Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 37

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

Рис. 2.44. ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ схСма Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° Π½Π° основС согласованной ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС принято ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ UKK, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.


Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° «программируСтся» ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ задания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора T1. НапряТСниС UΠ‘Π­ для T1 устанавливаСтся Π² соотвСтствии с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ транзистора. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ оказываСтся Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ схСмы, ΠΈ транзистор Π’2, согласованный с транзистором Π’1 (Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ сдвоСнный транзистор), ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π½ для T1. НСбольшими Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ.

Одно ΠΈΠ· достоинств описанной схСмы состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ устойчивости ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ UKK Π·Π° Π²Ρ‹Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Ρ‚ падСния напряТСния Π½Π° эмиттСрном рСзисторС. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π›Π΅Π³Ρ‡Π΅ всСго ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠΏΡ€ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзистора (рис. 2.45).



Рис. 2.45.


Π’ связи с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эмиттСрныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с UKK, рСзистор 14,4 кОм Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1 ΠΌΠ. Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π² транзисторной схСмС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π˜Ρ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°: Π°) ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠΉ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ согласованных транзисторов ΠΈ Π±) Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ схСму, которая Π±Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π°ΠΆΠ΅ бСзрСзисторныС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ усилитСли, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ всСго усилитСля задаСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ внСшнСго рСзистора, Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π».

НСдостатки Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π», обусловлСнныС эффСктом Π­Ρ€Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ нСдостатком: Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ нСсколько измСняСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ‚. Π΅. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы Π½Π΅ бСсконСчно. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ транзистора Π’2 напряТСниС UΠ‘Π­ слСгка мСняСтся Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (проявлСниС эффСкта Π­Ρ€Π»ΠΈ); ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ говоря, Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π½Π΅ являСтся Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ (рис. 2.46).



Рис. 2.46.


ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π° 25 % Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы, Ρ‚. Π΅. характСристики Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы сущСствСнно Ρ…ΡƒΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ характСристики рассмотрСнного Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с эмиттСрным рСзистором.

Если ΠΆΠ΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высококачСствСнный источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚), Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ схСма, показанная Π½Π° рис. 2.47.



Рис. 2.47. Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ схСма Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°.


Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… составляСт нСсколько дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°; такая схСма β€” Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π½Π΅ΠΉ измСнСния напряТСния UΠ‘Π­, обусловлСнныС измСнСниями напряТСния UКЭ, ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ влияниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ этой схСмС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ согласованныС транзисторы.

Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ Уилсона. На рис. 2.48 прСдставлСно Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ постоянства Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.



Рис. 2.48. Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ Уилсона. ВлияниС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ Π·Π° счСт каскодного Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора Π’3, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ измСнСния напряТСния транзистора T1.


Вранзисторы Π’1 ΠΈ Π’2 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π΅. Благодаря транзистору Π’3 ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора Π’1 фиксирован ΠΈ Π½Π° ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ падСния напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС питания UKK. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ позволяСт ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ эффСкт Π­Ρ€Π»ΠΈ Π² транзисторС Π’1, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ слуТит для задания Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ опрСдСляСтся транзистором Π’2. Вранзистор Π’3 Π½Π΅ влияСт Π½Π° баланс Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², Ссли Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎ ΠΌΠ°Π»; Π΅Π³ΠΎ СдинствСнная функция состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π’1. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторах Π’1 ΠΈ Π’2 падСния напряТСния Π½Π° эмиттСрных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… фиксированы; транзистор Π’3 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнт, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ просто ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ каскодном Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΡ‹ рассмотрим ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅). ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, транзистор Π’3 Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ с транзисторами Π’1 ΠΈ Π’2.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ с нСсколькими Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ коэффициСнты отраТСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ - Π² случаС использования транзисторов n-p-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² нСсколько Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ. О Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ эта идСя воплощаСтся Π² Тизнь, Π΄Π°Π΅Ρ‚ прСдставлСниС схСма, изобраТСнная Π½Π° рис. 2.49.



Рис. 2.49. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° с нСсколькими Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Π­Ρ‚Π° схСма ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для получСния Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.


ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· транзисторов β€” источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°), Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ· ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹ всСх транзисторов, ΠΈ Π² связи с этим ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ. ПолоТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ, Ссли Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π² схСму Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор (рис. 2.50).



Рис. 2.50.


На рис. 2.51 прСдставлСны Π΄Π²Π° Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°.




Рис. 2.51. Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… коэффициСнт отраТСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ ΠΎΡ‚ 1:1.


Π­Ρ‚ΠΈ схСмы ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ) ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π» Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах коэффициСнт отраТСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² (ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄Π΅ΠΉ) эмиттСрных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π€ΠΈΡ€ΠΌΠ° Texas Instruments ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° Уилсона Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… схСм Π² ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… транзисторных корпусах Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ВО-92. БСрия TL011 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ схСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ 1:1, 1:2, 1:4 ΠΈ 2:1, ΠΏΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ устойчивости Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния опрСдСляСтся значСниями ΠΎΡ‚ 1,2 Π΄ΠΎ 40 Π’. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Уилсона ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ характСристиками источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” ΠΏΡ€ΠΈ постоянном ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° 0,05 % Π½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ β€” ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ всСго ΠΎΠ½Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° (50 Ρ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ дСшСвлС). К соТалСнию, эти ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ схСмы ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° транзисторах n-p-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ способ получСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ, состоит Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (рис. 2.52).



Рис. 2.52. Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ эмиттСрного рСзистора. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ здСсь Π½Π΅ ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π΅Π½ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ.


Если схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ плотности, Ρ‚ΠΎ, согласно ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ЭбСрса-Молла, Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСний UΠ‘Π­ зависит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ плотностСй Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Для согласованных транзисторов ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ плотностСй Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π“Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ Π½Π° рис. 2.53 позволяСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСний ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π² ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΌ случаС ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π» с Π½Π΅Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ.



Рис. 2.53. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² согласованных ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ… транзисторов ΠΎΡ‚ разности напряТСний Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2.12. ΠŸΠΎΠΊΠ°ΠΆΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ с Π½Π΅Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° рис. 2.52, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ описали.

НСкоторыС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов

2.15. Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады

Π’ этой Π³Π»Π°Π²Π΅ ΡƒΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли Π² эмиттСрном ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π² схСму, Ссли ΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с нСсиммСтричным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ расщСплСнныС источники питания, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ покоя ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ, ΠΏΡ€ΠΈ двуполярном сигналС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ (Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° усилитСлями класса А). Π’ΠΎΠΊ покоя Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ большим, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… значСниях сигнала, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ схСма Π² состоянии покоя рассСиваСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. НапримСр, Π½Π° рис. 2.54 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма повторитСля, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ с сопротивлСниСм 8 Ом ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 10 Π’Ρ‚.