Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ питания для IBM PCΒ». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 32

Автор АлСксандр ΠšΡƒΠ»ΠΈΡ‡ΠΊΠΎΠ²

Π’Π°ΠΊΠΎΠ² ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания. Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ рассмотрСно построСниС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² схСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 3.2, ΠΈΡ… особСнности ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ исполнСния ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ². БущСствуСт достаточно большоС число Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ-ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ источников питания, поэтому Π½Π΅ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Ρƒ вас Π±Π»ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ².

3.4.1. ШИМ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

ШИМ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ силового каскада ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ способом управлСния ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния источника питания. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ модулятора построСна Π½Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ распространСнной микросхСмС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° TL494 (ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 3.2, β€“ IC1). ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ описаниС ΠΈ основныС тСхничСскиС характСристики этой микросхСмы ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Π³Π»Π°Π²Π΅ 2. Π Π°Π·Π΄Π΅Π», посвящСнный Π΅Π΅ описанию, содСрТит ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ схСму, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рис. 2.7. Рассмотрим схСму Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ШИМ прСобразоватСля для случая примСнСния согласно рис. 3.2. ΠŸΡ€ΠΈ ссылках Π² описании Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ·Π»Ρ‹ микросхСмы Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ нумСрация элСмСнтов микросхСмы, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рис. 2.7.

ПослС ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ питания Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ IC1/12 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ каскады микросхСмы ШИМ прСобразоватСля. Π£Π·Π»ΠΎΠΌ, Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ частоту слСдования ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡΡ…, являСтся Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, рабочая частота ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСляСтся внСшними элСмСнтами, соСдинСнными с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ IC1/5 ΠΈ IC1/6. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов производится ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. К IC1/5 подсоСдиняСтся кСрамичСский кондСнсатор, Π° ΠΊ IC1/6 – рСзистор. Частота Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ опрСдСляСтся значСниями этих элСмСнтов ΠΈ вычисляСтся ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ (2.1). Для Π΅Π΅ вычислСния Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ схСма, привСдСнная Π½Π° рис. 3.2, Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ подставлСны значСния сопротивлСния рСзистора R21 ΠΈ Смкости кондСнсатора C9. Частота, рассчитанная ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ (2.1), ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°Ρ… элСмСнтов, составляСт ~34 ΠΊΠ“Ρ†. ΠŸΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 3 Π’ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ IC1/5.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ источника ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния +5 Π’ IC1/14 микросхСмы TL494 подсоСдинСн ΠΊ IC1/13 – Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ для Π΅Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… логичСских элСмСнтов DD3 ΠΈ DD4. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния IC1/14 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊ рСзистивному Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ рСзисторами R9 ΠΈ R10. БрСдняя Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° этого дСлитСля соСдинСна с Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ IC1/2 – ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля сигнала рассогласования DA3. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля сигнала рассогласования DA3, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ внСшниС сигналы ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ IC1/1, присоСдинСн ΠΊ срСднСй Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ рСзистивного дСлитСля Π½Π° R7, R8. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ рСзистора R7 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° напряТСния +5 Π’. Номиналы сопротивлСний Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… рСзисторов R7 – R10 ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ 5,1 кОм. ΠŸΡ€ΠΈ номинальном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ напряТСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ +5 Π’ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния микросхСмы IC1, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… DA3 ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ ΠΈ сигнал рассогласования (напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DA3) Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ уровня Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния +5 Π’ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ номинального уровня Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ уровня Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ DA3, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ пСрСдаСтся Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° DA2. На ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ уровня Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния систСма авторСгулирования Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² (Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ 7 ΠΈ 8 рис. 2.8). На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΆΠ΅ DA2 Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π²ΠΈΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ 4 (рис. 2.8), Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Из этой ΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ уровня Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² возрастаСт.

Π’ схСмотСхникС ΡƒΠ·Π»Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля рассогласования извСстно мноТСство ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ конструкций Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° +5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°. ΠŸΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ обозначСния элСмСнтов для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ схСмы ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ прСдставлСн Π½Π° рис. 3.3. Канал ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для слСТСния Π·Π° уровнями напряТСний ΠΏΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ напряТСний +5 ΠΈ +12 Π’. ΠŸΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ рСзистивного дСлитСля напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 1 микросхСмы TL494 ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, состоит ΠΈΠ· Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° рСзисторов R3 – R6 Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ². ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² подбираСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ смСщСния Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля DA3 микросхСмы TL494. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ составных рСзистивных Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ довольно часто. Π’ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° сопротивлСний производится Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠΉ рСзисторов Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π½ΠΎ ΠΈ Π² Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅, соСдинСнном с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния микросхСмы TL494. ΠŸΠ»Π΅Ρ‡ΠΈ рСзистивных Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, составлСнныС ΠΈΠ· Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° сопротивлСний, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния TL494/12 ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля DA3.

Рис. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ напряТСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи (Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ 1)

Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π΅ построСния Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ установка Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ DA3 выполняСтся постоянными рСзисторами ΠΈ поэтому такая схСма Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π΅ допускаСт.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ конструкции Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ усилитСля сигнала рассогласования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 3.4.

Рис. 3.4. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ напряТСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи (Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ 2)

Π’ этой ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ постоянный ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния задаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ усилитСля DA3 микросхСмы TL494. ΠŸΠΎΠ΄ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΉΠΊΠ° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ уровня смСщСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ TL494/1 выполняСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ подстроСчного рСзистора R3. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС сущСствуСт Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ подстройки Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ допуском. Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ подстроСчныС рСзисторы Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ составныС Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ мСстС рСзистивных Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ напряТСния. ЗаводскиС установки ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ подстроСчных рСзисторов ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ нСобходимости Π½Π΅ рСкомСндуСтся.

Виповая схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для ШИМ прСобразоватСля Ρ‚ΠΈΠΏΠ° TL494 ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ содСрТит ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ RC Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ IC1/3 ΠΈ IC1/2 (Π² соотвСтствии с Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, принятой Π½Π° рис. 3.2). Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ IC1/2 – Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния усилитСля рассогласования, Π° IC1/3 – Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… усилитСлСй ошибки DA3 ΠΈ DA4. Частотная коррСкция способствуСт ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ устойчивости Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ части ШИМ прСобразоватСля ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния +5 Π’. Π Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ обусловлСно ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ мноТСствСнных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнтов ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ скачок ΠΈΠ»ΠΈ спад напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ систСма авторСгулирования Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ΠΎΠ² Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π»ΠΈ колСбания пСриодичСского Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π°, установлСны Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ микросхСмы IC1 являСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния силовым каскадом Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания. БхСмотСхничСскоС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзисторного каскада ШИМ прСобразоватСля ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρƒ, описанному Π² Π³Π»Π°Π²Π΅ 2. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов микросхСмы TL494 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ сигналы ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ IC1/8 ΠΈ IC1/11 микросхСмы TL494. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов IC1 ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ рСзисторы R22 ΠΈ R24 с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ сопротивлСниями, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ 3,9 кОм, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзисторов Q3 ΠΈ Q4, входящих Π² состав ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ каскада. Π’ каскадС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторы 2SC945. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ W1 ΠΈ W2 трансформатора T2, соСдинСнныС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ для транзисторов ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля. Начала ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ трансформатора T2 Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС, прСдставлСнной Π½Π° рис. 3.2, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля осущСствляСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ источника, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ микросхСмы IC1. РСзисторы R22 ΠΈ R24 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ кондСнсатору Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° питания C17. НапряТСниС питания Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзисторов Q3 ΠΈ Q4 подаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнныС рСзистор R23, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D11 ΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ W1, W2 трансформатора T2. Π”ΠΈΠΎΠ΄ D11 ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ трансформатора T2. Π’ΠΈΠ΄ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… сигналов Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… транзисторов Q3 ΠΈ Q4 Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½ прСдставлСнному Π½Π° рис. 2.10. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… сдвинуты ΠΏΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρ‹ транзисторов Q3 ΠΈ Q4 ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнным Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌ D24 ΠΈ D25. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌ установлСн элСктролитичСский кондСнсатор C12. НапряТСниС Π½Π° эмиттСрах транзисторов Q3 ΠΈ Q4 поддСрТиваСтся Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ +1,6 Π’. НаличиС постоянного смСщСния эмиттСров создаСт условия для Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микросхСмы IC1/8 ΠΈ IC1/11. На Π±Π°Π·Ρ‹ транзисторов Q3 ΠΈ Q4 ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ сигналы ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² транзисторов, входящих Π² состав микросхСмы IC1. НапряТСниС насыщСния Ρƒ Π½ΠΈΡ… составляСт 0,3–0,4 Π’. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ напряТСния Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня, ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ любого ΠΈΠ· транзисторов Q3 ΠΈ Q4, устанавливаСт Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС ~1,2 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт быстрому Ρ€Π°ΡΡΠ°ΡΡ‹Π²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… зарядов Π² Π±Π°Π·Π΅ транзистора ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ускорСнному ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ.