] != '\0') {

  LCD_char(s[n]);

  ++n;

 }

}


// --------------------------------------------------------------------

// Ѐункция delay Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅

//число мкс

// --------------------------------------------------------------------

void delay(int usec) {

 int i,j;

 for(i=0; i<usec; i++) {

  for(j=0; j < 7; j++) { }

 }

}


// ------------------------------------------------------------------

// Ѐункция write ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° PORTP для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°

// дисплСй

// ------------------------------------------------------------------

void write() {

 DDRP = 0xFF; //ΠŸΠΎΡ€Ρ‚ PORTP Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄

}


// -------------------------------------------------------------------------

// Ѐункция data ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ запись ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ символа Π² ΠžΠ—Π£ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… дисплСя. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄

// ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΌ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ дисплСя контролируСтся Π±ΠΈΡ‚ состояния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ

// ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΠ» ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹

// управлСния ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Ρ‚. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ PORTP выставляСтся ΠΊΠΎΠ΄ символа ΠΈ

// Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ сигналы управлСния

// -------------------------------------------------------------------------

void data(unsigned char n) {

 status_wait();

 PORTP = n;

 PORTDLC = 0xFF;

 PORTDLC = PORTDLC & 0xF7; //C/D Π² 0

 PORTDLC = PORTDLC & 0xFE; //WR Π² 0

 PORTDLC = PORTDLC & 0xFB;

 enable();

 disable();

}


// -------------------------------------------------------------------

// Ѐункция command ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ управлСния Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€

// дисплСя

// -------------------------------------------------------------------

void command(unsigned char n) {

 status_wait();

 PORTP = n;

 PORTDLC = 0xFF;

 PORTDLC = PORTDLC & 0xFE;

 enable();

 disable();

}

5.7. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСским Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ

Π’ Π³Π»Π°Π²Π΅ 4 ΠΌΡ‹ рассмотрСли ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ способа ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляции для рСгулирования напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌ элСктричСского двигатСля. ИзмСняя коэффициСнт модуляции, ΠΌΡ‹ измСняли Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² напряТСния Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅, сохраняя частоту слСдования этих ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅, измСнялось срСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅, ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ вращСния. ΠŸΡ€ΠΈ обсуТдСнии ΠΌΡ‹ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ШИМ-сигнал ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сформирован Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² МК, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π΅Π³ΠΎ мощности Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достаточно для привСдСния двигатСля Π²ΠΎ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ МК ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ мощности, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ШИМ-сигнал. ΠœΡ‹ рассмотрим ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅.

5.7.1. Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ

Для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌ двигатСля ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ МК источника напряТСния достаточной мощности ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹: элСктромагнитныС Ρ€Π΅Π»Π΅, Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅, биполярныС транзисторы ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов. Π’ нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для этой Ρ†Π΅Π»ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Π’ русскоязычной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΡ… Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторами (ΠœΠ”ΠŸ β€” ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-ДиэлСктрик-ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ), Π² англоязычной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). ΠœΡ‹ ΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π½Π° этом Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² соврСмСнных ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… для Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΈ срСднСй мощности ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ эта элСмСнтная Π±Π°Π·Π°.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ схСму усилСния мощности, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ для управлСния элСктричСским Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, рассмотрим ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΠœΠ”ΠŸ-транзистора.

ΠœΠ”ΠŸ-транзистор β€” это управляСмый напряТСниСм ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡. Он ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоким сопротивлСниСм Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π’ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° транзисторС ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ мощности. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ энСргия, рассСиваСмая ΠœΠ”ΠŸ-транзистором Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ проводимости, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт высокий коэффициСнт ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСйствия ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠœΠ”ΠŸ-транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния сигнала, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠœΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠœΠ”ΠŸ-транзистр Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния питания ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ двигатСля Π²ΠΎ врСмя Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ШИМ-сигнала.

ΠœΠ”ΠŸ-транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ элСктрода: сток (Drain), исток (Souse) ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate). Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ β€” это ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод транзистора, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ сток ΠΈ исток β€” это элСктроды, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ транзистором Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠœΠ”ΠŸ-транзистора с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π½Π° рис. 5.19,Π°. ΠŸΡ€ΠΈ отсутствии напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком ΠΊΠ°Π½Π°Π» для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры транзистора отсутствуСт. Если Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока, Ρ‚ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ транзистора формируСтся ΠΊΠ°Π½Π°Π» для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ стока ΠΊ истоку. Если ΡΠ½ΡΡ‚ΡŒ с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° напряТСниС, Ρ‚ΠΎ этот ΠΊΠ°Π½Π°Π» исчСзнСт, ΠΈ транзистор Π½Π΅ смоТСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком. ΠœΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ управляСмый ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡!

Π°) УсловноС графичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ n-канального ΠœΠ”ΠŸ-транзистора (MOSFET)

Π±) Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° для управлСния элСктричСским Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ МК

Π²) Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° управлСния ΠœΠ”ΠŸ-транзистором с использованиСм Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅

Рис. 5.19. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСским Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ МК


Π’ нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΡ‹ использовали ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы IRF530 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ International Rectifier. МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ID для этого транзистора Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 14 А. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 14 А ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² настоящСС врСмя ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы с ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ n- ΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 100 А.

На рис. 5.19,Π± ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктричСского двигатСля с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. РСзистор R = 10 кОм Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния обСспСчиваСт ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ для рассасывания заряда ΠΈΠ· области ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ становится Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² схСмС присутствуСт Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ установлСн ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ. ΠœΡ‹ обсудим Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° нСсколько ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ схСмы ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» 5.7.3). Π’ нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора подаСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈ этом транзистор IRF530 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4 А. Для увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 14 Π слСдуСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС. Однако ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ элСктричСский Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ приводится Π²ΠΎ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниСм 12 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 1 Π. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ напряТСния управлСния ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° для нашСго случая Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ трСбованиям ΠœΠ”ΠŸ-транзистора.

5.7.2. ΠžΠΏΡ‚ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ развязка

ЭлСктричСский Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ β€” ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ извСстный для ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ²-элСктроников источник элСктромагнитных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…. Π’ процСссС рСгулирования скорости вращСния элСктричСского двигатСля, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π² Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ самим Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ источником питания. Вранзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ двигатСля ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ напряТСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠœΠ”ΠŸ-транзистора Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты схСмы ΡΠ±Ρ€Π°ΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π²ΠΎ врСмя протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ выбросы напряТСния Π² ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ. ПослСднСС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ нСблагоприятно ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ МК. Π’ частности, ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ исполнСния ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ управлСния, ΠΈΠ»ΠΈ сбой Π² систСмС тактирования МК. И случится Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ всСй систСмы Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ нСблагоприятного ΠΏΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·Π° Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ систСмы, слСдуСт ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния, Ρ‚.Π΅. ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ с МК 68HC12, ΠΎΡ‚ силовых Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ установки. Для этого ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ (рис. 5.19,Π²). Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ МК ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ свСтодиода ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°. Когда МК Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ сигнал Π½Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠœΠ”ΠŸ-транзистра, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· свСтодиод ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. ЭнСргия излучСния свСтодиода ΠΏΠΎ оптичСскому ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ, располоТСнному Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ИБ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°, достигаСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ сторонС, ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС. Одним ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², относящихся ΠΊ классу ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², являСтся Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ (рис. 5.19,Π²). На Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ сторонС этого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° установлСн ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠœΠ”ΠŸ-транзистор. Когда свСтодиод ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚, ΠœΠ”ΠŸ-транзистор открываСтся, ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ рСзистора ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ основного транзистора формируСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока. Основной транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ двигатСля ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ напряТСниС источника питания.