Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π’ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 6

Автор Π­Π΄ΡƒΠ°Ρ€Π΄ Π‘ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠ²

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ построСния ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² мишСни ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ², Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° состоит лишь Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ спусковоС устройство собраны Π½Π° транзисторах, Π° Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ β€” Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»Π°ΠΌΠΏΠ°Ρ…. Вранзисторный Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ мишСни ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ пСрСносным ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ аккумуляторов. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ пСрСносный Ρ‚ΠΈΡ€ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ с собой Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠ΄. ВСсит ΠΎΠ½ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈ Π²ΠΎ врСмя ΠΎΡ‚Π΄Ρ‹Ρ…Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ интСрСсныС стрСлковыС сорСвнования.

Однако ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторного Ρ‚ΠΈΡ€Π°, Ссли ΠΎΠ½ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² стационарных условиях, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ, сСти Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма транзисторной мишСни с ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 17.

Рис. 17. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма транзисторного Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° мишСни.


Π›ΡƒΡ‡ свСта β€” «пуля», попадая Π½Π° фоторСзистор Π€Π‘-К1 (R13), Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния. Π­Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌΡƒ измСнСнию Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π’1, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° усилитСля состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ этот ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад собран ΠΏΠΎ схСмС эмиттСрного повторитСля. Вакая схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора усилСния Π½Π΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ слуТит этот эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большоС сопротивлСниС фоторСзистора с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм транзисторного усилитСля. Если Π½Π΅ ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ усилСниС, Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ двумя каскадами усилСния Π½Π° транзисторах Π’1 ΠΈ Π’2, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ· эмиттСрного повторитСля ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада усилитСля, собранного Π½Π° транзисторС Π’2.

ЀоторСзистор ΠΈ рСзистор R3 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ напряТСниС смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π’1. БопротивлСния этого дСлитСля ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Нагрузкой эмиттСрного повторитСля слуТит рСзистор R4, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора.

Если ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ схСму ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π½Π° транзисторС с эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°. Π’ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ усилитСлС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° стоит Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π° Π² эмиттСрном ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ β€” Π² эмиттСрной. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΈ опрСдСляСт свойства усилитСля.

Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ напряТСния, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ Π½Π° рСзисторС R4, поступаСт Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ каскада-усилитСля, собранного Π½Π° транзисторС Π’2. Нагрузкой Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада слуТит рСзистор R6, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ усилСнный ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада опрСдСляСтся рСзисторами R2, R3 ΠΈ R5. Π­Ρ‚ΠΈ рСзисторы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ эмиттСрного повторитСля. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΈΡ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ опрСдСляСт ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… каскадов элСктронной мишСни. УсилСнный ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘3 поступаСт Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π”1 ΠΈ Π½Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, состоящий ΠΈΠ· рСзисторов R7 ΠΈ R8. БопротивлСния рСзисторов этого дСлитСля Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° напряТСния, Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС, ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,5 Π². Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ напряТСниСм ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,5 Π² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ устройство Π½Π΅ сработаСт. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… срабатываний мишСни ΠΎΡ‚ случайных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠΉ Π»ΡƒΡ‡ΠΎΠΌ свСта Π² мишСнь.

Если Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ большС 0,5 Π², Π΄ΠΈΠΎΠ΄ открываСтся ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора спускового устройства. Π’ описываСмой мишСни спусковоС устройство собрано ΠΏΠΎ схСмС ΠΆΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ½ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π’3 Π½Π΅ поступит ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ, транзистор Π’3 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ВслСдствиС падСния напряТСния Π½Π° прямом сопротивлСнии Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π”2, создаваСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R2, напряТСниС Π½Π° эмиттСрС транзистора Π’4 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ), Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Π΅, ΠΈ этот транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ транзистора Π’4 являСтся ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ P1, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ транзисторС Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, ΡΠΊΠΎΡ€ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ притянут ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ останутся Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ. Π’Π°ΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈΠΉ стрСлок Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΠΎΠΌ свСта Π² мишСнь. Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΆΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°.

Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π»ΡƒΡ‡ свСта ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° фоторСзистор (Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΈΠ»ΠΈ мишСнь), Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСрного повторитСля появляСтся ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (напряТСния). ПослС усилСния этот ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π’3, ΠΈ ΠΎΠ½ закрываСтся. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора Π’3 достигаСт напряТСния питания, транзистор Π’4 открываСтся, ΠΈ Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π 1 появляСтся Ρ‚ΠΎΠΊ. Π Π΅Π»Π΅ срабатываСт, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ сигнальноС устройство, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π»ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ мишСни.

ПослС этого Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзисторы R9 ΠΈ R11 ΠΈ участок коллСктор—эмиттСр транзистора Π’4 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ кондСнсатор Π‘4. Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Π’3 достигнСт Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот транзистор откроСтся, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π’3, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π’4 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π’4 закроСтся ΠΈ всС устройство ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ состояниС, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ оТидания. Π’ этом ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ P1 прСкратится ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ разомкнутся.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ P1 Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ прСкращаСтся ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ большиС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ экстратоки. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ явлСниС Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ всСгда, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° прСрываСтся Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π’ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Ρ… с элСктромагнитами Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ… Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ явлСний ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ самоиндукции, Π²Ρ‹, Π½Π°Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ проскакиваСт большая искра. НСостороТный экспСримСнтатор, Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСбольшом ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠšΠ‘Π‘-Π›-0,50, ΠΎΡ‰ΡƒΡ‰Π°Π΅Ρ‚ довольно ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ΄Π°Ρ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ экстратоки, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π 1 β€” транзистор Π’4, Π½Π΅ Π²Ρ‹Π²Π΅Π»ΠΈ послСдний ΠΈΠ· строя, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСния, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ этими Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ допустимыС Π½Π° участкС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€” эмиттСр, ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π”3. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· этот Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ экстратоки, ΠΈ транзистор оказываСтся Π²Π½Π΅ опасности.

ВсС устройство транзисторной мишСни питаСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠšΠ‘Π‘-Π›-0,50. НСсколько Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ источников питания Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ссли ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΆΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ (особСнно Ссли Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π½Π΅ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅), всС устройство Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ срабатывания, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠΈ Π² мишСнь спусковоС устройство Π½Π΅ сработаСт вовсС.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ источники питания. БпусковоС устройство питаСтся ΠΎΡ‚ всСх Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π° ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° Π’2 β€” Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… (Π‘1). Π Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для питания усилитСля Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ достаточно напряТСния 6–7 Π², Π° для Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ спускового устройства с элСктромСханичСским Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ счСтчиком напряТСниС ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ побольшС β€” 8–9 Π². ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ потрСбляСмый Ρ‚ΠΎΠΊ транзисторной мишСнью Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 7β€”10 ΠΌΠ°.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзисторного Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° мишСни ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ. На рисунках 18 ΠΈ 19 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² размСщСния Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ мишСни Π½Π° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ (рис. 20).

Рис. 18. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ транзисторной мишСни.

Рис. 19. ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ транзисторной мишСни.

Рис. 20. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹.


Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π΅ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° основой ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ слуТит пластина Π΄ΡŽΡ€Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 120x60 ΠΌΠΌ. Вранзисторы установлСны Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° питания ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ устройству ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° пятиконтактной ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ΄ΠΊΠ΅. РСзисторы, кондСнсаторы ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ установлСны с Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ стороны ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈ припаяны ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»Π΅ΠΊ для транзисторов ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Π½ΠΎΠΊ со ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ВмСсто Π΄ΡŽΡ€Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π³Π΅Ρ‚ΠΈΠ½Π°ΠΊΡΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΊΡΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Π’ этом случаС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΊΠ°ΠΌ ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Π΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ, Π·Π°Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ΠΌ Π² отвСрстия, просвСрлСнныС нСпосрСдствСнно Π² ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ для транзисторной мишСни ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅, лишь Π±Ρ‹ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ ΠΈΡ… соотвСтствовали ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС. Если Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ мишСнь пСрСносной, Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ (рСзисторы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π£Π›Πœ ΠΈΠ»ΠΈ ΠœΠ›Π’, кондСнсаторы Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ЭМ, ЭВО ΠΈΠ»ΠΈ К-50). ВмСсто Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π”2Π• ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ любой ΠΈΠ· сСрии Π”2 ΠΈΠ»ΠΈ Π”9, Π° вмСсто Π”7Π• ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π”7 с Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ индСксом, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π”226.