Читать онлайн «Большая Советская Энциклопедия (ПЛ)». Страница 20

  Т. В. Булыгина.

Планелье'с Хуан Хуанович (8.4.1900, Херес, Испания,— 25.8.1972, Москва), микробиолог и фармаколог, академик АМН СССР (1969; член-корреспондент 1953); член-корреспондент Академии медицины Испании. По национальности испанец. Окончил лечебный факультет Мадридского университета (1921). В 1926—36 научный руководитель одного из испанских медико-фармацевтических предприятий и директор (с 1930) института клинических исследований в Мадриде. В 1936—39 начальник санитарно-медицинской службы центральной республиканской армии, затем статс-секретарь здравоохранения Испанской Республики. С 1939 — в СССР; с 1943 в институте эпидемиологии и микробиологии им. Н. Ф. Гамалеи АМН СССР. Основные труды по биологии стандартизации фармацевтических и биопрепаратов, сульфаниламидам, лекарственной устойчивости микробов и др. Награжден 2 орденами, а также медалями.

  Соч.: О теориях химиотерапевтического действия, «Журнал микробиологии, эпидемиологии и иммунобиологии», 1952, № 7; В. К. Высокович. 1854—1912, М., 1953; Побочные явления при антибиотикотерапии бактериальных инфекций, 2 изд., М., 1965 (совм. с А. М. Харитоновой); Серотонин и его значение в инфекционной патологии, М., 1965 (совм. с З. А. Попененковой).

  Е. К. Пономарь.

План кинематографический, расположение в пространстве и масштаб изображения объекта в кадре. По положению объекта различают: первый, второй и дальний П., по масштабу — крупный, средний и общий. Смена П.— основная форма построения изобразительно-монтажной композиции сцен и эпизодов фильма.

План народнохозя'йственный, см. Планирование народного хозяйства.

План содержа'ния, лингвистический термин, употребляемый в глоссематике, под которым понимается организованная определённым образом область всего того, что может быть предметом языкового сообщения; противополагается плану выражения.

  Лит. см. при ст. План выражения.

План счето'в, счётный план, система бухгалтерских счетов, предусматривающая их количество, группировку и цифровое обозначение в зависимости от объектов и целей учёта. В П. с. включаются синтетические (счета первого порядка) и связанные с ними аналитические счета (субсчета, или счета второго порядка). Каждому из них даётся краткое наименование, точно соответствующее объекту учёта. Основой построения П. с. служит группировка объектов учёта по их экономическим признакам (например, счета для учёта основных средств, предметов труда; затрат на производство; готовой продукции, товаров и реализации; финансовых средств, фондов и финансовых результатов и др.). Счета располагаются в последовательности, позволяющей взаимосвязанно отражать в бухгалтерском учёте ресурсы хозяйства и их источники, особенности их участия в кругообороте средств предприятий и организаций в процессе производства, распределения и использования общественного продукта. В целях ускорения и облегчения учётных записей счетам первого порядка присваивается условный шифр, а субсчетам — порядковый номер в пределах каждого синтетического счёта. Инструкция по применению П. с. содержит краткую характеристику объектов учёта по каждому счёту и назначения счетов, общую схему их корреспонденции, показывающую типичные бухгалтерские записи по счетам, взаимосвязанным единством хозяйственных процессов и операций.

  Единые П. с. (с учётом особенностей отраслей народного хозяйства) используются только в социалистических странах. Для капиталистических стран характерно большое разнообразие номенклатуры бухгалтерских счетов, где применение той или иной номенклатуры определяется собственниками предприятий. В СССР для обеспечения единства и полноты бухгалтерского учёта во всех отраслях народного хозяйства типовые П. с. отдельных отраслей утверждаются министерством финансов СССР по согласованию с ЦСУ СССР. П. с. бухгалтерского учёта для колхозов устанавливают ЦСУ и министерство сельского хозяйства СССР.

  П. с. бюджетных и финансово-кредитных учреждений имеют свои особенности, определяемые спецификой деятельности этих организаций.

План (от лат. planum — плоскость), 1) чертёж, изображающий в условных знаках на плоскости (в масштабе 1:10000 и крупнее) часть земной поверхности (топографический П.). 2) Горизонтальный разрез или вид сверху какого-либо сооружения или предмета (см., например, План в архитектуре). 3) То же, что горизонтальная проекция (см. Начертательная геометрия). 4) Заранее намеченный порядок, последовательность осуществления какой-либо программы, выполнения работы, проведения мероприятий (например, народнохозяйственный, производственный, стратегический, учебный П., см. Планирование народного хозяйства). 5) Замысел, проект, основные черты какой-либо работы, изложения (П. доклада, пьесы и т.п.). 6) Способ рассмотрения, построения, подхода к чему-либо (в теоретическом П., в двух П. и т.п.). 7) Размещение объектов на изображении (передний, средний, задний П.) и их размеров (крупный, мелкий П., см., например, План кинематографический).

Плана'рии, группа беспозвоночных из подотряда Tricladida класса ресничных червей. П. отличаются крупными размерами (длина тела до 35 см). Распространены по всему земному шару. Обитают в пресных водах, реже — в морях, а в тропиках — и на почве. Питаются мелкими беспозвоночными. Рыбы планарий не едят, т.к. в их коже имеются ядовитые железы.

Плана'рная техноло'гия, планарный процесс (англ. planar, от лат. planus — плоский, ровный), первоначально — совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно-дырочными переходами, границы которых выходят на одну и ту же плоскую поверхность ПП пластины и находятся под слоем защитного диэлектрического покрытия; в современном, более широком смысле — совокупность технологических операций, проводимых для получения практически любых ПП приборов и интегральных схем, в том числе и таких, у которых границы электронно-дырочных переходов не выходят на одну плоскую поверхность. Термины «П. т.» и «планарный прибор» появились в 1959, когда американской фирмой «Фэрчайлд» (Fairchild) были созданы первые планарные кремниевые транзисторы.

  Основные технологические операции при изготовлении классического планарного кремниевого транзистора с n—p—n-переходами выполняются в следующей последовательности. На отшлифованной, а затем отполированной, тщательно очищенной плоской поверхности пластины из монокристаллического кремния с электропроводностью n-типа (рис., а) термическим окислением в сухом или влажном кислороде создают слой двуокиси кремния (SiO2) толщиной от нескольких десятых до 1,0—1,5 мкм (рис., б). Далее производят фотолитографическую обработку этого слоя (см. Фотолитография): на окисленную поверхность кремния наносят слой фоторезиста, чувствительного к ультрафиолетовому излучению; пластину с высушенным слоем фоторезиста помещают под шаблон — стеклянную пластину с рисунком, в заданных местах прозрачным для ультрафиолетового излучения; после обработки излучением фоторезист в тех местах, под которыми должен сохраняться слой SiO2, полимеризуют (задубливают), с остальной части пластины фоторезист снимают и удаляют травлением обнажившийся слой SiO2, после чего снимают оставшийся фоторезист (рис., в). Затем в участки, где нет плёнки окисла, проводят диффузию бора (акцепторной примеси) для создания в материале исходной пластины (коллекторная область) базовой области с электропроводностью р-типа. Т. к. диффузия одновременно идёт и перпендикулярно поверхности пластины, и параллельно ей, т. е. под края окисной плёнки, то границы электронно-дырочного перехода между коллекторной и базовой областями, выходящие на поверхность пластины, оказываются закрытыми слоем SiO2 (рис., г). После проведения диффузии бора (или одновременно) поверхность пластины повторно подвергают окислению и повторно производят фотолитографическую обработку (рис., д) с целью создания эмиттерной области с электропроводностью n-типа диффузией фосфора (донорной примеси) в заданные участки базовой области. При этом границы электронно-дырочных переходов между эмиттерной и базовой областями оказываются также закрытыми слоем SiO2 (рис., е). После диффузии доноров или одновременно с ней проводят третье окисление и над эмиттерной областью создают слой чистой SiO2 или фосфорно-силикатного стекла. Затем производят последнюю фотолитографическую обработку и вытравливают над эмиттерной и базовой областями в плёнке окисла отверстия для контактов к этим областям (рис., ж). Контакты создают нанесением тонкой металлической плёнки (обычно Al; рис., з). Контакт к коллекторной области осуществляют путём металлизации нижней поверхности исходной пластины. Пластину кремния разрезают на отдельные кристаллы, каждый из которых имеет транзисторную структуру. Наконец, каждый кристалл помещают в корпус и герметизируют последний.