Читать онлайн «Большая Советская Энциклопедия (ФЕ)». Страница 91

  Р. И. Энтин.

Ферритдио'дная яче'йка , импульсный элемент устройств автоматики и вычислительной техники, выполненный на одном или нескольких кольцевых ферритовых сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса и полупроводниковом диоде (рис. ). Сердечник запоминает ив течение некоторого времени хранит информацию в двоичном коде; диод выполняет главным образом функции разделительного элемента. Запись и считывание информации производятся импульсами тока, подаваемыми соответственно в обмотки записи (входные) и считывания (опросные). Из нескольких Ф. я., соединённых определённым образом, можно собрать логический элемент , регистр , пороговый элемент . Ф. я. применялись в 50-х гг. 20 в., например в ЭВМ и некоторых устройствах автоматики; в 60-х гг. вытеснены более совершенными ферриттранзисторными ячейками .

  Лит.: Ионов И. П., Магнитные элементы дискретного действия, М., 1968; Бардиж В. В., Магнитные элементы цифровых вычислительных машин, 2 изд., М, 1974.

Схема простейшей ферритдиодной ячейки: ФС — ферритовый сердечник; Д — диод; wз — обмотка записи; wс — обмотка считывания (опроса); wвых — выходная обмотка (обмотка связи).

Феррити'н (от лат. ferrum – железо), сложный белок (металлопротеид), в котором запасается железо в организме животных и человека. Содержится в печени, селезёнке, костном мозге и слизистой оболочке кишечника. Впервые обнаружен чехосл. учёным Лауфбергером (1934) в печени животных. Ф. – наиболее богатое железом соединение в живых организмах: на один аминокислотный остаток белка приходится около одного атома трёхвалентного железа. В отличие от гемопротеидов , железо в Ф. не входит в состав гема, а находится в комплексе с полимерным неорганическим соединением (FeO·OH)18 (FeO·OPO3 H3 ), прочно связанным с белком. Молекулярная масса Ф. 747 000; после отщепления железа образуется т. н. аноферритин с молекулярной массой 465 000. Ф. обладает антигенной активностью. Ф., находящийся в слизистой оболочке кишечника, регулирует всасывание железа него поступление в кровь. Высвобождение Fe происходит под действием восстановителя – аскорбиновой кислоты (витамина С). Поступающее в кровь железо переносится трансферрином в печень и др. органы, где его избыток связывается апоферритином. Fe, входящее в состав Ф., необходимо для синтеза гемоглобина , цитохромов и др. железосодержащих соединений. При повышении потребности организма в железе происходит быстрое расщепление Ф. костного мозга, печени и селезёнки.

  Н. Н. Чернов.

Ферри'товая анте'нна, магнитная антенна с сердечником из феррита . Высокая магнитная восприимчивость ферритов позволяет изготовлять Ф. а. с размерами, существенно меньшими, чем у обычной (без сердечника) рамочной антенны , при одинаковых индуктируемых в них эдс.

Ферри'товая ма'трица, часть запоминающего устройства в виде прямоугольной рамки из изоляционного материала, внутри которой размещаются ферритовые сердечники , пронизанные изолированными проводами. Провода присоединены к контактным выводам, расположенным в 1 или 2 ряда по сторонам рамки. Конструктивно рамка может иногда содержать две части: для размещения элементов дешифрации адреса ячейки запоминающего устройства (транзисторов, импульсных трансформаторов, полупроводниковых диодов, резисторов и др.) и запоминающих элементов – ферритовых сердечников, число которых в одной Ф. м. может быть до нескольких десятков тысяч. Схема Ф. м. (расположение сердечников и проводов) определяется организацией выборки (поиска нужной ячейки), считывания и записи информации (см. Ферритовое запоминающее устройство ). При разработке Ф. м. основное внимание уделяется уменьшению электрических помех, возникающих в проводах из-за наличия индуктивных и ёмкостных связей между ними. Для снижения уровня помех (или их компенсации) провода (обмотки) записи и считывания группируют в секции, прокладывают по специально разработанной схеме и т.д. Число проводов, пронизывающих сердечники, в зависимости от принятой организации выборки может быть 2, 3 или 4. На рис. показана матрица запоминающего устройства с плоской выборкой. Основные требования, предъявляемые к Ф. м.: минимальные реактивные сопротивления обмоток выборки, записи и считывания информации для сокращения времени прохождения сигналов по ним; максимальная надёжность контактов, паек, изоляции (особенно в местах пересечения проводов) и сердечников; взаимозаменяемость; возможность автоматической прошивки сердечников.

  Лит. см. при ст. Ферритовое запоминающее устройство .

  А. В. Гусев.

Ферритовая матрица запоминающего устройства с плоской выборкой информации:а — общий вид (матрица на 4196 сердечников); 1 —  изоляционная рамка; 2 — контактные выводы; 3 — провода (обмотки); 4 — ферритовые сердечники.

Ферритовая матрица запоминающего устройства с плоской выборкой информации: б — электрическая схема матрицы.

Ферри'товое запомина'ющее устро'йство, запоминающее устройство , в котором носителями информации служат ферритовые сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса. Ф. з. у. используются в большинстве современных ЭВМ, преимущественно в качестве оперативной памяти с обращением по произвольному адресу. Количество хранимой информации достигает в Ф. з. у. десятков млн. бит, время выборки – от десятых долей до нескольких мксек. В Ф. з. у. сочетаются высокое быстродействие, малые габариты, высокая надёжность, технологичность изготовления, экономичность. Применение ферритовых сердечников (ФС) в качестве запоминающих элементов памяти обусловлено их свойством сохранять после намагничивания одно из двух возможных устойчивых магнитных состояний, соответствующих значениям остаточной магнитной индукции (+ B r или – B r ), что позволяет им хранить информацию, представленную в двоичном коде. Если по проводу, пронизывающему кольцевой ФС (рис. ), пропускать импульсы тока (разной полярности), достаточные для создания магнитного поля Н т > H c (H c – коэрцитивная сила), то можно управлять магнитным состоянием ФС. Под действием перемагничивающего поля + Н т ФС после снятия поля оказывается в состоянии + B r , эту операцию принято называть «записью 1». Для «записи 0» подают импульс тока, создающий поле – Н т , после воздействия которого ФС оказывается в состоянии – B r . Сигнал, возникающий в проводе считывания ФС при изменении значения его магнитной индукции от + B r до – B r , называется сигналом «считывания 1»; при «считывании 0» магнитная индукция в ФС меняется незначительно и считанный сигнал оказывается значительно меньше сигнала «считывания 1». Процесс считывания сопровождается «стиранием» хранившейся информации, т.к. при этом ФС всегда переводится в состояние – В т , т. е. записывается 0.

  Поле Н т может быть создано либо одним импульсом тока, протекающим по одному проводу записи, либо несколькими импульсами тока (обычно двумя), протекающими одновременно по разным проводам, причём каждый из импульсов создаёт поле, равное или меньше Н т /2, в отдельности недостаточное для изменения магнитного состояния ФС. Способ создания перемагничивающего поля требуемой напряжённости посредством суммирования в одном ФС частичных магнитных полей от двух и более импульсов тока называется принципом совпадения токов. Этот принцип используется в большинстве современных Ф. з. у.

  В Ф. з. у. все ФС собираются в ферритовые матрицы , в состав Ф. з. у. входят несколько таких матриц (иногда несколько десятков). Расположение ФС в матрице, внутренние (в матрице) и внешние (между матрицами) соединения проводов записи и считывания выбираются так, чтобы уменьшить количество электронной аппаратуры управления и повысить надёжность функционирования Ф. з. у. при заданном быстродействии и ёмкости. Наиболее распространены три системы организации Ф. з. у.: 3-мерная (или с плоской выборкой, полутоковая, матричная, типа ХУ ), 2-мерная (с непосредственной выборкой, полного тока, линейная, типа Z), 2,5-мерная (занимает промежуточное положение между 3- и 2-мерной). Соответственно эти системы обозначают символами 3D , 2D и 2,5D (D – начальная буква англ. dimension – измерение, координата). Применение той или иной системы организации Ф. з. у. зависит от конкретных требований, предъявляемых к памяти ЭВМ: в Ф. з. у. малой ёмкости и высокого быстродействия обычно используют систему 2D ; при средней ёмкости и высоком быстродействии или большой ёмкости и среднем быстродействии – 2,5D ; при большой ёмкости и малом быстродействии – 3D. В состав Ф. з. у. входят сотни транзисторов, тысячи полупроводниковых диодов, сотни интегральных микросхем, миллионы ФС. Поэтому при создании Ф. з. у. большой ёмкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик и параметров элементов, особенно ФС, и экономичность данного запоминающего устройства. Наиболее экономичны запоминающие устройства с системой организации 3D ; наименее экономична – 2D . Ф. з. у. с системой организации 2,5D позволяет при сравнительно небольших затратах получать высокое быстродействие при больших ёмкостях, что предопределяет перспективность её использования в современных ЭВМ.