Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ «БСмь шагов Π² элСктронику». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 10

Автор А. Π§Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌΡ‹Ρ€Π΄ΠΈΠ½

ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этого Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½Π° β€” больший коэффициСнт усилСния усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, ΠΈ больший Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ эффСкт.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ нашСго усилитСля Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слоТнСС, Π½ΠΎ Π·Π°Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ качСствСнноС Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. Достигнуто это Π·Π° счСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмотСхники, большСго коэффициСнта усилСния усилитСля (ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ смСщСниС транзисторов Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис 3.7.



Рис. 3.7. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° транзисторного УНЧ


Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ своСго ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΈΠΊΠ°, питаСтся ΠΎΡ‚ двуполярного источника напряТСния.


 ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π² дальнСйшСм ΠΏΡƒΡ‚Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹, Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниСм питания этого усилитСля напряТСниС ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ источника, Π° Π½Π΅ ΠΈΡ… ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ сумму.


Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад усилитСля Π½Π° транзисторах VT1β€”VT3 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚. Π½. Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Вранзистор VT2 Π² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ усилитСлС являСтся источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (довольно часто Π² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлях Π² качСствС источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ставят ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор достаточно большого Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°). А транзисторы VT1 ΠΈ VT3 ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ· источника ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ.

Если Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора увСличится, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΠΆΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ β€” источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ сумму Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов постоянной. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ транзисторы Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ «идСальноС» устройство сравнСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для качСствСнной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. На Π±Π°Π·Ρƒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора подаСтся усиливаСмый сигнал, Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ β€” сигнал ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π½Π° рСзисторах R6, R8.

ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ сигнал «расхоТдСния» выдСляСтся Π½Π° рСзисторах R4 ΠΈ R5, ΠΈ поступаСт Π½Π° Π΄Π²Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ усилСния:

♦ транзистор VT7;

♦ транзисторы VT4β€”VT6.


 ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅.

Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ транзистора ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚. Π½. Β«Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎΒ», ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ интСрСсным свойством β€” Ρ‚ΠΎΠΊ, проходящий Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор VT6, Π² точности Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, проходящСму Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор VT5.


Когда сигнал рассогласования отсутствуСт, Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΊ, Ρ‚. Π΅. транзисторов VT7 ΠΈ VT6, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹, ΠΈ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² (Π² нашСй схСмС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ транзистор VT8) Π² точности Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ.

ΠŸΡ€ΠΈ появлСнии сигнала рассогласования Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ транзисторов становятся Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΈ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния становится большС ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС нуля. Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС усиливаСтся составным эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, собранным Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ… VT9, VT10 ΠΈ VT11, VT12, ΠΈ поступаСт Π½Π° АБ β€” это Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал усилитСля.

Вранзистор VT8 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ‚. Π½. Ρ‚ΠΎΠΊΠ° «покоя» Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада. Когда Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ подстроСчного рСзистора R14 находится Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, транзистор VT8 ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΌ минимально. Если ΠΆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ рСзистора Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° транзисторС VT8 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. А это Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ внСсСнию сигнала смСщСния Π² Π±Π°Π·Ρ‹ транзисторов Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ эмиттСрного повторитСля. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ смСщСниС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ класса Π‘ Π΄ΠΎ класса Π’, Π° Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ β€” ΠΈ Π΄ΠΎ класса А. Π­Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· способов ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ качСства Π·Π²ΡƒΠΊΠ° β€” Π½Π΅ слСдуСт ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² этом Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° дСйствиС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи.

ΠŸΠ»Π°Ρ‚Π°. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ собран Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΈΠ· одностороннСго стСклотСкстолита Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1,5 ΠΌΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 50x47,5 ΠΌΠΌ. Π Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π² Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ схСму располоТСния Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ с диска, ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΠΊΠ½ΠΈΠ³Π΅ (Β«Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠΊ 3Β», Ρ„Π°ΠΉΠ» 2.DXF), ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° рис. 3.8.



Рис. 3.8. Π Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ устройства (50x47,5 ΠΌΠΌ, Π² Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ)


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° располоТСния Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ устройства ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.9.



Рис. 3.9. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° располоТСния Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ устройства


Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рис. 3.10.



Рис. 3.10. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ усилитСля


Настройка. Настройка усилитСля Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² установкС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада рСзистором R14 ΠΏΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΡƒ искаТСний. НС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ β€” слишком большой Ρ‚ΠΎΠΊ покоя просто соТТСт ваш Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ рСкомСндуСтся ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π°ΠΉΠΎΠ½Π΅ 100 ΠΌΠ.

Аналоги ΠΈ элСмСнтная Π±Π°Π·Π°. ΠŸΡ€ΠΈ отсутствии Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ транзисторы VT1, VT3 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΠΌΠΈ с допустимым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 ΠΌΠ, допустимым напряТСниСм Π½Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ напряТСния питания усилитСля ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ большим коэффициСнтом усилСния.


 Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚.

Для качСствСнной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ характСристики этих транзисторов Π±Ρ‹Π»ΠΈ максимально ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ сразу ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ транзисторов, Π° Π½Π΅ собирайтС ΠΈΡ… «с Π±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎ сосСнкС». ΠŸΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, оказываСтся ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ достаточноС ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Ρƒ.


Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСм ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторныС сборки, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ собой ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ транзисторов Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС с максимально ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками β€” это Π±Ρ‹Π» Π±Ρ‹ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚.

Вранзисторы VT9 ΠΈ VT10 ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ VT11, ΠΈ VT12. Они Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитаны Π½Π° напряТСниС Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания усилитСля (Π½Π΅ Π·Π°Π±Ρ‹Π»ΠΈ, ΡƒΠ²Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ питаСтся ΠΎΡ‚ двухполярного источника напряТСния?).

Для Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзистор, для отСчСствСнных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² β€” придСтся ΠΏΠΎΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‚ΡŒ Π² Π˜Π½Π΅Ρ‚Π΅! Вранзисторы Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада VT11, VT12 Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π΅ мСньший:

IΠ² = U/R, A

Π³Π΄Π΅ U β€” напряТСниС питания усилитСля; R β€” сопротивлСниС АБ.


 ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ транзисторы Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ выдСляСмой. Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° для Π΅Π΅ расчСта Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π² расчСтС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π½ΠΎ Π² качСствС U Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания усилитСля.


Для транзисторов VT9, VT10 допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅:

IΠΏ = IΠ²/Π’, А,

Π³Π΄Π΅ IΠ² β€” ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов; Π’ β€” коэффициСнт усилСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° приводятся Π΄Π²Π° коэффициСнта усилСния β€” ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния Β«ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала», Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ β€” для схСмы с ОЭ.

Π’Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ для расчСта Ρ‚ΠΎΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ для Β«ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала». ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов КВ972/КВ973 β€” ΠΈΡ… коэффициСнт усилСния составляСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 750. НайдСнный Π²Π°ΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ мСньшим коэффициСнтом усилСния β€” это сущСствСнно для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ допустимоС напряТСниС Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания усилитСля ΠΈ допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅ 100 ΠΌΠ.

РСзисторы β€” Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ с допустимой рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,125 Π’Ρ‚. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ β€” элСктролитичСскиС, с Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ напряТСниСм Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ напряТСния питания усилитСля.

Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌ Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΠΊ. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ устройства дСмонстрируСт Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΠΊ Β«Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠΊ 3Β» β€” > Β«Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ УНЧ Π½Π° транзисторах» Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌ дискС.


Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты Π½Π° микросхСмах

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π° К174УН14. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Π² усилитСлях Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ двояким ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ β€” Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ составная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ усилитСля, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ Β«Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ„Π»Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Β». Π―Ρ€ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ являСтся микросхСма К174УН14 (Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ TDA2003).

Π­Ρ‚Π° пятиногая микросхСма Π² корпусС ВО-220 (Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ корпуса ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ транзисторы КВ818β€”ΠšΠ’819) прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊ ΡƒΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ трСбуСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ нСсколько элСмСнтов обвязки.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.11.



Рис. 3.11. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° УНЧ Π½Π° микросхСмах


Она являСтся Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ приводится Π² описании Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ микросхСму. Π‘Ρ€Π°Π·Ρƒ хочСтся Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ совСт Π½Π° Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ β€” с Π½Π΅Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΡ‹ΠΌΠΈ микросхСмами свою ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ всСгда собирайтС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмС, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π΅Π· Π½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠΉ микросхСмой Π²Ρ‹ Π½Π΅ смоТСтС ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, насколько ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы. Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π² ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ казусы, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π² Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ микросхСма Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π±Ρ‹ ΠΈ Π½Π΅ Π½Π°Π΄ΠΎ.