Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ «Как ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ шпионскиС ΡˆΡ‚ΡƒΡ‡ΠΊΠΈ своими Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈΒ». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 32

Автор Π‘. ΠšΠΎΡ€ΡΠΊΠΈΠ½-ЧСрняк

ΠŸΡ€ΠΈ свободной Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ постоянноС напряТСниС Π² Π½Π΅ΠΉ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 60 Π’. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ VD2 открываСтся, ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора VT1 подаСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R1. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ транзистор VT1 ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ каскада Π½Π° транзисторС VT2, поэтому ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π° свСтодиод погашСн. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² линию посторонних устройств напряТСниС Π² Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ процСсс ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов происходит Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ порядкС, свСтодиод загораСтся.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° β„– 3. Устройство Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ нСсанкционированного ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ для кодирования Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ-Π΄Π²ΡƒΡ…-, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Оно примСняСтся Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° имССтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ устройство Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² Ρ‰ΠΈΡ‚ΠΊΠ΅, ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ†Π΅, Ρ‚. Π΅. ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ дальшС ΠΎΡ‚ охраняСмого Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° (Π² идСальном случаС β€” Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… АВБ).

БистСма охраняСт линию Β«Π·Π° собой». ΠŸΡ€ΠΈ этом всС посылки Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π°, ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΠ΅ с АВБ, бСспрСпятствСнно Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρƒ, Π½ΠΎ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ (вСдСния Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€Π°, Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π°) Π½Π° дискС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° (ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅) Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π½Π°Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° систСмы ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 7.21. Устройство собрано Π½Π° дискрСтных общСдоступных элСмСнтах ΠΈ микросхСмС сСрии 561 с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Вся схСма питаСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ. Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ оТидания ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 10–20 мкА, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ΄Π° β€”150–200 мкА.



Рис. 7.21. Устройство Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ нСсанкционированного ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ


Π’ состав устройства входят:

β€” ΡƒΠ·Π΅Π» ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° Π½Π° элСмСнтах DD1.1, DD1.2;

β€” ΡƒΠ·Π΅Π» ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π° элСмСнтах DD1.3, DD1.4;

β€” ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° А1;

β€” Π΄Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ΄Π° А2;

β€” ΡƒΠ·Π΅Π» питания Π½Π° элСмСнтах VD7, R3, Π‘6, VD8;

β€” ΡƒΠ·Π΅Π» питания напряТСниСм 60 Π’ Π½Π° элСмСнтах VD10, R8, VD9, Π‘7, R7, VD11β€”VD13.

Рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ систСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄ΡΡ‰Π°Ρ связь. ΠŸΡ€ΠΈ снятии Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ с Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π² любом мСстС охраняСмой части Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал готовности станции (425 Π“Ρ†).

ПослС Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π° дискС (ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅) Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ·Π»ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ΄Π° DD1.3, DD1.4 Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 4 Π΄Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° А2 появится ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ А1 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ (Ссли ΠΊΠΎΠ΄ Π½Π°Π±Ρ€Π°Π½ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ).

Если ΠΊΠΎΠ΄ Π½Π°Π±Ρ€Π°Π½ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, систСма Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ блокируСтся Π½Π° врСмя 15–30 с, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° А1 Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, обСспСчивая Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ связь. БистСма вновь Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· 10–20 с послС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Π° Π½Π° Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚.

Входящая связь. Π›ΡŽΠ±Π°Ρ посылка Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° частотой 25 Π“Ρ† ΠΈ напряТСниСм 90β€”120 Π’, ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠ°Ρ ΠΎΡ‚ АВБ, Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π½Π° Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ Π½Π΅ поступаСт, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ А1 Π² исходном состоянии Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚. ПослС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигнала Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° элСмСнтами DD1.1, DD1.2 с нСбольшой Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ, опрСдСляСмой Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ элСмСнтов Π‘2, Π‘Π—, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 4 DD1.2 появится логичСская Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°, которая Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD5 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ А1 Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° врСмя Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π°. ΠŸΡ€ΠΈ снятии Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ с Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ·Π΅Π» запираСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD4, ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΈ вСдСния Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ вновь Π½Π°Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, систСма Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ охраняСмому участку Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² Π±Π΅Π· знания ΠΊΠΎΠ΄Π°. Π”Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ-, Π΄Π²ΡƒΡ…-, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ.

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ β€” 100x60 ΠΌΠΌ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ осущСствляСтся трСмя Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠ°ΠΌΠΈ. ЕдинствСнным условиСм являСтся использованиС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² II ΠΈ III Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ слоТности (с ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50–80 мкА).


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° β„– 4. Активный ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ состояния Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ выявляСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ срабатывании систСмы сигнализации ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ устройство Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ позволяСт Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ радиорСтрансляционныС устройства ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для автоматичСской записи Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ устройства прСдставлСна Π½Π° рис. 7.22.



Рис. 7.22. Активный ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ состояния Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ


Устройство собрано Π½Π° 4 микросхСмах ΠΈ 4 транзисторах.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ состояниС: Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° ΠΎΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Π°. ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ устройства осущСствляСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор R5. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 заряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R5 Π΄ΠΎ напряТСния стабилизации стабилитрона, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° транзисторС VT2.

Π‘ кондСнсатора Π‘2 напряТСниС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 7–8 Π’ поступаСт Π½Π° устройство для питания микросхСм (Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π°). ΠžΡ‚ источника питания Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R6 заряТаСтся кондСнсатор Π‘Π—. РСзисторы R6, R7, кондСнсатор Π‘Π—, свСтодиод VD3 ΠΈ транзистор VT3 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ схСму ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ устройства.

НапряТСниС Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD1 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠšΠ”102 поступаСт Π½Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзисторами R1 ΠΈ R2. НапряТСниС Π½Π° рСзисторС R2 ограничиваСтся транзистором VT1, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС стабилитрона Π΄ΠΎ напряТСния питания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микросхСм ΠΎΡ‚ высокого напряТСния.

Π‘ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° подстроСчного рСзистора R2 напряТСниС высокого уровня поступаСт Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ элСмСнта DD1.1 микросхСмы K561Π›E5, запрСщая ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² с Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° элСмСнтС DD2.1 микросхСмы K561TΠ›1. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ собран Π½Π° основС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π¨ΠΌΠΈΠ΄Ρ‚Π°. ΠŸΡ€ΠΈ зарядС ΠΈ разрядС кондСнсатора Π‘1 Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ заряд кондСнсатора Π‘1 происходит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD2 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠšΠ”522, Π° разряд β€” Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R3, Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСмСнта DD2.1 ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ мСсто ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с частотой слСдования 1–0,5 Π“Ρ†. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ, пройдя Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π‘4, R4 ΠΈ элСмСнт DD2.2, устанавливаСт Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€, собранный Π½Π° элСмСнтах DD2.1, DD1.3, Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСмСнта DD2.3 Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, собранный Π½Π° DD2.3, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… 1, 8 микросхСмы DA1 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КР1014КВ1 присутствуСт высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с DD2.1 ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° элСмСнты DD1.1 ΠΈ DD1.4. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· DD1.1 ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π½Π΅ проходят, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ с рСзистора R2 поступаСт высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. НулСвой ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, снимаСмый с рСзистора R9, подаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ элСмСнтов DD3.1 ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ DD3.3 микросхСмы K561Π›A7. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹, проходящиС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· DD1.4, Π½Π΅ проходят Π½Π° DD3.4. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DD2.4 присутствуСт логичСский Π½ΡƒΠ»ΡŒ, ΠΈ транзистор VT3 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π‘ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° рСзистора R2 снимаСтся напряТСниС логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, достаточноС для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСмСнта DD1.1, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ управляСмого ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² дСсятки ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅

Если ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° сопротивлСниСм ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 кОм, Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π² Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ


ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ рСзистора R2. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ появлСнию Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DD1.1 напряТСния, воспринимаСмого микросхСмой ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСского нуля. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΎΡ‚ DD2.1 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· DD1.1. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DD3.1 высокой ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ DD3.2. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DD3.3 Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈ эти ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ проходят ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ DD3.4.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Π‘6, R12 ΠΈ элСмСнтом DD2.4 ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора VT3. Вранзистор открываСтся, ΠΈ кондСнсатор Π‘Π— быстро разряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ транзистор VT3 ΠΈ свСтодиод VD3, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ярко вспыхиваСт с частотой 0,5–1 Π“Ρ†. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ… ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°ΠΌΠΈ кондСнсатор Π‘Π— подзаряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R6. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° состояния Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ происходит ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² с Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° DD2.1, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ заряда кондСнсатора Π‘Π— Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ устройства Π½Π΅ сказываСтся.

Рассмотрим случай, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° тСлСфонная Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° снята. ΠŸΡ€ΠΈ этом сопротивлСниС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ»ΡŽΡΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΈ рСзисторами R11 ΠΈ R13. НапряТСниС Π² Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ 5β€”25 Π’, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚, рСзистор R13 ΠΈ рСзистор R14, Π·Π°ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10 Ом) сопротивлСниСм микросхСмы DA1.

НапряТСниС, снимаСмоС с рСзистора R13, обСспСчиваСт ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ устройства Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD4 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠšΠ”522. ΠŸΡ€ΠΈ этом. напряТСниС высокого уровня с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ соСдинСния рСзисторов R8, R9 поступаСт Π½Π° элСмСнты DD3.3 ΠΈ DD3.1. Низким ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ закрываСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ DD3.2. Π‘ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° рСзистора R9 снимаСтся напряТСниС логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° DD1.4. Допустим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ (ΠΈΠ»ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π°) Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, которая ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния Π² Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈ этом напряТСниС Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ рСзистора R9 ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, расцСниваСмый микросхСмой ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСского нуля. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с DD2.1 проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· DD1.4, DD3.3 ΠΈ DD3.4. ПослС Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π‘6, R12 ΠΈ элСмСнта DD2.4 ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора VT3, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π½Π° DD1.2 ΠΈ DD1.3 Π² состояниС, Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° элСмСнтС DD2.3. Π‘ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ частотой 12–20 ΠΊΠ“Ρ† ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° микросхСмС DA1.