Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«"ШпионскиС ΡˆΡ‚ΡƒΡ‡ΠΊΠΈ 2" ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠ±Π΅Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ свои сСкрСты». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 30

Автор Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ Андрианов

ΠžΡΡ‚Π°Π΅Ρ‚ΡΡ приобрСсти транзистор VT1 (любой ΠΈΠ· сСрий МП39β€” МП42), рСзистор R1 сопротивлСниСм 1…15 кОм (ΠœΠ›Π’-0,25 ΠΈΠ»ΠΈ ΠœΠ›Π’-0,125), кондСнсатор Π‘1 любого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 0,05…0,25 ΠΌΠΊΠ€, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ SA1 (Ρ‚ΡƒΠΌΠ±Π»Π΅Ρ€) ΠΈ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ GB1 напряТСниСм 4,5 Π’ Π΄Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° элСктрода β€” Π•1 ΠΈ Π•2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ высотС.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ работоспособСн лишь ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ трансформатора. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ конструкции. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, подсоСдинитС ΠΊ элСктродам рСзистор сопротивлСниСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 10 кОм. Если Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π½Π΅Ρ‚, помСняйтС мСстами Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ появится (Ссли, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ максимальной громкости).

Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ отсоСдинитС ΠΎΡ‚ элСктродов рСзистор ΠΈ опуститС ΠΈΡ… Π² Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π° Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρƒ 5…7 ΠΌΠΌ. ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π² этом случаС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ лишь ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ коэффициСнтС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· полоТСния β€” Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор.


3.4.2. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ влаТности

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€, схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.35, позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами, ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ ΠΎΡ‚ силовой сСти 220 Π’.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ извСстит вас ΠΎ появлСнии Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π² Ρ‚Π°ΠΉΠ½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ насос, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ² Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π² случаС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ всСмирного ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΏΠ° такая систСма Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚, Π½ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ‹ΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎΠΆΠ΄Π»ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π½ΠΈ ΠΈ вСсной, ΠΈ осСнью ΠΎΠ½Π° прСкрасно справится со своСй Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ.



Рис. 3.35. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ влаТности


ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ прост. Π‘Π°Π·Π° транзистора VT1 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор R1 ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ элСктроду Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ элСктрод, располоТСнный Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ высотС, подсоСдинСн ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ шипС питания. Когда Π²ΠΎΠ΄Π° достигнСт элСктродов Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ транзистор VT1. Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ HL1 (любой), Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, загораСтся. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· свСтодиод ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° микросхСмы DA1, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ водяной насос. ИспользованиС кондСнсатора Π‘1, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистора, Π² Ρ†Π΅Π½ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи позволяСт ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… срабатываний ΠΎΡ‚ посторонних ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ. Бимистор VS1 ΠΏΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅, исходя ΠΈΠ· мощности ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡŒΡ‚Π΅ ΠΈΠ· Π½Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π²Π΅ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠΊΠΈΡΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Π² Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Π°ΠΌ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ увСличСния сопротивлСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π΅ с Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ. Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ элСктроды ΠΈΠ· Π½Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π²Π΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ стали, Π½ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ использованиС ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ водостойких элСктродов, Ссли, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΈΡ… ΠΎΡ‡ΠΈΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ врСмя ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Они ΡƒΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ Π½Π° расстоянии 2,5 ΡΠΌ. Для поддСрТания ΠΈΡ… Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠΈΡ‚Π΅ кусочСк ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ изоляционного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ Π² схСмС ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ умСстятся Π½Π° нСбольшой ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. ΠŸΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ сигнализатор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ выпрямитСля напряТСниСм +12 Π’.


3.4.3. БСсконтактныС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ уровня Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

Рассмотрим Π΄Π²Π΅ схСмы бСсконтактных Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ срабатываСт ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° Π² Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, Π° вторая β€” ΠΏΡ€ΠΈ соприкосновСнии Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠ΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°.

Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ с ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π—ΠŸ-4), Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ОБ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Π΅ плоскости излучатСля находятся Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅. Если ΠΆΠ΅ хотя Π±Ρ‹ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… слСгка ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π΅ΠΌ, систСма окаТСтся Π΄Π΅ΠΌΠΏΡ„ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ. КолСбания Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ этом ΡΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, Ссли ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ излучатСля Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ повСрхности Тидкости. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Тидкости высок ΠΈ ΠΎΠ½Π° смачиваСт ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½Ρƒ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. Но ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ опустится Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ окаТСтся Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ запускаСтся, подавая сигнал Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. ПослС увСличСния количСства Π²ΠΎΠ»Ρ‹ Π΄ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ уровня Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ снова останавливаСтся.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.36.



Рис. 3.36. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ с транзисторным Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ


АвтогСнСратор собран Π½Π° транзисторС VT1 ΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ BQ1 ΠΏΠΎ довольно распространСнной схСмС. Он Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ колСбания частотой ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2500 Π“Ρ†, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ C1R3R4 ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°, собранного Π½Π° логичСских элСмСнтах DD1.1, DD1.2. Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ колСбания Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ частоты, ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅.

ЦСпь, состоящая ΠΈΠ· Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD2, рСзисторов R7 ΠΈ R8 ΠΈ кондСнсатора Π‘4, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π² постоянноС напряТСниС, выдСляСмоС Π½Π° кондСнсаторС Π‘4. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° элСмСнтах DD1.3, DD1.4, слуТит для дискрСтизации напряТСния Π½Π° кондСнсаторС Π‘4, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ мСняСтся довольно ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ. На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ этого Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° сигнал скачком измСняСтся с высокого уровня, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π΄ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ остановкС.

ΠŸΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ источника стабилизированного напряТСния 3…15Π’, Ссли микросхСма DD1 β€” К561ЛА7 ΠΈΠ»ΠΈ 564ЛА7, ΠΈ 5…9 Π’, β€” Ссли К176ЛА7.

ΠŸΡ€ΠΈ напряТСнии 4 Π’ устройство потрСбляСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 4 ΠΌΠ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ 15 Π’ β€” Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 18 ΠΌΠ.

Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ VD1 ΠΈ VD3 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΎΡ‚ поврСТдСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ полярности напряТСния питания. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π‘2 ΠΈ Π‘Π— β€” ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅. ΠŸΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ допустимо ΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ элСмСнтов ΠΈΠ»ΠΈ аккумуляторов.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ Тидкости Ρ‚ΡƒΡ‚ соотвСтствуСт высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° высокому β€” Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ. Если ΠΆΠ΅ трСбуСтся инвСрсный сигнал, рСзисторы R3 ΠΈ R4 Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ мСстами, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD2.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ К561ЛА7 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° К561Π›Π•5,564ЛА7,564Π›Π•5, К176ЛА7 ΠΈΠ»ΠΈ К176Π›Π•5 Π±Π΅Π· измСнСния Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ микросхСмы К561ЛН2 ΠΈΠ»ΠΈ 564ЛН2 с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ VD1 β€” VD3 ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ· сСрий ΠšΠ”102, ΠšΠ”103 ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ с допустимым прямым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20 ΠΌΠ. Вранзистор β€” любой ΠΈΠ· сСрий КВ315, КВ312, КВ342, КВ503.

Допустимо ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ здСсь ΠΈ транзистор структуры Ρ€-n-Ρ€ (любой ΠΈΠ· сСрий КВ208, КВ209, КВ361, КВ502), Π½ΠΎ Π² этом случаС Π΅Π³ΠΎ эмиттСр ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ, Π° ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ кондСнсатора Π‘Π—. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈ с Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΌ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ излучатСля BQ1. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ рСзистора R1 ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ чувствитСлСн ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Тидкостями, срыв ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° происходит, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, лишь Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π² ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ВслСдствиС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠ΄Π° способна лишь ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ частоту рСзонанса излучатСля ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 25 %, Π° Π½Π΅ ΡΠΎΡ€Π²Π°Ρ‚ΡŒ колСбания Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ дСмпфирования ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ уровня ТидкостСй Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ устроСн нСсколько ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ (рис. 3.37).



Рис. 3.37. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ уровня Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ


Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° построСн Π½Π° элСмСнтах DD1.1, DD1.2 ΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ BQ1. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ DD1.3, DD1.4 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°, Π° кондСнсатор Π‘1 ΠΈ рСзисторы R3 ΠΈ R4 β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ.

Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ D Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° DD2.1 соСдинСн с собствСнным инвСрсным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, поэтому Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ выдСляСт ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ повторСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ (Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°). Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ DD2.2 ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ элСмСнта сравнСния Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ значСния упомянутого ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° повторСния с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ зарядки кондСнсатора Π‘4 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R8. Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ C5R9 слуТит для прСдустановки Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ состояниС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° DD2.2 послС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания.

Когда ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Тидкости Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, частота Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° высока, поэтому кондСнсатор Π‘4 Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ Π½Π΅ успСваСт Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ DD2.2 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ»ΡΡ сигналом Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ состояниС. На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 1 устройства Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния, Π° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 2 β€” высокий.

Когда ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Тидкости достигнСт Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ плоскости Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° β€” ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡΠ»Ρ BQ1, частота Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° понизится, Π° кондСнсатор Π‘4 Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ DD2.2 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ состояния Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅. На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… устройства ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ смСна ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ.

Π§Π΅Ρ‚ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ срабатывания устройства обСспСчСна физичСскими свойствами самой Тидкости. Π’Π°ΠΊ, ΠΎΠ±Π²ΠΎΠ»Π°ΠΊΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ плоскости ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ поднявшСйся ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ частоты Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° происходят довольно Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎ смачиваСт ΠΎΠ½Π° эту Π³Ρ€Π°Π½ΡŒ.

Π‘Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒ ΠΆΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ происходит ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Тидкости ΠΏΡ€ΠΈ опускании Π΅Π΅ уровня. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ остаточная Тидкостная ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ плоскости Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ измСняСт Π΅Π³ΠΎ рСзонансной частоты. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Тидкостного «гистСрСзиса» срабатывания ΠΏΠΎ частотС зависит Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ вязкости ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Тидкости ΠΈ смачиваСмости плоскости Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°.