Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ «НанотСхнологии. ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π° ΠΈ вымысСл». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 34

Автор Π’ΠΈΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π‘Π°Π»Π°Π±Π°Π½ΠΎΠ²

Главная государствСнная Ρ†Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ – созданиС ΡΠΎΡ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ энСргСтичСского хозяйства, Π·Π° счСт структурной пСрСстройки энСргопроизводящих ΠΈ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… отраслСй ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ эффСктивноС энСргосбСрСТСниС Π² странС, Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС энСргоноситСлями отраслСй экономики, сниТСниС энСргоСмкости Π’Π’ΠŸ ΠΊ 2010 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ – Π½Π° 26 % ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ психологичСскому Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΡƒ 2000 Π³ΠΎΠ΄Π°.

Π’ настоящСС врСмя рСализуСтся Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½ Π“ΠžΠ­Π›Π Πž-2 – утвСрТдСнная ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ страны Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма размСщСния энСргомощностСй Π΄ΠΎ 2020 Π³ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π²Π²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 41 Π“Π’Ρ‚ элСктричСских мощностСй ΠΊ 2011 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. Однако ΠΈΠ·-Π·Π° Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ экономичСского кризиса ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ³Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ катастрофы Π½Π° Баяно-Π¨ΡƒΡˆΠ΅Π½ΡΠΊΠΎΠΉ Π“Π­Π‘ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Π½ΠΎΠ² маловСроятно.

Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Π€Π΅Π΄Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Β«Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΠ±Π΅Ρ€Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈΒ», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пСрспСктивныС области исслСдований:

β€’ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ энСргСтику;

β€’ Π±ΠΈΠΎΡ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²ΠΎ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ биомассы;

β€’ ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ энСргСтику ΠΈ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΠ±Π΅Ρ€Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ для ΠΆΠΈΠ»ΠΈΡ‰Π½ΠΎ-ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ хозяйства (Π–ΠšΠ₯);

β€’ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΠ±Π΅Ρ€Π΅ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ Π°Π³Ρ€Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΎΠ²;

β€’ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ энСргСтичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅.

Π’ соотвСтствии с ΠΏΠ»Π°Π½Π°ΠΌΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ стратСгии, ΠΊ 2030 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ производство элСктроэнСргии Π² нашСй странС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠΈΡ‚ΡŒΡΡ.

Наряду с элСктроникой ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, энСргСтичСская сфСра – Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ ΠΈ пСрспСктивный Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ для нанотСхнологичСских Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ. Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π°ΠΌΠΈ примСнСния Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² энСргСтичСском сСкторС экономики страны являСтся ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ эффСктивности, надСТности, бСзопасности ΠΈ срока слуТбы, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ сниТСниС энСргСтичСских Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ Π² производствС Π’Π’ΠŸ.

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ позволят Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ энСргСтичСскиС ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ посрСдством примСнСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивного освСщСния, Ρ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… аккумуляторов, солнСчных элСмСнтов, эффСктивных ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ супСркондСнсаторов, распрСдСлСния источников энСргии ΠΈ Π΄Π΅Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ производства, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ хранСния энСргии Π·Π° счСт качСствСнного обновлСния элСктроэнСргСтичСской систСмы.

ГСнСрация (ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅)энСргии

НаиболСС пСрспСктивными направлСниями блиТайшСго Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² сфСрС прСобразования ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ энСргии ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΈΠΊΠΈ (солнСчныС элСмСнты), ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π° (Ρ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты), тСрмоэлСктричСство (тСрмоэлСктричСскиС устройства), ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ³Π»Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ энСргСтики (ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ), Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° Π΄Π΅ΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… производствСнных прСдприятий ΠΈ институтов.

По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ консалтинговой ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Lux Research (БША), ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° солнСчной энСргСтики Π² 2008 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ достиг 33,3 ΠΌΠ»Ρ€Π΄ Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ², ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 5 Π“Π’Ρ‚. ΠžΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π² пСрСсчСтС Π½Π° Π΄Π΅Π½Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ эквивалСнт, Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ с 2001 Π³ΠΎΠ΄Π° увСличился Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π² 11 Ρ€Π°Π·. Π‘Π΅Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… солнСчных ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ Π² 2008 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ оцСнивался Π² 0,6 Π“Π’Ρ‚, Π½ΠΎ, ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·Π°ΠΌ экспСртов, ΡƒΠΆΠ΅ ΠΊ 2012 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΠ½ увСличится Π΄ΠΎ 2,4 Π“Π’Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ составит Π² Π΄Π΅Π½Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ прирост с 3,8 ΠΌΠ»Ρ€Π΄ Π΄ΠΎ 8,6 ΠΌΠ»Ρ€Π΄ Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ².

Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠΉ сфСрой примСнСния вСщСств, созданных Π½Π° основС Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, ΠΏΠΎΠΊΠ° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ очистки, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ созданиС вСщСств с Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… отраслСй энСргСтики. Основная Ρ†Π΅Π»ΡŒ примСнСния Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² энСргСтичСском сСкторС – ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ эффСктивности, надСТности, бСзопасности ΠΈ срока слуТбы, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ сниТСниС сСбСстоимости.

По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ The Global Technology Revolution 2020, In-Depth Analyses ΠΎΡ‚ 2006 Π³ΠΎΠ΄Π°, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ дСшСвая солнСчная энСргСтика Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ экспСртами Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ 16 самых пСрспСктивных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ 2020 Π³ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈ этом сами Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½Π°Π·Π²Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… основных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ наряду с биотСхнологиями, ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ тСхнологиями ΠΈ тСхнологиями ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ².

НаправлСниС исслСдований ΠΈ практичСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ созданию оборудования для прямого прСобразования солнСчного излучСния Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнтов – солнСчных Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΈΠΊΠΎΠΉ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ устройством для Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ солнСчного излучСния ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ солнСчныС Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ (ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ состоят ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π²ΡƒΡ… проводящих слоСв (рис. 49). Когда свСт поглощаСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ, Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ элСктроны ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ (вакансии), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ элСктричСским ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ, создавая Ρ‚Π΅ΠΌ самым элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ.

Π’ настоящСС врСмя Π² связи с ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ свСта, появлСниСм Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² модуляторов свСта (элСктрооптичСских, акустооптичСских ΠΈ Π΄Ρ€.) ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ устройства для использования Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ спСктра свСтового излучСния, Π½ΠΎ ΠΈ излучСния с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚ Π±Π»ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ (200 Π½ΠΌ) Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° (75-150 ΠΌΠΊΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ 2–4 Π’Π“Ρ†).

Рис. 49. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ классичСской ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ солнСчной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ: 1 – чистый монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ; 2 – «загрязнСнный» ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ; 3 – аккумулятор

Π’ идСальном случаС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ вСсь Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ спСктр солнСчного излучСния: ΠΎΡ‚ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ инфракрасному Π΄ΠΎ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² Ρ€Π°ΠΉΠΎΠ½Π°Ρ…, Π³Π΄Π΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎ солнСчных Π΄Π½Π΅ΠΉ. ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ тСорСтичСски, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ всС зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². ИсслСдованиС, созданиС ΠΈ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ подходящих ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈ производство Π½Π° ΠΈΡ… основС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΈΠΊΠΈ – главная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΈ условиС развития солнСчной энСргСтики.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΎΠΉ являСтся ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ солнСчных Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ, которая ΠΏΠΎΠΊΠ° остаСтся достаточно высокой для ΠΈΡ… повсСмСстного примСнСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ достаточно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ коэффициСнт ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСйствия (ΠšΠŸΠ”). ИмСнно Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π² блиТайшиС Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ эти ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹.

Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΎΡΡŒ Π±Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ извСстныС ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ нанотСхнологичСскиС Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ для Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΈΠΊΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ:

β€’ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ органичСскиС солнСчныС Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π½Π° основС Ρ„ΡƒΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΠ² (Π‘60) ΠΈ гСтСроструктур Π‘6ΠΎ/p-Si с высокой ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области солнСчного спСктра;

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π½Π° основС накоплСния ΠΈ энСргопСрСноса Π² нСорганичСских ΠΈ органичСских ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ… с Π½Π°Π½ΠΎ-слоСвой ΠΈ кластСрно-Ρ„Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ структурой;

β€’ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ фотоэлСмСнты солнСчных Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Π½Π° основС ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ-Ρ„ΡƒΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… наноструктур, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… транспорт носитСлСй заряда осущСствляСтся ΡΠ΅Ρ‚ΡŒΡŽ нанокристаллов ΠΈ органичСских ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»;

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π½Π° основС ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ, ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΡ… ΠšΠŸΠ” Π΄ΠΎ 42 % (тСорСтичСски – Π΄ΠΎ 86 %) Π·Π° счСт Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСктронов Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½;

β€’ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Π΅ гСтСроструктуры InGaAs/AlGaAs ΠΈ InAs/ InGaSb с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ямами ΠΈ гСтСроструктуры Ge/Si с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ для ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ производства Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ИК-Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°;

β€’ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚икаскадныС наногСтСроструктурныС фотоэлСктричСскиС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ солнСчной энСргии каскадного Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с ΠšΠŸΠ” Π΄ΠΎ 35 % ΠΏΡ€ΠΈ 1000-ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ солнСчного излучСния (Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° дСшСвлС ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ) для создания ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… солнСчных энСргоустановок Π² Ρ€Π°ΠΉΠΎΠ½Π°Ρ… Π±Π΅Π· Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктроснабТСния;

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π½Π° основС кСрамичСских Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈΠ· слоСв диоксидов Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½Π° ΠΈ крСмния Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ 50 Π΄ΠΎ 100 Π½ΠΌ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ, Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ элСктроэнСргии Π±Π΅Π· увСличСния ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ солнСчных элСмСнтов;

β€’ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ солнСчныС Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈΠ· мСталличСских Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² (Ag, Cu, Co, Mn, Mg, Zn, Mo, Fe), ΠΈΡ… оксидов ΠΈ гидроксидов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ физичСскиС явлСния;

β€’ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ солнСчныС элСмСнты Π½Π° основС ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ коэффициСнт поглощСния солнСчной энСргии ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ солнСчными батарСями с Π½Ρ‹Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… 67,4 Π΄ΠΎ 96,21 %;

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 2–4 ΠΌΠΊΠΌ, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² элСктричСство 92 % свСтовой энСргии (ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Π»ΠΈ Π΄ΠΎ 80 %); Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΡ‡ΡŒΡŽ Π·Π° счСт ΡƒΡ‚ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ИК-Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° (Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π—Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, элСктронных ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… источников);

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈΠ· поликристалличСского крСмния (c-Si) β€“ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ высокочистыС крСмнийсодСрТащиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ для Π½Π°Π½ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ производства устройств фотоэлСктричСского прСобразования солнСчного излучСния (фотоэлСмСнтов) ΠΈ микроэлСктроники;

β€’ ΡΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты, созданныС Π½Π° основС Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния (a-Si), ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ солнСчных Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ эффСктивности Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 %;

β€’ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ мСханичСской ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ аэрогСли для солнСчных ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠ· ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² кластСры наночастиц (Π΄ΠΎ 5 Π½ΠΌ) ΠΈ с полостями (Π΄ΠΎ 100 Π½ΠΌ), Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π΄ΠΎ 99 % объСма;