Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ «Устройства ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСктропитания для Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… энСргоисточников». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 10

Автор АндрСй ΠšΠ°ΡˆΠΊΠ°Ρ€ΠΎΠ²

На ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Ρ‹ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ уровням Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ +5 ΠΈ +12 Π’.

Π’ исходном состоянии ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… DA 1/7 ΠΈ DA2/5 Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅.

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ эмиттСру Q2 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ развязки. ПадСниС напряТСния Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… основных ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ… Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ развязки D2 ΠΈΠ»ΠΈ D3 ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D5 ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС поступит Π½Π° эмиттСр Q2, вызывая Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅.

Π‘ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° запирания транзистора Q2 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… элСмСнтов микросхСмы TL494, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ приводят ΠΊ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΡ‚ΠΎΡ‡ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.

Π›ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° микропроцСссорной систСмы ПК ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΅Π΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования трСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания, Π½ΠΎ ΠΈ слуТСбных сигналов.

Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сигнал высокого логичСского уровня для информирования Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ процСссора систСмного Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСния питания приняли номинальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ свою Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ

ВСрнСмся Π½Π°Π·Π°Π΄ ΠΈ вспомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 1.2, ΡƒΠ·Π»ΠΎΠΌ Π½Π° транзисторС Q7 вырабатываСтся сигнал Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» (POWERGOOD). Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора Q7. Π’ исходном состоянии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚, каскад Π½Π° Q7 обСсточСн. ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора Q7 осущСствляСтся ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ срабатывания каскада Π½Π° этом транзисторС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΡƒΠ·Π»Π° Π½Π° транзисторС Q2. Базовая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора Q7 соСдинСна с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· оксидный кондСнсатор Π‘22. ПоявлСниС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ этого ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сопровоТдаСтся Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ Π‘22. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R36 поступаСт Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Q7.

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ транзистора Q7 соСдинСн с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, поэтому Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ транзистор.

Когда ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ увСличиваСтся Π΄ΠΎ уровня 0,7…0,8 Π’, транзистор Q7 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² насыщСниС, ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ логичСского уровня. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ заряда кондСнсатора Π‘22 напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Q7 сниТаСтся, ΠΈ ΠΎΠ½, соотвСтствСнно, закрываСтся. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора возрастаСт Π΄ΠΎ уровня питания, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ +5 Π’.

Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ!

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» вырабатываСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ источника питания. Если Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ появляСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ источника питания, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ кондСнсатор Π‘22. Π’ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ускорСнного разряда кондСнсатора Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D23, ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сопротивлСния рСзистивного дСлитСля Π½Π° R36 ΠΈ R37.

Разряд этого кондСнсатора послС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктропитания осущСствляСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D23, минуя рСзистивныС элСмСнты.

Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания для ПК Π² Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… цСлях, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽ ΠΈΡ… я, β€” Π² качСствС Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания для элСктронных самодСлок Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния ΠΈ слоТности ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ для питания ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ (Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Β«ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π°Β» Ρ‚ΠΎΠΊ 10 А) радиостанции.

1.2.6. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ формирования сигнала POWERGOOD

БущСствуСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ схСм формирования сигнала POWERGOOD ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ИИП-прСобразоватСля ΠΈΠ· Π΄Π΅ΠΆΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°. Π­Ρ‚ΠΈ схСмныС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ схСмотСхники ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π’Π°ΠΊ, для формирования сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах часто примСняСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ микросхСма Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LM339, структурная схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ прСдставлСна Π½Π° рис. 1.12.


Рис. 1.12. Бтруктурная схСма микросхСмы LM339


Π Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° для исполнСния Π² пластиковом корпусС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° DIP.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° содСрТит Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСний.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады Π² Π½ΠΈΡ… содСрТат транзисторныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ источнику ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор.

ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания Π½Π° всС элСмСнты микросхСмы подаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 3. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ схСмы, соСдинСнный с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 12, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΡƒ источника питания.

Высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» устанавливаСтся ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½.

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ нСсколько способов формирования сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β».

Оно ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ прямым ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ устройством Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ +5 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ каскада, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ нарастания основного напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ схСмы ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ PG.

Π’ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 1.13, гСнСрация сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» происходит Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ косвСнной ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ уровня напряТСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’.


Рис. 1.13. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° для Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β»


Π’ элСктронном каскадС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ· состава микросхСмы LM339 ΠΈ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π½Π° Q1. Благодаря ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° шинС PG сигнал ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ступСнчатый Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ с ΠΊΡ€ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΈΠΌ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ нСустойчивая Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, возмоТная ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠΌ нарастании ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ².

Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы напряТСниС питания появляСтся Π½Π° микросхСмС ШИМ-прСобразоватСля β€” TL494. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ TL494/14 Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ стабилизированноС напряТСниС +5 Π’, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° R3, R4 подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля DA3 микросхСмы TL494. Пока Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ напряТСниС Π½Π΅ достигнСт номинального значСния, напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля DA3 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ TL494/3 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π±Π°Π·Π° эмиттСрного повторитСля напряТСния.

Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ с этого Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° микросхСмы пСрСдаСтся Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° микросхСмы LM339. На Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ выставлСн ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния, снимаСмый с рСзистивного дСлитСля напряТСния Π½Π° рСзисторах R9 ΠΈ RIO.

РСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ TL494/14 ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ LM339/6 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, установлСнный Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 7.

НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅.

Π’ процСссС Β«ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎΒ» запуска источника питания происходит постСпСнноС ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ пСрСдаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ TL494/1 Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля ошибки DA3. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ усилитСля DA3 Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ происходит ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

Оно ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ достигаСт уровня, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ открываСтся Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ каскады микросхСмы TL494, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Q1.

ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния повторяСтся Π½Π° эмиттСрС Q1 ΠΈ пСрСдаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ 7 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° микросхСмы LM339. Когда напряТСниС Π½Π° этом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ сравняСтся с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ, установлСнным Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ β€” Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 6, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΈ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 1 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° появляСтся с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° установки Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ… источника питания. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° обСспСчиваСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊ эмиттСру транзистора Q1 оксидного кондСнсатора Π‘2. Заряд Π½Π° кондСнсаторС нарастаСт ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ, Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ появлСния высокого уровня сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Смкости кондСнсатора Π‘2, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ рСзистора R7, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ происходит процСсс заряда.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, данная схСма Π½Π΅ содСрТит элСмСнтов слСТСния Π·Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ напряТСния нСпосрСдствСнно Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’ (Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ усилитСля DA3 микросхСмы TL494). РСшСниС ΠΎ достиТСнии Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ принимаСтся ΠΏΠΎ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ сигнала Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ TL494/3 Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΈΡ… Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ микросхСмой TL494.

Π’ схСмС, элСмСнты ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 1.14, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сигнала Β«ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β» производится ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… цСпях всС процСссы ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Π£Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π² схСмС Π½Π΅ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ появлСния напряТСний питания каскада ШИМ-управлСния. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ сигнала вырабатываСтся ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ схСмами. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° транзисторном ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅, коллСкторная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ (рСзистор R6) ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’.