Читать онлайн «OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей». Страница 94

U_DSTM4 STIM(1,1) $G_DPWR $G_DGND N00034 IO_STM IO_LEVEL=0

+ 0 0

+ +0 1

+ REPEAT FOREVER

+  +0.4ms 0

+  +0.6ms 1

+ ENDREPEAT

.STIMULUS PS STIM (1, 1) ;! CLOCK 1kHz 0.5 1 0

+ +0s 1

+ +500us 0

+ Repeat Forever

+  +500us 1

+  +500us 0

+ EndRepeat

.STIMULUS D STIM (1, 1) ;! CLOCK 1kHz 0.5 1 0.75ms

+ +0s 1

+ +750us 0

+ Repeat Forever

+  +500us 1

+  +500us 0

+ EndRepeat

.STIMULUS CL STIM (1, 1) ;! CLOCK 0.8kHz 0.5 0 0

+ +0s 0

+ +625us 1

+ Repeat Forever

+  +625us 0

+  +625us 1

+ EndRepeat

.STIMULUS CL STIM (1, 1) ;! CLOCK 0.8kHz 0.5 0 0

+ +0s 0

+ +625us 1

+ Repeat Forever

+  +625us 0

+  +625us 1

+ EndRepeat

.STIMULUS D STIM (1, 1) ;! CLOCK 1kHz 0.5 1 0.75ms

+ +0s 1

+ +750us 0

+ Repeat Forever

+  +500us 1

+  +500us 0

+ EndRepeat

Рис. 17.45. Выходной файл для D-триггера

В данном разделе директивы приведены в краткой форме. Этот список будет полезен, если вам необходимо найти команду, которую вы уже видели или использовали. Более подробная информация приведена в приложениях В и D и в конце каждой главы.

Общие замечания:

Буквенные символы верхнего и нижнего регистров взаимозаменяемы.

<> обозначает обязательную информацию.

[] обозначает необязательную информацию.

* показывает строку комментария во входном файле PSpice.

; показывает комментарий после любой команды на той же строке.

.AC [LIN] [OCT] [DEC] <число точек> <f start> <f end>

для вариации частоты переменного тока

В[имя] <сток> <затвор> <исток> <имя модели> [область значений];

для арсенид-галлиевого транзистора (GaAsFET)

С[имя] <+узел> <-узел> <имя модели> <значение> [IС = начальное значение]; для конденсатора

D[имя] <+узел> <-узел> <имя модели> [область значений]; для диода

.DC [LIN] [OCT] [DEC] <варьируемая переменная> начальное значение оконечное значение> <шаг> [LIST]; для вариации на постоянном токе

Е[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <коэффициент усиления>; источник типа ИНУН

Е[имя] <+узел> <-узел> РOLY(значение) <+узел управления> <-узел управления> <значения полиномиальных коэффициентов>;

полиномиальный источник типа ИНУН

.END; указывает конец входного файла

.ENDS <имя подсхемы>; указывает конец подсхемы

F[имя] <+узел> <-узел> <имя управляющего устройства V> <коэффициент усиления>; источник типа ИТУТ

F[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <имя управляющего устройства V> <значения полиномиальных коэффициентов>; полиномиальный источник типа ИТУТ

.FOUR <частоты> <выходная переменная>; для гармонического анализа

G[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <крутизна>; источник типа ИТУН

G[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+узел управления> <-узел управления> <значения полиномиальных коэффициентов> полиномиальный источник типа ИТУН;

Н[имя] <+узел> <-узел> <имя управляющего устройства V> переходное сопротивление>; источник типа ИНУТ

Н[имя] <+узел> <-узел> POLY (значение <имя управляющего устройства V> <значения полиномиальных коэффициентов>; полиномиальный источник типа ИНУТ

I[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <значение>] [АС <значение> [фаза] [спецификация переходного процесса]; для независимого источника тока

.IC <Vnode = значение>; показывает начальное напряжение узла для анализа переходных процессов

.INC <имя файла>; вставляет другой файл

J[имя] <узел стокам <узел затвора> <узел истока> <имя модели> [область]; для полевого транзистора JFET

K[имя] L[имя] L[имя] <коэффициент связи>; для связанных катушек индуктивности

K[имя] L[имя] L[имя] <коэффициент связи> <имя модели> [значения размеров]; для модели связанных катушек индуктивности с магнитопроводом

L[имя] <+узел> <-узел> [имя модели] <индуктивностъ> [IC =значение]; для катушки индуктивности

.LIB <имя файла>; ссылка на модель или библиотеку подсхем в отдельном файле. Заданный по умолчанию файл — NOM.LIB.

.MC [#проходов [DC [AC] [TRAN] [выходная переменная] YMAX; для анализа по методу Монте-Карло

.MODEL [имя] [тип]; описывает встроенную модель

М[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <узел корпуса/подложки> <имя модели> [значение параметра], для МОП-транзистора (MOSFET)

.NODESET <Vnode = значение>; дает значение начального напряжения для узла

.NOISE V<узел> [,узел] <имя>[шаг по частоте]; дает анализ шума для определенных частот наряду с анализом на переменном токе

.ОР; дает подробную информацию о параметрах смещения (рабочей точке)

.OPTIONS <имя опции>; устанавливает опции для анализа

.PLOT [DC [AC] [NOISE] [TRAN] [выходная переменная]; выводит график на принтер

.PRINT [DC [AC] [NOISE] [TRAN] [выходная переменная]; производит распечатку выходного файла

.PROBE [выходная переменная]; создает файл PROBE.DAT для графического анализа

Q[имя] <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера> <узел подложки> <имя модели> [область значений]; для биполярного транзистора (BJT)

R[имя] <+узел> <-узел> [имя модели] <сопротивление>; для резистора

S[имя] <+узел ключа> <-узел ключа> <+узел управления> <-узел управления> <имя модели>; для ключа, управляемого напряжением

.SENS [выходная переменная]; используется для анализа чувствительности

.SUBCKT [имя] [узел(узлы)]); отмечает начало ввода подсхемы

Т[имя] <+узел порта А> <~узел порта А> <+узел порта В> <-узел порта В> <ZD = значение> [TD = значение] [F = значение] [NL = значение]; для идеальной линии передачи

.TEMP <значение>, установите температуру для анализа в градусах Цельсия

.TF <[выходная переменная> <входной источник>; для передаточной функции

.TRAN <шаг> <интервал моделирования> [предельная величина шага] [UIC]; для анализа переходных процессов

V[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <значение>] [АС <значение> [фаза] [спецификация переходного процесса]; для независимого напряжения

W[имя] <+ узел ключа> <имя управляющего устройства V> <-узел управления> <имя модели>; для переключателя, управляемого током

.WIDTH = <значение>; устанавливает число символов на строку вывода

X[имя] <[узлы]> <имя подсхемы>; определяет подсхему

(Подробное описание на английском языке находится в файле \Documents\PSpice_with_CapturePspcref.pdf на прилагаемом к книге компакт-диске.)

В — арсенид-галлиевый транзистор GaAsFET

Общая форма:

В<имя> <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <модель> [<область>]

Пример:

BIN 100 1 0 GFAST

В13 22 14 23 GNOM 2.0

С — конденсатор

Общая форма:

С [имя] <+узел> <-узел> <имя модели> <емкость> [IC = начальное значение]

Пример:

СLOAD 15 0 20pF

CFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v

D — диод

Общая форма:

D[имя] <+узел> <-узел> <имя модели> [область значений]

Примеры:

DCLAMP 14 0 DMOC

D13 15 17 SWITCH 1.5

Е — источник напряжения, управляемый напряжением

Общие формы:

Е[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <коэффициент усиления>

Е[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+ узел управления> <- узел управления> <значения полиномиальных коэффициентов>;

Е[имя] <+узел> <-узел> VALUE = {<выражение>}

Е[имя] <+узел> <-узел> TABLE{<выражение>}<(входное значение)(выходное значение)>*

Е[имя] <+узел> <-узел> LAPLACE={<выражение>}{<изображение>}

Е[имя] <+узел> <-узел> FREQ {<выражение>}<(частота в дБ, фаза в град)>

Примеры:

EBUFF 1 2 10 11 1.0

ЕАМР 13 0 POLY(1) 2 6 0 500

ENLIN 100 101 POLY(2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005

ESQRT 10 0 VALUE=(SQRT(V(5)))

ETAB 20 5 TABLE (V(2)) (-5v,5v)(0v,0v)(5v,-5v)

E1POLE 10 0 LAPLACE (V(1)) (1/(1 + s))

EATTEN 2 0 0 FREQ (V(100))) (0,0,0 10,-2,-5 20,-6,-10)