Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«"ШпионскиС ΡˆΡ‚ΡƒΡ‡ΠΊΠΈ 2" ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠ±Π΅Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ свои сСкрСты». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 27

Автор Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ Андрианов

Рис. 3.18. Π˜ΡΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… транзисторах


На Π΄Π²ΡƒΡ… биполярных транзисторах (VT1, VT3) собран ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ (VT2) β€” элСктронный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия искатСля основан Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ элСктричСского ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° образуСтся элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ β€” Π΅Π³ΠΎ ΠΈ ΡƒΠ»Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ.

Если Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠ° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ SB1, Π½ΠΎ элСктричСского поля Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰ΡƒΠΏΠ° WA1 Π½Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ находится Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ сСтСвых ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², транзистор VT2 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, свСтодиод HL1 погашСн.

Достаточно ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ, соСдинСнный с Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΡƒ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π»ΠΈΠ±ΠΎ просто ΠΊ сСтСвому ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ, транзистор VT2 закроСтся, ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора VT3 ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. НачнСт Π²ΡΠΏΡ‹Ρ…ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свСтодиод.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ стСны, Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Π³Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Π½Π΅ΠΉ сСтСвых ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

ПолСвой транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ любой Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° схСмС сСрии, Π° биполярныС β€” Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· сСрии КВ312, КВ315. ВсС рСзисторы β€” ΠœΠ›Π’-0,125, оксидныС кондСнсаторы β€” К50-16 ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅, свСтодиод β€” любой ΠΈΠ· сСрии АЛ307, источник питания β€” батарСя Β«ΠšΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄Β» Π»ΠΈΠ±ΠΎ аккумуляторная батарСя напряТСниСм 6…9 Π’, ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ SB1 β€” КМ-1 Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ.

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° смонтирована Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΈΠ· одностороннСго Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠΎΠΌ искатСля ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ пластмассовый ΠΏΠ΅Π½Π°Π» для хранСния ΡˆΠΊΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… счСтных ΠΏΠ°Π»ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ. Π’ Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ отсСкС крСпят ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ, Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ β€” Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ. К Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ стСнкС Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ отсСка ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»ΡΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ свСтодиод, Π° ΠΊ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΉ стСнкС β€” Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ.

Он прСдставляСт собой коничСский пластмассовый ΠΊΠΎΠ»ΠΏΠ°Ρ‡ΠΎΠΊ, Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ находится мСталличСский ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ с Ρ€Π΅Π·ΡŒΠ±ΠΎΠΉ. Π‘Ρ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ крСпят ΠΊ корпусу Π³Π°ΠΉΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ корпуса Π½Π°Π΄Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ мСталличСский лСпСсток, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΌ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ с рСзистором R1 Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅.

АнтСнный Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½ΠΎΠΉ конструкции, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ° толстого (5 ΠΌΠΌ) Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Π΅.

Π”Π»ΠΈΠ½Π° ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ° 80… 100 ΠΌΠΌ, Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· отвСрстия Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ отсСкС корпуса ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹.

Π–Π΅Π»Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ частоту ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, частоту Π²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠ΅ΠΊ свСтодиода ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рСзисторов R3, R5 Π»ΠΈΠ±ΠΎ кондСнсаторов C1, Π‘2. Для этого Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ рСзисторов R3 ΠΈ R4 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ истока ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.

Π˜ΡΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ собран ΠΈ ΠΏΠΎ нСсколько ΠΈΠ½ΠΎΠΉ схСмС (рис. 3.19) с использованиСм биполярных транзисторов Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры β€” Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€. ПолСвой ΠΆΠ΅ транзистор (VT2) ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ управляСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠΈ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰ΡƒΠΏΠ° WA1 Π² элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ сСтСвого ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

Вранзистор VT1 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сСрии КВ209 (с индСксами А-Π•) ΠΈΠ»ΠΈ КВ361 VT2 β€” любой ΠΈΠ· сСрии КП103, VT3 β€” любой ΠΈΠ· сСрии КВ315, КВ503, КВ3102. РСзистор R1 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сопротивлСниСм 150…560 Ом, R2 β€” 50 кОм.1,2 МОм. R3 ΠΈ R4 β€” с ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° схСмС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² Π½Π° 15 %, кондСнсатор Π‘1 β€” Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 5…20 ΠΌΠΊΠ€.



Рис. 3.19. Π˜ΡΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° биполярных транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры


Π˜Π½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ скрытой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ Π½Π° микросхСмах

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.20. Он состоит ΠΈΠ» Π΄Π²ΡƒΡ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² β€” усилитСля напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, основой ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ слуТит ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ DA1, ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты, собранного Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π΅ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π° DD1.1 микросхСмы К561Π’Π›1, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ R7C2 ΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ BF1.



Рис. 3.20. ΠžΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ элСктропроводки Π½Π° микросхСмах


ΠŸΡ€ΠΈ располоТСнии Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ WA1 Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ ΠΎΡ‚ токонСсущСго ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° элСктросСти Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° Π­Π”Π‘ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частоты 50 Π“Ρ† усиливаСтся микросхСмой DA1, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ заТигаСтся свСтодиод HL1. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ с частотой 50 Π“Ρ†, запускаСт Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты.

Π’ΠΎΠΊ, потрСбляСмый микросхСмами ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ источника напряТСниСм 9 Π’, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 2 ΠΌΠ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ свСтодиода HL1 β€” 6…7 ΠΌΠ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ питания ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ батарСя 7Π”β€”0,125, Β«ΠšΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄Β» ΠΈΠ»ΠΈ аналогичная Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ производства.

Иногда, особСнно ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° искомая элСктропроводка располоТСна высоко, Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π° свСчСниСм ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° НL1 Π·Π°Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ достаточно Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ сигнализации. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС свСтодиод ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Ρ‡Ρ‚ΠΎ повысит ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. ВсС постоянныС рСзисторы β€” ΠœΠ›Π’-0,125, подстроСчный рСзистор R2 β€” Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘ΠŸΠ—-38Π‘, кондСнсатор Π‘1 β€” К50-6. АнтСнной WA1 слуТит ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ° Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 55x12 ΠΌΠΌ.

ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² корпусС ΠΈΠ· диэлСктричСского ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Π° оказалась Π² Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΉ части ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° максимально ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚ Ρ€ΡƒΠΊΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. На Π»ΠΈΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ сторонС корпуса Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ питания SA1, свСтодиод HL1 ΠΈ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ BF1. ΠΠ°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ подстроСчным рСзистором R2. Π‘Π΅Π·ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ смонтированный ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π² Π½Π°Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅ нуТдаСтся.


ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского поля

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского ноля скрытой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ собран с использованиСм Π² качСствС Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ внСшним элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ дСлитСля напряТСния β€” рСзистора R1 ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (рис. 3.21). Π’ качСствС управляСмого Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² использован Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° микросхСмС К122Π’Π›1. Нагрузкой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° для ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ высокоомныС Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠ½Π° ВОН-1 (ВОН-2).



Рис. 3.21. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ элСктричСского поля


ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ внСшнСго ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского ноля сигнал, Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρƒ, поступаСт Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ измСняСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ появлСниС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ частотой.


Π˜Π½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля

Π’ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, создаСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ элСктричСскоС, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для обнаруТСния скрытой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π²Π°ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ вниманию ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ноля (рис. 3.22) содСрТит Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля Π’1, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, собранный Π½Π° ОУ DA1, ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния Π½Π° ОУ DA2. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ послС усилСния поступаСт Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π° ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ постоянноС Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС с Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R3.



Рис. 3.22. Π˜Π½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля


Если Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ располоТСн Π²Π½Π΅ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ОУ DA2 ΠΌΠ°Π»Π° (ΡˆΡƒΠΌΡ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ), Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ постоянноС напряТСниС 1…1,5 Π’. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ свСтодиод HL1 Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π΅ свСтится, Π»ΠΈΠ±ΠΎ свСтится слабо β€” это зависит ΠΎΡ‚ свойств ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ экзСмпляра ОУ DA2 ΠΈ свСтодиода HL1. Когда Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΡƒ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля DA1 появляСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, достаточноС для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ напряТСния, ΠΈ свСтодиод HL1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡΡ, сигнализируя ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ испытуСмому ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΈ помСхозащищСнности ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π’1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ кондСнсатор Π‘2. ВмСстС с ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ этот кондСнсатор ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€, настроСнный Π½Π° частоту, Ρ€Π°Π²Π½ΡƒΡŽ частотС сСти. ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ срабатывания ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором R3.

ΠŸΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΈΠ· одностороннСго Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1 ΠΌΠΌ. ΠŸΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ мСталличСский ΡΠΊΡ€Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ футляр. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΅Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±ΠΎΠΉΠΌΠ°Ρ… ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π²ΡˆΠΈΡ… Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Β«ΠšΡ€ΠΎΠ½Π°Β» ΠΈΠ»ΠΈ Β«ΠšΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄Β». К футляру ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»ΡΡŽΡ‚ Ρ‰ΡƒΠΏ, Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля.

Π’ качСствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π’1 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ кассСтного ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π΅Ρ€Π°. НСслоТно ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΈ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Основой Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ слуТит ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 7 ΠΌΠΌ ΠΈΠ· Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚Π° 1500НМ. ΠšΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΎ Π°ΠΊΠΊΡƒΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»Π°ΠΌΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠΏΠΎΠ»Π°ΠΌ ΠΈ снова ΡΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ эпоксидным ΠΊΠ»Π΅Π΅ΠΌ, Π²Π»ΠΎΠΆΠΈΠ² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π·Π°Π·ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΡƒ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΈΠ· Π±ΡƒΠΌΠ°Π³ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ тСкстолита) Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,5 ΠΌΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ β€” Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ, ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΉ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ 400 Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° ΠŸΠ­Π’-2 0,1 ΠΌΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π° слСдуСт ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π½Π°ΠΌΠ°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ вся ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π»Π°ΡΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Ρƒ. Π’Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΊΠ»Π΅Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ, Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Π½Π° Ρ‰ΡƒΠΏΠ΅ ΠΈ ΠΎΠ±Π²ΠΎΠ»Π°ΠΊΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм клСя для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ мСханичСских ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² Ρ‰ΡƒΠΏΠ΅ рядом с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ. Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ с ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΎΠΉ экранированным ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.