Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«ΠšΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ магия». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 54

Автор Π‘Π΅Ρ€Π³Π΅ΠΉ Π”ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠ½

Π›Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ экспСримСнты Π² области ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚ΠΈΠ½Π³Π° всС Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ подходят ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ тСхнологиям. Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° исслСдоватСлСй ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Π₯ΠΈΡ‚Π°Ρ‡ΠΈ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π² ΠšΠ΅ΠΌΠ±Ρ€ΠΈΠ΄ΠΆΡΠΊΠΎΠΌ унивСрситСтС Π² Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ, Π² августС 2005 Π³ΠΎΠ΄Π° сообщила[118] ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ шагС Π² Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, основанного Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

Π Π°Π½Π΅Π΅ ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΡƒΠΆΠ΅ создавались Π½Π° основС арсСнида галлия, Π½ΠΎ врСмя Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ, Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ сохраняСтся ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ состояния ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π°, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ. Π£Ρ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Π₯ΠΈΡ‚Π°Ρ‡ΠΈ продСмонстрировали, Ρ‡Ρ‚ΠΎ изолированная двойная квантовая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° (наноскопичСская пространствСнная Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ), созданная Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΌ кристаллС, проявляСт сСбя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚ со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ, Π² 100 Ρ€Π°Π· большим, Ρ‡Π΅ΠΌ прСдыдущая рСализация Π² арсСнидС галлия. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° создания ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использована Π² стандартных КМОП-процСссах (CMOS, complimentary metaloxide semiconductorβ€” полупроводниковая тСхнология, примСняСмая ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ всСх логичСских микросхСм, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ микропроцСссоры ΠΈ чипсСты). Одного лишь создания ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π° для построСния ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° нСдостаточно, ΠΈ кСмбридТская ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Π₯ΠΈΡ‚Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π»Π° всС Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ: ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ; манипуляции β€” с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктронных Π³Π΅ΠΉΡ‚ΠΎΠ²; измСрСния β€” с использованиСм одноэлСктронных транзисторов. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Π°Ρ схСма ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… микропроцСссорах. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ число ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π΄ΠΎ большой ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для создания ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 2006 Π³ΠΎΠ΄Π° ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· УнивСрситСта ΠœΠΈΡ‡ΠΈΠ³Π°Π½Π° (БША) сообщили[119] ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для создания ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠΌ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ MEMS, которая сСйчас всС ΡˆΠΈΡ€Π΅ примСняСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ производствС.

ВСхнология MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System) позволяСт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° повСрхности ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ микроэлСктромСханичСскиС структуры Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния. По этой Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ аксСлСромСтры (Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ускорСния), ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, сСлСктивныС Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Ρ‹ для Π±ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ модуляторы свСта. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ систСмы ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ посрСдством комбинирования мСханичСских элСмСнтов, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ элСктроники Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ основС с использованиСм Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ микропроизводства. ВсС элСмСнты ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠ³ΠΎ издСлия β€” микросхСмы Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластинС, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ сразу дСсятками ΠΈΠ»ΠΈ сотнями. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π² основС Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΡƒΠΆΠ΅ апробированная традиционная тСхнология производства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм.

Π’ MEMS ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ: ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½ΡƒΡŽ. ОбъСмная ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ объСмного травлСния. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ процСсса объСмная структура получаСтся Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ благодаря Π΅Π΅ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠ½Ρ‹ΠΌ свойствам, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ скорости травлСния кристалла Π² зависимости ΠΎΡ‚ направлСния кристаллографичСских осСй. ОбъСмная структура ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ происходит, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° нСсколько ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ ΡΠΏΠ»Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ связи Π½Π° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ повСрхностной микромСханичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ трСхмСрная структура создаСтся ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ основных Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоСв согласно Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² возмоТности ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ удалСния (растворСния) Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоСв Π±Π΅Π· поврСТдСния взаимосвязСй Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… слоСв. Π•Π΅ главная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° совмСстима с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ КМОП-процСсс.

Π’Π°ΠΊ Π²ΠΎΡ‚, ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· ΠœΠΈΡ‡ΠΈΠ³Π°Π½Π° продСмонстрировали, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ сСйчас ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΏΡŒΡŽΡ‚ΠΈΠ½Π³Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π²Ρ€ΡƒΡ‡Π½ΡƒΡŽ, Π° с использованиСм ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ MEMS-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Они создали ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΡƒ ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоСв алюмогаллиСвого арсСнида Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ ΠΈΠ· арсСнида галлия, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΡŽ. Π£Ρ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅Π»Π°Π»ΠΈ отвСрстиС Π² Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ ΠΈ сформировали ряд ΠΊΠΎΠ½ΡΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктродов с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ примСняСмых ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ микроэлСктромСханичСских систСм (MEMS). Они установили Ρ‡ΠΈΠΏ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄ΠΎ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· отвСрстиС Π²Π²Π΅Π»ΠΈ Π³Π°Π· Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² кадмия, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π»Π°Π·Π΅Ρ€. Π’Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ рСгулируя Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС элСктрода ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°, ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ смогли ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠ΅ СдинствСнный ΠΈΠΎΠ½ 111Cd+ΠΈ Π½Π°ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ состояниСм. Авторы ΡΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высокой Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ контроля ΠΈ манипулирования ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ состояниями. Как ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΈΡˆΡƒΡ‚, ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ «прСдоставляСт бСспрСцСдСнтный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ СдинствСнного Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Β». Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° практичСского примСнСния ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ процСссоры, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ этого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большоС количСство ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚ΠΎΠ².

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Π΅ исслСдования Π² сфСрС Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ процСссора ΡƒΠΆΠ΅ Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ подошли ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ тСхнологиям.

К числу интСрСсных, Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ΄Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ для ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… вычислСний Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ новСйшиС достиТСния спинтроники. Π•Ρ‰Π΅ нСсколько Π»Π΅Ρ‚ Π½Π°Π·Π°Π΄ ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· ΠšΠ΅ΠΌΠ±Ρ€ΠΈΠ΄ΠΆΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ унивСрситСта ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ распространСниС элСктронных Π²ΠΎΠ»Π½ ΠΏΠΎ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ нитям для провСдСния ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… вычислСний. Для создания ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π° использовали управляСмоС Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ»Π½ ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ, Π° для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ β€” кулоновскоС взаимодСйствиС элСктронов, находящихся Π² сосСдних ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ…. БСйчас прСдлагаСтся[120] Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ эту идСю Π½Π° спины, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ врСмя Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ спиновых стСпСнСй свободы Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π—Π° это врСмя элСктрон ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ большиС расстояния, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, сама структура Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅Π΅ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ Π² ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Для осущСствлСния ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π³Π΅ΠΉΡ‚ΠΎΠ² (логичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ) здСсь ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ спин-ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ взаимодСйствиС ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚ΠΎΠ². Π˜Π½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ любой спиновой ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈΠ·/Π² Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΠ² (ΠΈ) ΠΈΠ»ΠΈ с использованиСм спиновых Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ² имСзоскопичСских спин-ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… свСтодСлитСлСй. Авторы (A. E. Popescu, R. Ionicioiu) Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² настоящСС врСмя Π² нанотСхнологиях, для физичСской Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ своСй ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ.

БущСствуСт ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… интСрСсных ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹. Одно ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΡ‹ рассмотрим ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ я ΡƒΠΊΠ°ΠΆΡƒ Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ связь этого Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° с эзотСрикой, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅, с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° Π² нашСм Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠ·Π³Π΅.

Π Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π΅, Π³Π΄Π΅ Π² качСствС ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ процСссора ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ кристаллы гидроксиапатита ΠΊΠ°Π»ΡŒΡ†ΠΈΡ Ca5(PO4)3OH, ΠΈΠ»ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ (Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΏΠ°Ρ‚ΠΈΡ‚ ΠΈ Π΄Ρ€.). Π­Ρ‚ΠΈ монокристаллы ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ пСрспСктивными ΠΊΠ°Π½Π΄ΠΈΠ΄Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ[121] Π½Π° Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ физичСской основы Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ЯМР.

ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π°, словно ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Ρƒ, создала ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», идСально подходящий для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° кристалла прСдставляСт собой плоскости, пСрпСндикулярныС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π³ΠΈΠ΄Ρ€ΠΎΠΊΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ. КаТдая Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π° 6 Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΈ сущСствСнно Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ «нитями» ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π² Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π° большС, Ρ‡Π΅ΠΌ расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ Π² самой Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ (рис. 9). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ диполь-дипольноС взаимодСйствиС (Π”Π”Π’) ядСрных спинов ΡƒΠ±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ с расстояниСм ΠΊΠ°ΠΊ 1/r3, константа Π”Π”Π’ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ блиТайшими ядрами Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π² дСсятки Ρ€Π°Π· большС максимальной константы Π”Π”Π’ спинов Π² сосСдних «нитях». ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ядСрных спинов слабо Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ структуру гидроксиапатита ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ²Π°Π·ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ (Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ). Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΎΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌΠΈ плоскостями ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΠ΄Ρ‚ΠΎ это ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ располоТСнныС ядСрныС спины.